sem扫描电镜照片参数

1、SEM扫描电镜图怎么看，图上各参数都代表什么意思

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2、扫描电镜中的WD参数是什么意思

扫描电镜中的WD参数是工作距离，样品成像表面到物镜的距离。

介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观形貌观察手段，可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。

扫描电镜的优点是：

①有较高的放大倍数，2-20万倍之间连续可调；

②有很大的景深，视野大，成像富有立体感，可直接观察各种试样凹凸不平表面的细微结构；

③试样制备简单。 目前的扫描电镜都配有X射线能谱仪装置，这样可以同时进行显微组织形貌的观察和微区成分分析，因此它是当今十分有用的科学研究仪器。

(2)sem扫描电镜照片参数扩展资料

扫描电子显微镜的制造依据是电子与物质的相互作用。

扫描电镜从原理上讲就是利用聚焦得非常细的高能电子束在试样上扫描，激发出各种物理信息。通过对这些信息的接受、放大和显示成像，获得测试试样表面形貌的观察。

当一束极细的高能入射电子轰击扫描样品表面时，被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特征x射线和连续谱X射线、背散射电子、透射电子，以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。同时可产生电子-空穴对、晶格振动（声子)、电子振荡（等离子体）。

从数量上看，弹性背反射电子远比非弹性背反射电子所占的份额多。 背反射电子的产生范围在100nm-1mm深度。

背反射电子产额和二次电子产额与原子序数的关系背反射电子束成像分辨率一般为50-200nm（与电子束斑直径相当）。背反射电子的产额随原子序数的增加而增加，所以，利用背反射电子作为成像信号不仅能分析形貌特征，也可以用来显示原子序数衬度，定性进行成分分析。

3、扫描电镜图片如何分析

第一、扫描电镜照片是灰度图像，分为二次电子像和背散射电子像，主要用于表面微观形貌观察或者表面元素分布观察。
一般二次电子像主要反映样品表面微观形貌，基本和自然光反映的形貌一致，特殊情况需要对比分析。
背散射电子像主要反映样品表面元素分布情况，越亮的区域，原子序数越高。
第二、看表面形貌，电子成像，亮的区域高，暗的区域低。非常薄的薄膜，背散射电子会造成假像。导电性差时，电子积聚也会造成假像。

4、如何获得清晰的扫描电镜（SEM）图像

1、制样：成功制备出所要观察的位置，样品如果不导电，可能需要镀金
2、环境：电镜处在无振动干扰和无磁场干扰的环境下
3、设备：电镜电子枪仍在合理的使用时间内
4、拍摄：找到拍摄位置，选择合适距离，选择合适探头→对中→调像散→聚焦，反复操作至最清晰

5、扫描电镜SEM/EDX测试的井深是多少？

````
应该是景深吧``

焦深计算公式
L= ±[(r/M)-d]/2α 其中：
L: 焦深
r: 显像管最小分辨距离
M：放大倍数
d：入射电子束直径
2α：物镜孔径角。
从上面的式子可以看出影响焦深的因素，其中隐含了工作距离w。物镜孔径角与工作距离和入射电子束直径有关。由于r（显像管的分辨率）和2α都是未知数，实际上不能计算。焦深也只是个人的视觉感受，还是直观的测量一下为好。

又查了资料``显像管最小分辨距离为0.22mm-0.3mm, 孔径角的典型数值为10-2—10-3rad.利用公式L= ±[(r/M)-d]/2α可以计算出在有效放大倍率下的焦深数据。设d=3纳米，孔径角2α=10-2 rad，r=0.3mm。计算焦深如下：
1000倍下为59.4微米。5000倍下为11.4微米。10000倍下为5.4微米。超过100000倍已经超过了有效放大倍率。不能计算。

6、关于SEM扫描电镜的几个问题，求大神出现...

如果是即将开始学习仪器操作的管理人员，建议先系统学习理论知识，再找专业的仪器工程师培训。如果是学生，要使用电镜，从安全角度考虑，1、2、3几项通常是值机人员完成的。我可以简单的向你介绍一下：1、主要是电源，只要能正常开机，一般无问题；2、加高压前一般要达到额定真空，否则气体电离度大、损伤电子枪，但是电镜软件一般都已经设置好，不到工作真空，根本加不上去高压，所以只要能够加高压，也无其他特别的问题；做完电镜关闭高压，等30秒以上，待灯丝冷却后再放气为宜，主要也是为了保护电子枪；3、样品台有它的额定移动距离，包括平面方向和上下方向，平面方向移动到极限时会有报警提示，看到提示往回移动即可。高度方向也如此，但是要注意向上移动时，要缓慢，要防止坚硬的试样撞击上方的探测器和极靴，损坏设备；4，电子束与试样作用，可激发出多种信号，如二次电子信号（用于形貌观察），背散射电子信号（用于区分微区成分)、俄歇电子信号(用于表面元素分析）、特征X射线（用于内部元素分析）、阴极荧光（用于发光材料研究），这些信号已经被有效的加以利用，这是一门独立的学科，若需要详细了解，你需要系统地学习一下。

7、扫描电镜sem和透射电镜tem对样品有何要求

透射电镜是用高能电子束（加速电压一般在200KV以上）照射样品，透过样品的电子由于样品厚度、元素、缺陷、晶体结构等的不同，会产生不同的花样或图像衬度，由此可以推测样品的相关信息。由于电子束要能透过样品，因此样品厚度要求很薄，一般要小于100纳米。如果要做高分辨，要求更薄。