1、TEM, EDS ,SEM,FE-SEM,STM,AFM,XRD,XPS,FT-IR,UV-VISQ全称和中文名称是什么呀？帮帮忙啦。。。
TEM :Transmission Electron Microscopy 透射电镜
EDS:能量弥散X射线谱（Energy-dispersive X-ray spectroscopy
SEM:scanning electron microscope扫描电子显微镜
FE-SEM: Field-Emission Scanning Electron Microscope场发射扫描电子显微镜
STM:scanning tunneling microscope扫描隧道显微镜
AFM：Atomic force microscopy原子力显微镜
XRD：X-ray diffractionX射线衍射
XPS：X-ray photoelectron spectroscopyX射线光电子能谱
FT-IR：Fourier transform infrared spectroscopy 傅立叶红外光谱仪
UV-VISQ：Ultraviolet–visible spectroscopy 紫外可见吸收光谱
2、帮我翻译一下这段文字.谢谢
This article (Li2CO3) and the manganese carbonate (MnCO3) the ball burns take the co-precipitation law synthesis micron level belt lithium carbonate as the forerunner through the high temperature prepares porous spherical spinel LiMn2O4 to take the lithium ion battery the positive electrode material, simultaneously through adds the surface active agent to the forerunner the modification, the disperser porous ball becomes a nanometer granule. Using XRD, TEM and the FESEM method carries on the attribute to the proct phase and the appearance, and the discussion forms this kind of phase and the appearance mechanism.
For 450 ℃, 550 ℃ and 650 ℃ temperatures under synthesizes LiMn2O4 the micron level porous ball and a nanometer granule separately carries on the electrochemistry performance test, the circulation volt-ampere and the alternating-current impedance experiment. The test result indicated that, the proct electrochemistry performance elevates along with the temperature improves. And in detail has discussed the material impedance if between the sufficient discharge capacity relations.
3、做Fe-Al-B的三元相图在SEM电镜下打不出B怎么办
B打不出来原因有以下几点：
1、能谱峰显示的一般是质量百分比，B的原子序数很靠前，与其他相同数量的元素相比，B的峰会小很多，能谱理论检测限在0.1%wt，因此可能识别不到；
2、能谱检测结果经常会有C峰出现，C峰和B峰很接近，可能把B峰掩盖；
3、因此，B是否含有需要手动加入进行确认，这个需要慢慢摸索经验。
4、FE的英文缩写
英文缩写
FE=Front-End 前端,Front-End Development 前端开发
FE=fast ethernet，快速以太网，主流100M网络的称呼，通常说的百兆网，由1995年3月IEEE宣布标准。
FE=Fuji & Echizen，不二越，由动漫网球王子（prince of tennis）衍生的耽美同人。不二放在越前面前表明了两人的攻受关系，即不二攻越前受。
FE=favourite Ella
FE=financial engineering，金融工程
FE=field engineer, 油田服务公司中的场地工程师
FE=far east， 远东地区
FE=Facility Engineer， 设备工程师
FE=Fire Escape， 安全出口，太平门
FE=FORM E. 中国-东盟自贸区优惠关税原产地证
FE=formula electric（formula e） 电动方程式
其他缩写
FE=Fudan Enzyme，复旦酶，由复旦（Fudan）和酶（Enzyme）英文单词的第一个字母而命名，复旦大学生命科学学院研制成功的一种生物高科技物质，它能有效溶解革兰氏阳性菌，而对其它细胞壁则没有任何影响。
FE=finance and economy，财经
FE=finite element，有限元
FE=function evaluation，功能评估
FE=front end devement，前端开发
5、SEM中Ni和Al2O3区分？
10nm非常小了，一般情况下FE-SEM不会用来观测10nm左右纳米颗粒的微观结构的~还有，SEM是二次电子成像，由于二次电子的产额随原子数的变化不大，所以得到的SEM图像中Contrast不怎么明显。所以我觉得你应该用TEM来表征你做的这个样品，在TEM图像中，Ni的颜色比Al2O3的暗，如果条件允许的话，做HRTEM或者EDX就更能准备表征你样品中的黑色纳米颗粒是Ni了~~~
6、那为高手帮我下，请问FESEM这个单词是什么意思
FESEM
abbr.
field emission scanning electron microscope 场致发射扫描电子显微镜;field emission scanning electron microscopy 场致发射扫描电子显微分析法;Forcible Entry Safeguards Effectiveness Model 强制进入保障监督效用模型
7、硅片清洗技术手册（材料科学和工艺技术）
太阳能硅片表面等离子体清洗工艺
硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉。 去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所霈工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。
等离子硅片清洗条件参数：
1、硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉；所用气体选自02、Ar、N2中的任一种；气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力1040毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率250-400W，时间1-10s。
2、如1所述的等离子体清洗方法，其特征在于所用气体为02。
3、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss。
4、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，上电极功率250-400W，时闾1-5s。
5、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss
说 明 书
等离子清洗涉及刻蚀工艺领域，并且完全满足去除刻蚀工艺后硅片表面残
留颗粒的清洗。
背景技术
在刻蚀过程中，颗粒的来源很多：刻蚀用气体如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蚀性，刻蚀结束后会在硅片表面产生一定数量的颗粒；反应室的石英盖也会在等离子体的轰击作用下产生石英颗粒；反应室内的内衬( liner)也会在较长时间的刻蚀过程中产生金属颗粒。刻蚀后硅片表面残留的颗粒会阻碍导电连接，导致器件损坏。因此，在刻蚀工艺过程中对颗粒的控制很重要。
目前，常用的去除硅片表面颗粒的方法有两种：一种是标准清洗( RCA)清洗技术，另一种是用硅片清洗机进行兆声清洗。RCA清洗技术所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统。其清洗工序为：一号液( SC-1)(NH40H+H202)—，稀释的HF(DHF)(HF+H20)—，二号液( SC-2)(HCl+ H202)。其中，SC．1主要是去除颗粒沾污（粒子），也能去除部分金属杂质。去除颗粒的原理为：硅片表面由于H202氧化作用生成氧化膜（约6nm，呈亲水性），该氧化膜又被NH40H腐蚀，腐蚀后立即发生氧他，氧化和腐蚀反复进行，附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。自然氧化膜约0.6nm厚，与NH40H和H202的浓度及清洗液温度无关。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与未被氧化的金属作用生成盐，并随去离子水冲洗而被去除，被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。RCA清洗技术存在以下缺陷：需要人工操作，劳动量大，操作环境危险；工艺复杂，清洗时间长，生产效率低；清洗溶剂长期浸泡容易对硅片过腐蚀或留下水痕，影响器件性能；清洗剂和超净水消耗量大，生产成本高；去除
粒子效果较好，但去除金属杂质Al、Fe效果欠佳。
用硅片清洗机进行兆声清洗是将硅片吸附在静电卡盘( chuck)上，清洗过程中硅片不断旋转，清洗液喷淋在硅片表面。可以进行不同转速和喷淋时间的设置，连续完成多步清洗步骤。典型工艺为：兆声_氨水+双氧水（可以进行加温）_水洗_盐酸+双氧水-水洗_兆声一甩干。
用硅片清洗机进行兆声清洗的缺陷表现为：只能进行单片清洗，单片清洗时间长，导致生产效率较低；清洗剂和超净水消耗量大，生产成本高。
等离子清洗硅片表面颗粒原理：
等离子体清洗方法的原理为：依靠处于“等离子态”的物质的“活化作用，，达到去除物体表面颗粒的目的。它通常包括以下过程：a．无机气体被激发到等离子态；b．气相物质被吸附在固体表面；c．被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子；d．产物分子解析形成气相；e．反应残余物脱离表面。
等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗（purge）流程，然后进行该气体等离子体启辉。
所用工艺气体选自02、Ar、N2中的任一种。优选地，所用工艺气体选
02。
以上所述的等离子体清洗方法，氕体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，时间1-5s；启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率250-400W，时间1-10s。
优选地，气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，上电极功率250-400W，时间1.Ss。
更优选地，气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss。
等离子清洗硅片后效果：
本发明所述的去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所需工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。
附图说明
图1等离子体清洗前后的CD-SEM（关键尺寸量测仪器）图片；
其中，CD: Criticaldimension关键尺寸。
图2等离子体清洗前后的FE-SEM（场发射显微镜）图片；
其中，FE: field emission场发射。
图3等离子体清洗前后的particle（粒子）图片。
在进行完BT（break through自然氧化层去除步骤）、ME（Main Etch主刻步骤）、OE（过刻步骤）的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行02的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为15毫托，02流量为300sccm，通气时间为3s;然后，进行含有02的启辉过程：腔室压力设置为15毫托，02流量为300sccm，上RF的功率设置为300W．启辉时间为Ss。
采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。
在进行完BT、ME、OE的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行Ar的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为10毫托，Ar流量为100sccm，通气时间为Ss;然后，进行含有Ar的启辉过程：腔室压力设置为10毫托，Ar流量为100sccm，上RF的功率设置为400W，启辉时间为10s。
采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。
在进行完BT、ME、OE的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行N2的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为40毫托，N2流量为500sccm，通气时间为Ss;然后，进行含有N2的启辉过程：腔室压力设置为40毫托，N2流量为500sccm，上RF的功率设置为250W，启辉时间为10s。
采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。
南京世锋科技等离子研究中心 QQ283加588加329
8、求助：冷场扫描电镜和热场扫描电镜的区别
冷场：做完测试关灯丝，需要做Cleaning，灯丝束流亮度较低，成像质量较好，不适合做EDS。
热场：灯丝常亮，不需要清洁维护，灯丝亮度高，成像效果较好（相同等级的热场FESEM成像效果略逊色于冷场FESEM），EDS效果远优于冷场。