sem中二次电子

1、扫描电镜中二次电子的能量级<50ev,背散射电子的能量级>50ev,请问，50ev具体含义是什么？

eV是电子伏特的英文缩写，1eV=1.6E-19J，代表一个电子（所带电量e = - 1.6 * 10^(-19) C）在经过1个伏特（volt）的电场加速后所获得的动能。

你说这2个都是从能量角度描述的。前一个是电子的能量不能太小，否则扫描不到东西，后一个是被测量电子能量不能太小，小于133就测不到

2、SEM如何利用二次电子成像

从书上查了一些内容，书的年代比较久远，可能买不到...有兴趣的话，尝试着去图书馆借一下吧。
SEM工作时，电子枪发射的入射电子束打在试样表面上，向内部穿透一定的深度，由于弹性和非弹性散射形成一个呈梨状的电子作用体积。电子与试样作用产生的物理信息，均由体积内产生。
二次电子是入射电子在试样内部穿透和散射过程中，将原子的电子轰击出原子系统而射出试样表面的电子，其中大部分属于价子激发，所以能量很小，一般小于50eV。因此二次电子探测体积较小。二次电子发射区的直径仅比束斑直径稍大一些，因而可获得较高的分辨率。
二次电子像的衬度取决于试样上某一点发射出来的二次电子数量。电子发射区越接近表面，发射出的二次电子就越多，这与入射电子束与试样表面法线的夹角有关。试样的棱边、尖峰等处产生的二次电子较多，相应的二次电子像较亮；而平台、凹坑处射出的二次电子较少，相应的二次电子像较暗。根据二次电子像的明暗衬度，即可知道试样表面凹凸不平的状况，二次电子像是试样表面的形貌放大像。
SEM内在试样的斜上方放置有探测器来接受这些电子。接受二次电子的装置简称为检测器，它是由聚焦极、加速极、闪烁体、光导管和光电倍增管组成。在闪烁体前面装一筒装电极，称为聚焦极，又称收集极。在其前端加一栅网，在聚焦极上加250-300V的正电压。二次电子被此电压吸引，然后又被带有10kV正电压的加速极加速，穿过网眼打在加速极的闪烁体上，产生光信号，经光导管输送到光电倍增管，光信号转变为电子信号。最后输送到显示系统，显示出二次电子像。

3、扫描电镜二次电子像怎么判断是空洞还是相

第一、扫描电镜照抄片是灰度图像，袭分为二次电子像和背散射电子像，主要用于表面微观形貌观察或者表面元素分布观察。

一般二次电子像主要反映样品表面微观形貌，基本和自然光反映的形貌一致，特殊情况需要对比分析。

背散射电子像主要反映样品表面元素分布情况，越亮的区域，原子序数越高。

第二、看表面形貌，电子成像，亮的区域高，暗的区域低。非常薄的薄膜，背散射电子会造成假像。导电性差时，电子积聚也会造成假像。

4、利用扫描电镜分析时二次电子与被散射的区别。

1、分辨率不同

二次电子的分辨率高，因而可以得到层次清晰，细节清楚的图像，被散射电子是在一个较大的作用体积内被入射电子激发出来的，成像单元较大，因而分辨率较二次电子像低。

2、运动轨迹不同

（1）被散射电子以直线逸出，因而样品背部的电子无法被检测到，成一片阴影，衬度较大，无法分析细节，但可以用来显示原子序数衬度，进行定性成分分析 。二次电子对试样表面状态非常敏感，能有效地显示试样表面的微观形貌。

（2）利用二次电子作形貌分析时，可以利用在检测器收集光栅上加上正电压来吸收较低能量的二次电子，使样品背部及凹坑等处逸出的电子以弧线状运动轨迹被吸收，因而使图像层次增加，细节清晰。

3、能量不同

（1）二次电子是指当入射电子和样品中原子的价电子发生非弹性散射作用时会损失其部分能量(约 30～50 电子伏特)，这部分能量激发核外电子脱离原子，能量大于材料逸出功的价电子可从样品表面逸出，变成真空中的自由电子。

（2）被散射电子是指被固体样品原子反射回来的一部分入射电子。既包括与样品中原子核作用而形成的弹性背散射电子，又包括与样品中核外电子作用而形成的非弹性散射电子，所以被散射电子能量较高。

(4)sem中二次电子扩展资料：

应用范围

⑴生物：种子、花粉、细菌等

⑵医学：血球、病毒等

⑶动物：大肠、绒毛、细胞、纤维等

⑷材料：陶瓷、高分子、粉末、金属、金属夹杂物、环氧树脂等

⑸化学、物理、地质、冶金、矿物、污泥（杆菌） 、机械、电机及导电性样品，如半导体(IC、线宽量测、断面、结构观察……）电子材料等。

5、二次电子是什么，与光电子，俄歇电子

我理解的是二次电子是价电子被轰走，光电子是内层电子被轰走同时外层电子回落产生特征x射线，俄歇电子是特征x射线能量被价电子吸收，使电子脱离原子。

6、二次电子的主要特点是什么啊？

二次电子
Secondary electron
二次电子是指背入射电子轰击出来的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小，当原子的核外电子从入射电子获得了大于相应的结合能的能量后，可脱离原子成为自由电子。如果这种散射过程发生在比较接近样品表层处，那些能量大于材料逸出功的自由电子可从样品表面逸出，变成真空中的自由电子，即二次电子。 二次电子来自表面5-10nm的区域，能量为0-50eV。 它对试样表面状态非常敏感，能有效地显示试样表面的微观形貌。由于它发自试样表层，入射电子还没有被多次反射，因此产生二次电子的面积与入射电子的照射面积没有多大区别，所以二次电子的分辨率较高，一般可达到5-10nm。扫描电镜的分辨率一般就是二次电子分辨率。 二次电子产额随原子序数的变化不大，它主要取决与表面形貌。入射电子与样品核外电子碰撞，使样品表面的核外电子被激发出来的电子，是作为SEM的成像信号，代表样品表面的结构特点。
俄歇电子
如果原子内层电子能级跃迁过程中释放出来的能量不是以X射线的形式释放而是用该能量将核外另一电子打出，脱离原子变为二次电子，这种二次电子叫做俄歇电子。因每一种原子都由自己特定的壳层能量，所以它们的俄歇电子能量也各有特征值，能量在50-1500eV范围内。 俄歇电子是由试样表面极有限的几个原子层中发出的，这说明俄歇电子信号适用与表层化学成分分析。

二次电子是指背入射电子轰击出来的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小，当原子的核外电子从入射电子获得了大于相应的结合能的能量后，可脱离原子成为自由电子。如果这种散射过程发生在比较接近样品表层处，那些能量大于材料逸出功的自由电子可从样品表面逸出，变成真空中的自由电子，即二次电子。

二次电子来自表面5-10nm的区域，能量为0-50eV。 它对试样表面状态非常敏感，能有效地显示试样表面的微观形貌。由于它发自试样表层，入射电子还没有被多次反射，因此产生二次电子的面积与入射电子的照射面积没有多大区别，所以二次电子的分辨率较高，一般可达到5-10nm。扫描电镜的分辨率一般就是二次电子分辨率。

二次电子产额随原子序数的变化不大，它主要取决与表面形貌。

7、SEM背散射电子下，原子系数越大是越亮还是越暗，二次电子下是不是相反的。

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜装机的二次电子产率就很高了，所以二次电子像是跟样品观察角度有关的。

8、二次电子扫描像为什么可以反映样品表面或者断面的形貌信息,

你说的是SEM电镜吧，这主要是它的成像原理导致的其可以反映样品表面或者断面的形貌信息。SEM的工作原理为：从电子枪阴极发出的直径20(m～30(m的电子束，受到阴阳极之间加速电压的作用，射向镜筒，经过聚光镜及物镜的会聚作用，缩小成直径约几毫微米的电子探针。在物镜上部的扫描线圈的作用下，电子探针在样品表面作光栅状扫描并且激发出多种电子信号。这些电子信号被相应的检测器检测，经过放大、转换，变成电压信号，最后被送到显像管的栅极上并且调制显像管的亮度。显像管中的电子束在荧光屏上也作光栅状扫描，并且这种扫描运动与样品表面的电子束的扫描运动严格同步，这样即获得衬度与所接收信号强度相对应的扫描电子像，这种图象反映了样品表面的形貌特征。

9、金属材料的断口通常采用扫描电镜二次电子像观察,说明其原因

可以看到，二次电子成像是扫描电镜的主要工作模式，可以看到几个纳米的大小，所以完全可以看到晶粒