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1、2018存儲行業將會有哪些變化？

無論是走過去的2017年，還是走進來的2018年，即便在目前市值1000億美元+的存儲行業將會有很多改進，但沒有發現什麼極具顛覆性的存儲技術。

SSD

市場對SSD需求強勁。隨著新晶圓廠的建立，今年的價格最終會有所下降，尤其是在中國，因此SSD將繼續迅速地取代從PC和筆記本到高端存儲系統中HDD的「席位」。從2D到3D NAND的巨大轉變將使得所有快閃記憶體晶元製造商（英特爾/美光，力晶半導體，三星，SK海力士，東芝，西部數據/閃迪）提供更高的容量和更低廉的價格。

USB安全鑰和行動電話也將受益。同樣還有速度更快，搭載NVMe的PCIe介面，擁有更高的帶寬和更低的延遲，將逐漸取代6Gb SATA和6Gb/12Gb SAS連接。英特爾/美光「高貴」但速度極快的XPoint/Optane將開始被採用。

HDD

HDD的存儲密度很難有所提升。現在唯一的方法是在設備內部向充氦硬碟里增加更多的碟片，來達到當下3.5英寸大小14TB容量的硬碟要求，不過技術各不相同――東芝傳統磁記錄技術，西部數據SMR疊瓦式磁記錄，下一階段，希捷HAMR熱輔助磁記錄技術預計將在今年到來，然後是西部數據MAMR微波輔助磁記錄技術。混合硬碟將會消失。硬碟和固態硬碟的單位容量價格將繼續有利於機械硬碟，不過由於NAND晶元供應緊張的局面不再， SSD又擁有更快的速度，它們都將呈現下滑趨勢。

磁帶

隨著LTO-8的到來，市場將不再反彈，LTO-8格式的磁帶機（12TB原始容量）僅僅成為了IBM以及極少數日本墨盒製造商（也許也只有一個，富士膠片）的專有技術。

光碟存儲

由於容量受限，藍光光碟只有300GB容量，短期內的小目標是達到500GB以及突破最終的1TB規格，與LTO-8相比並不算什麼，廠商數量也有限，基本上就是松下和索尼。

介面

業界將趕上PCIe/NVMe/NVMe-oF和USB Type C的潮流。擁有蘋果支持的後者將憑借速度快成為所有筆記本、PC甚至智能手機的主介面。而Thunderbolt介面雙向帶寬達到40Gb/s。即使有32Gb/s的新速度，SAS和SATA也會像FC介面一樣下滑，產品越來越少。

極具發展潛力的市場和應用

1.存儲行業正在希望通過歐盟與28個國家達成一致並將在明年5月25日生效的「通用數據保護條例」來提高銷售額，而且對於與歐洲機構開展業務的公司這也是很有必要的。

2.25/50/100GbE將超越10GbE獲得更為廣泛的採用，Mellanox IB和英特爾OmniPath連接將專用於HPC。

3.融合和超融合即使是在二級存儲存儲市場，也仍然是兩大趨勢。證明就是例如上市公司Nutanix的巨大增長。

4.全快閃記憶體陣列依然是增長型市場，作為軟體定義層繼續與快閃記憶體競爭。結合SSD和HDD的混合配置將受到快閃記憶體價格下降的影響。

5.傳統的存儲管理員將被DevOps所取代。

6.其中最有發展潛力的存儲市場仍然是包括監控和後期製作在內的視頻行業，因為隨著圖像清晰度的增加，它需要巨大的存儲容量和歸檔功能。

7.勒索軟體保護將會越來越多地增加到備份軟體中。

8.2018年IDC預測物聯網擁有7720億美元市值，市場正在呈爆炸式增長，並且它需要存儲。

軟體定義存儲（SDS）

對象存儲和文件存儲供應商都證實了軟體定義存儲的採用浪潮，2018年將繼續朝著這樣的方向發展，因為用戶希望構建與硬體無關，能夠在一個虛擬化或容器化的環境中裸機運行，或者在雲上做純軟體堆棧。

數據保護

SaaS應用（如Salesforce，GSuite或Office365）的大量採用將證實了專用數據保護策略的需求。像在Hadoop和其他大數據平台上構建的MongoDB，Cassandra和其他分布式應用程序等NoSQL資料庫也已經證明了它們在業務中的作用，特別是它們能夠與雲相結合。

雲存儲

IBM，甲骨文和阿里巴巴三大廠商都在積極跟進AWS，Azure和谷歌雲平台。VMware和HPE已經在雲計算上做出了糟糕的投注，甚至VMware最近還將其vCloud Air賣給了託管服務商OVH。通過OpenStack和Helion的復雜故事，HPE已經證明它無法構建，開發和維護一個公有雲業務。隨著Azure和谷歌雲平台產品的不斷增加，以及各自在雲計算實例中的存儲，S3存儲將繼續主導市場。我們預計，隨著工作負載遷移，復制，備份或災難恢復服務的發展，這種多雲方式也將不斷涌現，而且分層和歸檔也將使本地和雲端成為一個真正的存儲連續體。

人工智慧和機器學習

人工智慧和機器學習的相關話題將越來越多地出現在我們的生活里。在存儲行業也是如此，因為許多供應商已經開始在它們的系統中添加邏輯設置來學習環境，推薦一些動作，操作任務來最終改善服務並簡化用戶的生活，管理，控制和操作。當然，我們將在2018年看到更多這樣的好處，選擇將會很艱難，不過嘗試才是關鍵。

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2、什麼是IT

IT的英文是Information Technology，即信息產業的意思，較為廣泛：目前IT業的劃分方法有各式各樣，其中以美國商業部的定義較為清楚和合理，它將國民經濟的所有行業分成IT業和非IT生產業。其中IT業又進一步劃分為IT生產業和IT使用業。IT生產業包括計算機硬體業、通信設備業、軟體、計算機及通信服務業。至於IT使用業幾乎涉及所有的行業，其中服務業使用IT的比例更大。由此可見，IT行業不僅僅指通信業，還包括硬體和軟體業，不僅僅包括製造業，還包括相關的服務業，因此通信製造業只是IT業的組成部分，而不是IT業的全部。

3、日系產品為什麼 退出中國市場了？

我個人認為那些官方說法都是假的

最本質的原因一是關稅限制，，，原來在日本很低的價位就能買到的手機，，拿到中國交了幾倍的關稅 自然貴多了 日系手機在國內基本都要賣到3000元左右吧，，，其實一樣的手機在日本只要1，2萬日幣也就是人民幣幾百上千元就可以買到了。。。
還有一個原因就是科技差距： 日系手機太過於先進，，先進到他們幾年前淘汰的垃圾 拿來中國還會因為網路制式太先進而不能用，，而生產那些低端的垃圾產品對於日本來說簡直就是在 摔自己的臉 炸自己的招牌!!!!

再一個原因就是生活水平的差距，，，在日本，，人家是三天兩頭換手機，，資金回籠周轉很快，，而在中國，一般人買一架手機可能好幾年不換，，
而且中國人一般認為手機可以實用就好了 對於個性，細節，做工，靚屏不是太追求 而且想追求也不是有那麼多錢來買的。。

4、NXP半導體 MICROCHIP ATMEL等公司的單片機產品系列,那些產品屬於MCS-51單片機系列!

NXP主要是16位或者32位的ARM單片機。MICROCHIP公司只生產PIC系列或者DSPIC系列的單片機，但不是屬於MCS-51體系。ATMEL公司的MCS-51體系的單片機對應是AT89C系列和AT89S系列。

至於各種單片機的特點，看下面的地址吧：
http://www.zlgmcu.com/home.asp 關於NXP單片機系列的介紹。
http://www.microchip.com/stellent/idcplg?IdcService=SS_GET_PAGE&nodeId=74 MICROCHIP公司的單片機
http://www.atmel.com/dyn/procts/devices.asp?family_id=604 ATMEL 8051系列單片機的相關文檔。

5、EPSON是什麼？

愛普生 是在日本上市的公司，股票代碼為6724。

精工愛普生公司（Seiko Epson Corporation），成立於1942年5月，總部位於日本長野縣諏訪市，是日本的一家數碼影像領域的全球領先企業。

愛普生集團通過富有創新和創造力的文化，提升企業價值，致力於為客戶提供數碼影像創新技術和解決方案。目前在全球五大洲32個國家和地區設有生產和研發機構，在57個國家和地區設有營業和服務網點。愛普生集團在全球設有94家公司，員工總數逾72,000人。2018年12月，世界品牌實驗室發布《2018世界品牌500強》榜單，愛普生排名第318。

6、ups系統在什麼時間在數據機房應用

在數據機房斷電後的一剎那，就已經開始應用了！

UPS，即不間斷電源，是將蓄電池（多為鉛酸免維護蓄電池）與主機相連接，通過主機逆變器等模塊電路將直流電轉換成市電的系統設備。主要用於給單台計算機、計算機網路系統或其它電力電子設備如電磁閥、壓力變送器等提供穩定、不間斷的電力供應。當市電輸入正常時，UPS 將市電穩壓後供應給負載使用，此時的UPS就是一台交流市電穩壓器，同時它還向機內電池充電；當市電中斷（事故停電）時， UPS 立即將電池的直流電能，通過逆變零切換轉換的方法向負載繼續供應220V交流電，使負載維持正常工作並保護負載軟、硬體不受損壞。UPS 設備通常對電壓過高或電壓過低都能提供保護。

7、人造鑽石高調問世能否撼動天然鑽石？

不能，莫桑鑽已經在撼動天然鑽石。

8、DDR2和DDR3內存有什麼區別？

以下來自網路:
DDR2
DDR2發明與發展：
DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標准，它與上一代DDR內存技術標准最大的不同就是，雖然同是採用了在時鍾的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鍾能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。
此外，由於DDR2標准規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
[編輯本段]DDR2與DDR的區別：
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標准DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鍾的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。
2、封裝和發熱量：

DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標准DDR的400MHZ限制。
DDR內存通常採用TSOP晶元封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2內存採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
[編輯本段]DDR2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的製造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自己的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號後面的一個時鍾周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鍾周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。
採用雙通道運行，速度是DDR的2倍。
總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。
[編輯本段]雙通道內存的搭建：
需要INTEL晶元組的支持，內存的CAS延遲、容量需要相同。
不過，INTEL的彈性雙通道的出現使雙通道的形成條件更加寬松，不同容量的內存甚至都能組建雙通道。

DDR3
概述
針對Intel新型晶元的一代內存技術（但目前主要用於顯卡內存），頻率在800M以上，和DDR2相比優勢如下：
(1)功耗和發熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控製成本的基礎上減小了能耗和發熱量，使得DDR3更易於被用戶和廠家接受。
(2)工作頻率更高：由於能耗降低，DDR3可實現更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時間較長的缺點，同時還可作為顯卡的賣點之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現。
(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規格多為16M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存顆粒規格多為32M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構成128MB顯存。如此一來，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數減少後，顯存功耗也能進一步降低。
(4)通用性好：相對於DDR變更到DDR2，DDR3對DDR2的兼容性更好。由於針腳、封裝等關鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設計的顯卡稍加修改便能採用DDR3顯存，這對廠商降低成本大有好處。
目前，DDR3顯存在新出的大多數中高端顯卡上得到了廣泛的應用。
[編輯本段]設計
一、DDR3在DDR2基礎上採用的新型設計：
DDR3
1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有介面頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2．採用點對點的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。
3．採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加非同步重置（Reset）與ZQ校準功能。
二、DDR3與DDR2幾個主要的不同之處 ：
1.突發長度（Burst Length，BL）
由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
2.定址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
3.DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一項重要功能，並為此專門准備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能，如今終於在DDR3上實現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有操作，並切換至最少量活動狀態，以節約電力。
在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所有數據接收與發送器都將關閉，所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鍾電路將停止工作，而且不理睬數據匯流排上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。
4.DDR3新增ZQ校準功能
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令後，將用相應的時鍾周期（在加電與初始化之後用512個時鍾周期，在退出自刷新操作後用256個時鍾周期、在其他情況下用64個時鍾周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
5.參考電壓分成兩個
在DDR3系統中，對於內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據匯流排服務的VREFDQ，這將有效地提高系統數據匯流排的信噪等級。
6.點對點連接（Point-to-Point，P2P）
這是為了提高系統性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個內存控制器只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能有一個插槽，因此，內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P）的關系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數據匯流排的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（伺服器）之分，其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2（高級內存緩沖器）。
面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優勢，此外，由於DDR3所採用的根據溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設備的歡迎，就像最先迎接DDR2內存的不是台式機而是伺服器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC台式機領域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel所推出的新晶元-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規格，而AMD也預計同時在K9平台上支持DDR2及DDR3兩種規格。
[編輯本段]發展
早在2002年6月28日，JEDEC就宣布開始開發DDR3內存標准，但從2006的情況來看，DDR2才剛開始普及，DDR3標准更是連影也沒見到。不過目前已經有眾多廠商拿出了自己的DDR3解決方案，紛紛宣布成功開發出了DDR3內存晶元，從中我們彷彿能感覺到DDR3臨近的腳步。而從已經有晶元可以生產出來這一點來看，DDR3的標准設計工作也已經接近尾聲。
半導體市場調查機構iSuppli預測DDR3內存將會在2008年替代DDR2成為市場上的主流產品，iSuppli認為在那個時候DDR3的市場份額將達到55%。截至2008年11月底的情況看，這個預期還是比較准確，市場上已經占據了很多運行頻率為1066,1333,1600,甚至2000MHz的DDR3內存，介面類型有200和240 PIN兩種。不過，就具體的設計來看，DDR3與DDR2的基礎架構並沒有本質的不同。從某種角度講，DDR3是為了解決DDR2發展所面臨的限制而催生的產物。
由於DDR2內存的各種不足，制約了其進一步的廣泛應用，DDR3內存的出現，正是為了解決DDR2內存出現的問題，具體有：
更高的外部數據傳輸率
更先進的地址/命令與控制匯流排的拓樸架構
在保證性能的同時將能耗進一步降低
為了滿足這些要求，DDR3內存在DDR2內存的基礎上所做的主要改進包括：
8bit預取設計，DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有介面頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
採用點對點的拓樸架構，減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。
採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加非同步重置（Reset）與ZQ校準功能。
[編輯本段]DDR3內存的技術改進
邏輯Bank數量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶元的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了准備。
封裝（Packages）
DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit晶元採用78球FBGA封裝，16bit晶元採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。
突發長度（BL，Burst Length）
由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（BL，Burst Length）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
定址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。 從環保角度去看，降低功耗對業界是有著實實在在的貢獻的，全球的PC每年的耗電量相當驚人，即使是每台PC減低1W的幅度，其省電量都是非常可觀的。
降低功耗
DDR3內存在達到高帶寬的同時，其功耗反而可以降低，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，相關數據預測DDR3將比現時DDR2節省30%的功耗，當然發熱量我們也不需要擔心。就帶寬和功耗之間作個平衡，對比現有的DDR2-800產品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X，不但內存帶寬大幅提升，功耗表現也比上代更好.
在這個冬季即將結束，三星正式推出目前世界上單顆密度最大的DDR3晶元，基於50納米製造工藝，推單顆容量到了4GB,這個終於使得我們可以更快的跨入64位的時代，因為單根PC內存條的容量已達到了驚人的32GB。 新的晶元比先前的DDR3晶元功耗降低了40%，
其次，這也為單根32GB的內存條的上市掃清了障礙，最初面市的32GB的RDIMM內存用於伺服器領域採取雙面封裝（每一面由4×4GDDR3晶元組成），同時會面對桌面市場提供8G的UDIMM內存提供給工作站和PC平台，以及8GB的SO-DIMM筆記本電腦內存。 新的低功耗DDR3內存設計工作電壓為1.35伏，比之前1.5伏的DDR3晶元降低大約20%功耗，同時最大吞吐速度達到1.6Gbps。 另外，DDR2的價格恐怕會依然疲軟，我在想我的本本是不是應該升級到DDR2 4GB了呢？而根據IDC的預測DDR3內存市場份額將從目前的29%到2011年達到72%。
與DDR2的不同之處
邏輯Bank數量，DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶元的需求。而DDR3很可能將從2GB容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了准備。 封裝（Packages），DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit晶元採用78球FBGA封裝，16bit晶元採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。 突發長度（BL，Burst Length），由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（BL，Burst Length）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可透過A12位址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。 定址時序（Timing），就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提升。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。 新增功能——重置（Reset），重置是DDR3新增的一項重要功能，並為此專門准備了一個引腳。DRAM業界已經很早以前就要求增這一功能，如今終於在DDR3身上實現。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有的操作，並切換至最少量活動的狀態，以節約電力。在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所以有數據接收與發送器都將關閉。所有內部的程式裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鍾電路將停止工作，而且不理睬數據匯流排上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。 新增功能——ZQ校準，ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳透過一個命令集，經由片上校準引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與終結電阻器（ODT，On-Die Termination）的終結電阻值。當系統發出這一指令之後，將用相對應的時鍾周期（在加電與初始化之後用512個時鍾周期，在退出自刷新操作後用256個時鍾周期、在其他情況下用64個時鍾周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。[1]

9、為什麼微軟要把數據中心設在水下？

是因為微軟公司為了減少散熱成本。大家都知道，數據中心的運轉會散發大量熱量，若不及時散熱就就極其可能燒毀伺服器。但是增加散熱設備又會加大電力使用，從而增加成本，於是微軟的工程師們想出了一些「奇特」的方法——將數據中心存放於水下。數據中心散熱量很大，尤其是數據高峰時，會加大伺服器的運行壓力，同時也會加速工作，產生熱量也較多，如果不能及時降溫，就會有燒壞的風險。

數據中心一旦壞掉，其損失難以估量，於是人們想出很多方法為其降溫，據統計數據顯示，一個數據中心的成本中，電力成本就佔了20%左右，而電力成本中的42%又會用來散熱。因此，微軟公司為了減少散熱成本，便將自己的數據中心建在水底。如此以來，便節約了一部分的電力成本，也不用擔心數據中心因為運轉太快而出現散熱不及時的情況。

另一方面，微軟公司的這一行為，也符合當今的環保理念。通過利用水的自然冷卻，減少對電力的依賴，也便是減少了化石能源對環境增加的負荷，畢竟現在大多數的電力供應還是以化石能源的火電為主。

微軟公司表示，今後會將更多的數據中心建設在水下，並廣泛進行落實。不得不說，微軟真是一個非常有想法的科技創新型公司！微軟能有今天的成就，離不開每一位研發人員和工作人員的辛勤付出。不過想到以後的海洋中，不僅有海底隧道，海底電纜、還會有數據中心，是不是會感覺很神奇。

10、購買筆記本電腦時應注意什麼

教你如何買筆記本電腦

開機驗箱的一些應該注意的地方.

1:開箱時應先檢查包裝箱是否開過封,連底部也要檢查.如果有一邊的封條看出是後來貼上去的,那這個機器肯定在之前就開過封了.有可能裡面的主機之前是展示的樣機或者是返修機也說不定.

2:比較主機BIOS的序列號跟外包裝箱的序列號以及機器底部的序列號是否一致.一般行貨的包裝應該是由你自己開封的,有些機器的保修單上也貼得有機器的序列號,也要對比一下看是否一致.水貨都是被打開過的,有的時候可能紙箱都不是原機的,要看bios里的序列號跟機底標簽的,只要一致的話就可以了.(但因為查看BIOS里的序列號要等開機以後才行,所以

這一步購買行貨的買家只要先檢查機底的序列號和外包裝箱的序列號以及保修單上的序列號一致就可以了!注:也有部分筆記本電腦無法在BIOS里查找序列號)

3:檢查各種配件是否齊全(可用裝箱單來檢查配件是否齊全),配件的序列號與裝箱單的是否一致,有否損壞或者使用的過的跡象.此外購機之前各位朋友最好登陸到你感興趣的機型的官方網站查詢這個型號有些什麼配件.或者上網詢問購買過此機型的朋友也不失為良策.

4:檢查底座里的各種能夠取下來的設備,如果不會的話可以讓商家幫你拿下來,檢查序列號是否與裝箱單的一致(有些機器在包裝箱上是沒有序列號的).這關繫到日後的保修資格,因為某些維修站只有確定了你的配件是原廠的以後才會受理你的保修的.

5:檢查電池和電池插槽,如果觸點有被摩擦過的痕跡可能機器已經被人使用過了,因為一般的驗機是直接插電源而不會使用電池的,一般的商家在驗機時也是直接插電源而不願插上電池的.(這個在ibm和sony身上是比較多的,因為這兩個品牌都在電源管理程序里能夠看到電池的充放電次數,如果你在驗機時查看到你的電池使用次數>2那麼就有點問題了).

6:檢查主機的鍵盤,縫隙,螺絲,這些可以幫助你判斷這台機器有沒有被長時間的使用過或動過手腳.當你發現鍵盤的鍵帽發亮或者螺絲有劃痕的時候就得注意, 很可能你的愛機是被別人動過手腳的或者是用來展示過的.如果商家說他們在從廠家拿來的時候就驗過機,也不要相信,短時間的驗機不會讓鍵盤的鍵帽都發亮的.

完成了上面的步驟並且一切都通過之後就可以通電試機了.

1:進入bios查看關於機器的基本信息.不同品牌的機器進入bios的方法會有不同,開機畫面上一般都會有提示或者可以讓商家幫你,對照機身的序列號,外包裝箱的序列號與bios里的是否一致,同時可以在BIOS里對機器的大體配置有個了解.

2:看看機器的操作系統是否處在未解包狀態.對於大多數預裝Windows操作系統的全新筆記本電腦來說,如果沒有啟動過的話,一打開電源開關,BIOS 自檢過後就會自動進入操作系統的注冊畫面,你必須輸入隨機提供的Windows注冊號碼才可以使用.不過現在也有些廠商的產品開機就已經安裝好OEM版本的操作系統,只是還沒有輸入注冊碼,進入操作系統後經常會有對話框跳出來要求注冊,這種情況也是正常的.如果商家給你拿出的"全新"筆記本電腦已經具有注冊了的Windows操作系統而且還有很多私人安裝的軟體,那你可就要小心了.

3:檢查液晶屏的壞點.記住這一步很重要的,因為一定數量以內的壞點都不屬於質量問題,也就是說如果買機器時你不查清楚,到時候交了錢想換都沒的換.把桌面的圖標能刪的都刪掉,然後把背景色設置成各種反差比較大的顏色仔細看看,不是很趕時間的話就盡量多換幾種,並且最好把液晶屏換幾個不同的角度來看,因為很多壞點是在正常視角下看不到的,如果發現有不同色的或者不會變色的小亮點或者暗點就是壞點了,當然用軟體測試也是不錯的方法.

Ntest.exe 這個軟體就可以檢測液晶屏的壞點.運行這個軟體後,可以讓屏幕全屏切換不同的純色,這樣就可以很容易地把壞點辨認出來.此外這個軟體還可以通過不同顯示模式的演示來評測屏幕的顯示對比度,文字銳利度,色溫,摩爾偏差等各項專業指標,這個軟體甚至還有音箱的左右聲道測試功能.而且它只有不到600KB大小!需要的朋友可到各大軟體下載網站去查找這個軟體.

4:接下來就要試試光碟機了.如果有軟碟機要一並試,可以找一張VCD播放順帶試試你機器的音箱是否正常,是否都能出聲,如果是DVD光碟機的朋友就直接試運行 DVD了.記得檢查音箱很重要的,因為如果機器放置時間較長又沒有很好的存放的話,音箱的紙盆結構可能會被損壞,導致出現破音,所以播放DVD或VCD時一定要檢查音箱!

5:用撥號上網的方法試試"貓"(這個最好在商家那裡做).如果有條件的話可以試試網卡.其實這個部分出硬體問題的機率不會很大,不過試試總不是壞事.如果要試網卡,需要自帶直連線,用商家那裡的其他機器聯機實驗.另外給大家IBM的查詢保修截止日期的網站http://www-3.ibm.com/pc/support/site.wss/warranty/warranty.vm

這個是HP機器的查詢網站http://www3.compaq.com/support/parts/

6:有興趣+有條件的話可以當場試試機器上的各種介面和埠.比如usb,1394,紅外埠以及pc卡插槽.這些東西不是說要你自己帶去,最好是商家那裡有.如果沒有的話回家以後再試也無妨.

7:重新啟動幾次,看看機器是否能正常的熱啟動.最好接上USB滑鼠試試.筆者使用的IBMR40E22C筆記本接上USB滑鼠以後就不能正常的熱啟動了.我哭.

8:可以運行系統里的一些大的程序來粗略的測試穩定性,掃描一下硬碟看看會不會有壞道什麼的,當然沒有必要做的太多.

9:如果有條件的話,可以自帶一些小的工具軟體來測試一下機器的具體配置和各項有興趣的指標,也可以在系統信息里查看.推薦 sisoft sandra2003 pro,它能非常全面的測試出機器的各種配置信息.當然在你沒交錢之前很少有商家願意你在裡面裝一大堆東西,所以

這些東西完全可以等把機器買回家以後再安裝測試.

10:問問js有沒有其他的贈送軟體和配件.可以在此之前先自行上網查詢廠家是否搞什麼活動也可以詢問買過此機型的網友.尤其是買水貨機器的朋友,一定要向js索要中文系統的恢復盤,有條件的話,可以要幾種不同系統的,比如win2000和winxp,反正不要白不要,為日後的系統升級早做打算嗎!

11:剩來的就是商量盡可能多的優惠,比如叫他在贈品之外送你個滑鼠或者送個U盤什麼的.這些事情都得要在交錢之前做完,交了錢你就甭想了.

12:在確認這台機器讓你滿意之後可以打電話給此廠家的熱線查詢此機器是否為行貨.各個大廠家的熱線電話在網上,報紙上到處都是,小弟就不一一累述了.

13:在確認機器一切正常並且自己對商家的價格,優惠,贈品等等滿意以後就可以交款了.還有購買行貨的朋友我建議一定要開發票.即使比你知道的最低價貴兩三百元也無所謂,以後要有保障點嘛.

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