sem二次电子成像

1、求助镁合金的SEM二次电子和背散射电子像

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基

2、SEM如何利用二次电子成像

从书上查了一些内容，书的年代比较久远，可能买不到...有兴趣的话，尝试着去图书馆借一下吧。
SEM工作时，电子枪发射的入射电子束打在试样表面上，向内部穿透一定的深度，由于弹性和非弹性散射形成一个呈梨状的电子作用体积。电子与试样作用产生的物理信息，均由体积内产生。
二次电子是入射电子在试样内部穿透和散射过程中，将原子的电子轰击出原子系统而射出试样表面的电子，其中大部分属于价子激发，所以能量很小，一般小于50eV。因此二次电子探测体积较小。二次电子发射区的直径仅比束斑直径稍大一些，因而可获得较高的分辨率。
二次电子像的衬度取决于试样上某一点发射出来的二次电子数量。电子发射区越接近表面，发射出的二次电子就越多，这与入射电子束与试样表面法线的夹角有关。试样的棱边、尖峰等处产生的二次电子较多，相应的二次电子像较亮；而平台、凹坑处射出的二次电子较少，相应的二次电子像较暗。根据二次电子像的明暗衬度，即可知道试样表面凹凸不平的状况，二次电子像是试样表面的形貌放大像。
SEM内在试样的斜上方放置有探测器来接受这些电子。接受二次电子的装置简称为检测器，它是由聚焦极、加速极、闪烁体、光导管和光电倍增管组成。在闪烁体前面装一筒装电极，称为聚焦极，又称收集极。在其前端加一栅网，在聚焦极上加250-300V的正电压。二次电子被此电压吸引，然后又被带有10kV正电压的加速极加速，穿过网眼打在加速极的闪烁体上，产生光信号，经光导管输送到光电倍增管，光信号转变为电子信号。最后输送到显示系统，显示出二次电子像。

3、利用扫描电镜分析时二次电子与被散射的区别。

1、分辨率不同

二次电子的分辨率高，因而可以得到层次清晰，细节清楚的图像，被散射电子是在一个较大的作用体积内被入射电子激发出来的，成像单元较大，因而分辨率较二次电子像低。

2、运动轨迹不同

（1）被散射电子以直线逸出，因而样品背部的电子无法被检测到，成一片阴影，衬度较大，无法分析细节，但可以用来显示原子序数衬度，进行定性成分分析 。二次电子对试样表面状态非常敏感，能有效地显示试样表面的微观形貌。

（2）利用二次电子作形貌分析时，可以利用在检测器收集光栅上加上正电压来吸收较低能量的二次电子，使样品背部及凹坑等处逸出的电子以弧线状运动轨迹被吸收，因而使图像层次增加，细节清晰。

3、能量不同

（1）二次电子是指当入射电子和样品中原子的价电子发生非弹性散射作用时会损失其部分能量(约 30～50 电子伏特)，这部分能量激发核外电子脱离原子，能量大于材料逸出功的价电子可从样品表面逸出，变成真空中的自由电子。

（2）被散射电子是指被固体样品原子反射回来的一部分入射电子。既包括与样品中原子核作用而形成的弹性背散射电子，又包括与样品中核外电子作用而形成的非弹性散射电子，所以被散射电子能量较高。

(3)sem二次电子成像扩展资料：

应用范围

⑴生物：种子、花粉、细菌等

⑵医学：血球、病毒等

⑶动物：大肠、绒毛、细胞、纤维等

⑷材料：陶瓷、高分子、粉末、金属、金属夹杂物、环氧树脂等

⑸化学、物理、地质、冶金、矿物、污泥（杆菌） 、机械、电机及导电性样品，如半导体(IC、线宽量测、断面、结构观察……）电子材料等。

4、SEM背散射电子下，原子系数越大是越亮还是越暗，二次电子下是不是相反的。

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜装机的二次电子产率就很高了，所以二次电子像是跟样品观察角度有关的。