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1、2018存储行业将会有哪些变化？

无论是走过去的2017年，还是走进来的2018年，即便在目前市值1000亿美元+的存储行业将会有很多改进，但没有发现什么极具颠覆性的存储技术。

SSD

市场对SSD需求强劲。随着新晶圆厂的建立，今年的价格最终会有所下降，尤其是在中国，因此SSD将继续迅速地取代从PC和笔记本到高端存储系统中HDD的“席位”。从2D到3D NAND的巨大转变将使得所有闪存芯片制造商（英特尔/美光，力晶半导体，三星，SK海力士，东芝，西部数据/闪迪）提供更高的容量和更低廉的价格。

USB安全钥和移动电话也将受益。同样还有速度更快，搭载NVMe的PCIe接口，拥有更高的带宽和更低的延迟，将逐渐取代6Gb SATA和6Gb/12Gb SAS连接。英特尔/美光“高贵”但速度极快的XPoint/Optane将开始被采用。

HDD

HDD的存储密度很难有所提升。现在唯一的方法是在设备内部向充氦硬盘里增加更多的盘片，来达到当下3.5英寸大小14TB容量的硬盘要求，不过技术各不相同――东芝传统磁记录技术，西部数据SMR叠瓦式磁记录，下一阶段，希捷HAMR热辅助磁记录技术预计将在今年到来，然后是西部数据MAMR微波辅助磁记录技术。混合硬盘将会消失。硬盘和固态硬盘的单位容量价格将继续有利于机械硬盘，不过由于NAND芯片供应紧张的局面不再， SSD又拥有更快的速度，它们都将呈现下滑趋势。

磁带

随着LTO-8的到来，市场将不再反弹，LTO-8格式的磁带机（12TB原始容量）仅仅成为了IBM以及极少数日本墨盒制造商（也许也只有一个，富士胶片）的专有技术。

光盘存储

由于容量受限，蓝光光盘只有300GB容量，短期内的小目标是达到500GB以及突破最终的1TB规格，与LTO-8相比并不算什么，厂商数量也有限，基本上就是松下和索尼。

接口

业界将赶上PCIe/NVMe/NVMe-oF和USB Type C的潮流。拥有苹果支持的后者将凭借速度快成为所有笔记本、PC甚至智能手机的主接口。而Thunderbolt接口双向带宽达到40Gb/s。即使有32Gb/s的新速度，SAS和SATA也会像FC接口一样下滑，产品越来越少。

极具发展潜力的市场和应用

1.存储行业正在希望通过欧盟与28个国家达成一致并将在明年5月25日生效的“通用数据保护条例”来提高销售额，而且对于与欧洲机构开展业务的公司这也是很有必要的。

2.25/50/100GbE将超越10GbE获得更为广泛的采用，Mellanox IB和英特尔OmniPath连接将专用于HPC。

3.融合和超融合即使是在二级存储存储市场，也仍然是两大趋势。证明就是例如上市公司Nutanix的巨大增长。

4.全闪存阵列依然是增长型市场，作为软件定义层继续与闪存竞争。结合SSD和HDD的混合配置将受到闪存价格下降的影响。

5.传统的存储管理员将被DevOps所取代。

6.其中最有发展潜力的存储市场仍然是包括监控和后期制作在内的视频行业，因为随着图像清晰度的增加，它需要巨大的存储容量和归档功能。

7.勒索软件保护将会越来越多地增加到备份软件中。

8.2018年IDC预测物联网拥有7720亿美元市值，市场正在呈爆炸式增长，并且它需要存储。

软件定义存储（SDS）

对象存储和文件存储供应商都证实了软件定义存储的采用浪潮，2018年将继续朝着这样的方向发展，因为用户希望构建与硬件无关，能够在一个虚拟化或容器化的环境中裸机运行，或者在云上做纯软件堆栈。

数据保护

SaaS应用（如Salesforce，GSuite或Office365）的大量采用将证实了专用数据保护策略的需求。像在Hadoop和其他大数据平台上构建的MongoDB，Cassandra和其他分布式应用程序等NoSQL数据库也已经证明了它们在业务中的作用，特别是它们能够与云相结合。

云存储

IBM，甲骨文和阿里巴巴三大厂商都在积极跟进AWS，Azure和谷歌云平台。VMware和HPE已经在云计算上做出了糟糕的投注，甚至VMware最近还将其vCloud Air卖给了托管服务商OVH。通过OpenStack和Helion的复杂故事，HPE已经证明它无法构建，开发和维护一个公有云业务。随着Azure和谷歌云平台产品的不断增加，以及各自在云计算实例中的存储，S3存储将继续主导市场。我们预计，随着工作负载迁移，复制，备份或灾难恢复服务的发展，这种多云方式也将不断涌现，而且分层和归档也将使本地和云端成为一个真正的存储连续体。

人工智能和机器学习

人工智能和机器学习的相关话题将越来越多地出现在我们的生活里。在存储行业也是如此，因为许多供应商已经开始在它们的系统中添加逻辑设置来学习环境，推荐一些动作，操作任务来最终改善服务并简化用户的生活，管理，控制和操作。当然，我们将在2018年看到更多这样的好处，选择将会很艰难，不过尝试才是关键。

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2、什么是IT

IT的英文是Information Technology，即信息产业的意思，较为广泛：目前IT业的划分方法有各式各样，其中以美国商业部的定义较为清楚和合理，它将国民经济的所有行业分成IT业和非IT生产业。其中IT业又进一步划分为IT生产业和IT使用业。IT生产业包括计算机硬件业、通信设备业、软件、计算机及通信服务业。至于IT使用业几乎涉及所有的行业，其中服务业使用IT的比例更大。由此可见，IT行业不仅仅指通信业，还包括硬件和软件业，不仅仅包括制造业，还包括相关的服务业，因此通信制造业只是IT业的组成部分，而不是IT业的全部。

3、日系产品为什么 退出中国市场了？

我个人认为那些官方说法都是假的

最本质的原因一是关税限制，，，原来在日本很低的价位就能买到的手机，，拿到中国交了几倍的关税 自然贵多了 日系手机在国内基本都要卖到3000元左右吧，，，其实一样的手机在日本只要1，2万日币也就是人民币几百上千元就可以买到了。。。
还有一个原因就是科技差距： 日系手机太过于先进，，先进到他们几年前淘汰的垃圾 拿来中国还会因为网络制式太先进而不能用，，而生产那些低端的垃圾产品对于日本来说简直就是在 摔自己的脸 炸自己的招牌!!!!

再一个原因就是生活水平的差距，，，在日本，，人家是三天两头换手机，，资金回笼周转很快，，而在中国，一般人买一架手机可能好几年不换，，
而且中国人一般认为手机可以实用就好了 对于个性，细节，做工，靓屏不是太追求 而且想追求也不是有那么多钱来买的。。

4、NXP半导体 MICROCHIP ATMEL等公司的单片机产品系列,那些产品属于MCS-51单片机系列!

NXP主要是16位或者32位的ARM单片机。MICROCHIP公司只生产PIC系列或者DSPIC系列的单片机，但不是属于MCS-51体系。ATMEL公司的MCS-51体系的单片机对应是AT89C系列和AT89S系列。

至于各种单片机的特点，看下面的地址吧：
http://www.zlgmcu.com/home.asp 关于NXP单片机系列的介绍。
http://www.microchip.com/stellent/idcplg?IdcService=SS_GET_PAGE&nodeId=74 MICROCHIP公司的单片机
http://www.atmel.com/dyn/procts/devices.asp?family_id=604 ATMEL 8051系列单片机的相关文档。

5、EPSON是什么？

爱普生 是在日本上市的公司，股票代码为6724。

精工爱普生公司（Seiko Epson Corporation），成立于1942年5月，总部位于日本长野县诹访市，是日本的一家数码影像领域的全球领先企业。

爱普生集团通过富有创新和创造力的文化，提升企业价值，致力于为客户提供数码影像创新技术和解决方案。目前在全球五大洲32个国家和地区设有生产和研发机构，在57个国家和地区设有营业和服务网点。爱普生集团在全球设有94家公司，员工总数逾72,000人。2018年12月，世界品牌实验室发布《2018世界品牌500强》榜单，爱普生排名第318。

6、ups系统在什么时间在数据机房应用

在数据机房断电后的一刹那，就已经开始应用了！

UPS，即不间断电源，是将蓄电池（多为铅酸免维护蓄电池）与主机相连接，通过主机逆变器等模块电路将直流电转换成市电的系统设备。主要用于给单台计算机、计算机网络系统或其它电力电子设备如电磁阀、压力变送器等提供稳定、不间断的电力供应。当市电输入正常时，UPS 将市电稳压后供应给负载使用，此时的UPS就是一台交流市电稳压器，同时它还向机内电池充电；当市电中断（事故停电）时， UPS 立即将电池的直流电能，通过逆变零切换转换的方法向负载继续供应220V交流电，使负载维持正常工作并保护负载软、硬件不受损坏。UPS 设备通常对电压过高或电压过低都能提供保护。

7、人造钻石高调问世能否撼动天然钻石？

不能，莫桑钻已经在撼动天然钻石。

8、DDR2和DDR3内存有什么区别？

以下来自网络:
DDR2
DDR2发明与发展：
DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
[编辑本段]DDR2与DDR的区别：
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
[编辑本段]DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
采用双通道运行，速度是DDR的2倍。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。
[编辑本段]双通道内存的搭建：
需要INTEL芯片组的支持，内存的CAS延迟、容量需要相同。
不过，INTEL的弹性双通道的出现使双通道的形成条件更加宽松，不同容量的内存甚至都能组建双通道。

DDR3
概述
针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。
[编辑本段]设计
一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：
DDR3
1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ：
1.突发长度（Burst Length，BL）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
2.寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
3.DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。
在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
4.DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
5.参考电压分成两个
在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
6.点对点连接（Point-to-Point，P2P）
这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。
[编辑本段]发展
早在2002年6月28日，JEDEC就宣布开始开发DDR3内存标准，但从2006的情况来看，DDR2才刚开始普及，DDR3标准更是连影也没见到。不过目前已经有众多厂商拿出了自己的DDR3解决方案，纷纷宣布成功开发出了DDR3内存芯片，从中我们仿佛能感觉到DDR3临近的脚步。而从已经有芯片可以生产出来这一点来看，DDR3的标准设计工作也已经接近尾声。
半导体市场调查机构iSuppli预测DDR3内存将会在2008年替代DDR2成为市场上的主流产品，iSuppli认为在那个时候DDR3的市场份额将达到55%。截至2008年11月底的情况看，这个预期还是比较准确，市场上已经占据了很多运行频率为1066,1333,1600,甚至2000MHz的DDR3内存，接口类型有200和240 PIN两种。不过，就具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。
由于DDR2内存的各种不足，制约了其进一步的广泛应用，DDR3内存的出现，正是为了解决DDR2内存出现的问题，具体有：
更高的外部数据传输率
更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构
在保证性能的同时将能耗进一步降低
为了满足这些要求，DDR3内存在DDR2内存的基础上所做的主要改进包括：
8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担。
采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
[编辑本段]DDR3内存的技术改进
逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
封装（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
突发长度（BL，Burst Length）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 从环保角度去看，降低功耗对业界是有着实实在在的贡献的，全球的PC每年的耗电量相当惊人，即使是每台PC减低1W的幅度，其省电量都是非常可观的。
降低功耗
DDR3内存在达到高带宽的同时，其功耗反而可以降低，其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗，当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡，对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不但内存带宽大幅提升，功耗表现也比上代更好.
在这个冬季即将结束，三星正式推出目前世界上单颗密度最大的DDR3芯片，基于50纳米制造工艺，推单颗容量到了4GB,这个终于使得我们可以更快的跨入64位的时代，因为单根PC内存条的容量已达到了惊人的32GB。 新的芯片比先前的DDR3芯片功耗降低了40%，
其次，这也为单根32GB的内存条的上市扫清了障碍，最初面市的32GB的RDIMM内存用于服务器领域采取双面封装（每一面由4×4GDDR3芯片组成），同时会面对桌面市场提供8G的UDIMM内存提供给工作站和PC平台，以及8GB的SO-DIMM笔记本电脑内存。 新的低功耗DDR3内存设计工作电压为1.35伏，比之前1.5伏的DDR3芯片降低大约20%功耗，同时最大吞吐速度达到1.6Gbps。 另外，DDR2的价格恐怕会依然疲软，我在想我的本本是不是应该升级到DDR2 4GB了呢？而根据IDC的预测DDR3内存市场份额将从目前的29%到2011年达到72%。
与DDR2的不同之处
逻辑Bank数量，DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2GB容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。 封装（Packages），DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。 突发长度（BL，Burst Length），由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可透过A12位址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 寻址时序（Timing），就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提升。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 新增功能——重置（Reset），重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程式装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。 新增功能——ZQ校准，ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚透过一个命令集，经由片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与终结电阻器（ODT，On-Die Termination）的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相对应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。[1]

9、为什么微软要把数据中心设在水下？

是因为微软公司为了减少散热成本。大家都知道，数据中心的运转会散发大量热量，若不及时散热就就极其可能烧毁服务器。但是增加散热设备又会加大电力使用，从而增加成本，于是微软的工程师们想出了一些“奇特”的方法——将数据中心存放于水下。数据中心散热量很大，尤其是数据高峰时，会加大服务器的运行压力，同时也会加速工作，产生热量也较多，如果不能及时降温，就会有烧坏的风险。

数据中心一旦坏掉，其损失难以估量，于是人们想出很多方法为其降温，据统计数据显示，一个数据中心的成本中，电力成本就占了20%左右，而电力成本中的42%又会用来散热。因此，微软公司为了减少散热成本，便将自己的数据中心建在水底。如此以来，便节约了一部分的电力成本，也不用担心数据中心因为运转太快而出现散热不及时的情况。

另一方面，微软公司的这一行为，也符合当今的环保理念。通过利用水的自然冷却，减少对电力的依赖，也便是减少了化石能源对环境增加的负荷，毕竟现在大多数的电力供应还是以化石能源的火电为主。

微软公司表示，今后会将更多的数据中心建设在水下，并广泛进行落实。不得不说，微软真是一个非常有想法的科技创新型公司！微软能有今天的成就，离不开每一位研发人员和工作人员的辛勤付出。不过想到以后的海洋中，不仅有海底隧道，海底电缆、还会有数据中心，是不是会感觉很神奇。

10、购买笔记本电脑时应注意什么

教你如何买笔记本电脑

开机验箱的一些应该注意的地方.

1:开箱时应先检查包装箱是否开过封,连底部也要检查.如果有一边的封条看出是后来贴上去的,那这个机器肯定在之前就开过封了.有可能里面的主机之前是展示的样机或者是返修机也说不定.

2:比较主机BIOS的序列号跟外包装箱的序列号以及机器底部的序列号是否一致.一般行货的包装应该是由你自己开封的,有些机器的保修单上也贴得有机器的序列号,也要对比一下看是否一致.水货都是被打开过的,有的时候可能纸箱都不是原机的,要看bios里的序列号跟机底标签的,只要一致的话就可以了.(但因为查看BIOS里的序列号要等开机以后才行,所以

这一步购买行货的买家只要先检查机底的序列号和外包装箱的序列号以及保修单上的序列号一致就可以了!注:也有部分笔记本电脑无法在BIOS里查找序列号)

3:检查各种配件是否齐全(可用装箱单来检查配件是否齐全),配件的序列号与装箱单的是否一致,有否损坏或者使用的过的迹象.此外购机之前各位朋友最好登陆到你感兴趣的机型的官方网站查询这个型号有些什么配件.或者上网询问购买过此机型的朋友也不失为良策.

4:检查底座里的各种能够取下来的设备,如果不会的话可以让商家帮你拿下来,检查序列号是否与装箱单的一致(有些机器在包装箱上是没有序列号的).这关系到日后的保修资格,因为某些维修站只有确定了你的配件是原厂的以后才会受理你的保修的.

5:检查电池和电池插槽,如果触点有被摩擦过的痕迹可能机器已经被人使用过了,因为一般的验机是直接插电源而不会使用电池的,一般的商家在验机时也是直接插电源而不愿插上电池的.(这个在ibm和sony身上是比较多的,因为这两个品牌都在电源管理程序里能够看到电池的充放电次数,如果你在验机时查看到你的电池使用次数>2那么就有点问题了).

6:检查主机的键盘,缝隙,螺丝,这些可以帮助你判断这台机器有没有被长时间的使用过或动过手脚.当你发现键盘的键帽发亮或者螺丝有划痕的时候就得注意, 很可能你的爱机是被别人动过手脚的或者是用来展示过的.如果商家说他们在从厂家拿来的时候就验过机,也不要相信,短时间的验机不会让键盘的键帽都发亮的.

完成了上面的步骤并且一切都通过之后就可以通电试机了.

1:进入bios查看关于机器的基本信息.不同品牌的机器进入bios的方法会有不同,开机画面上一般都会有提示或者可以让商家帮你,对照机身的序列号,外包装箱的序列号与bios里的是否一致,同时可以在BIOS里对机器的大体配置有个了解.

2:看看机器的操作系统是否处在未解包状态.对于大多数预装Windows操作系统的全新笔记本电脑来说,如果没有启动过的话,一打开电源开关,BIOS 自检过后就会自动进入操作系统的注册画面,你必须输入随机提供的Windows注册号码才可以使用.不过现在也有些厂商的产品开机就已经安装好OEM版本的操作系统,只是还没有输入注册码,进入操作系统后经常会有对话框跳出来要求注册,这种情况也是正常的.如果商家给你拿出的"全新"笔记本电脑已经具有注册了的Windows操作系统而且还有很多私人安装的软件,那你可就要小心了.

3:检查液晶屏的坏点.记住这一步很重要的,因为一定数量以内的坏点都不属于质量问题,也就是说如果买机器时你不查清楚,到时候交了钱想换都没的换.把桌面的图标能删的都删掉,然后把背景色设置成各种反差比较大的颜色仔细看看,不是很赶时间的话就尽量多换几种,并且最好把液晶屏换几个不同的角度来看,因为很多坏点是在正常视角下看不到的,如果发现有不同色的或者不会变色的小亮点或者暗点就是坏点了,当然用软件测试也是不错的方法.

Ntest.exe 这个软件就可以检测液晶屏的坏点.运行这个软件后,可以让屏幕全屏切换不同的纯色,这样就可以很容易地把坏点辨认出来.此外这个软件还可以通过不同显示模式的演示来评测屏幕的显示对比度,文字锐利度,色温,摩尔偏差等各项专业指标,这个软件甚至还有音箱的左右声道测试功能.而且它只有不到600KB大小!需要的朋友可到各大软件下载网站去查找这个软件.

4:接下来就要试试光驱了.如果有软驱要一并试,可以找一张VCD播放顺带试试你机器的音箱是否正常,是否都能出声,如果是DVD光驱的朋友就直接试运行 DVD了.记得检查音箱很重要的,因为如果机器放置时间较长又没有很好的存放的话,音箱的纸盆结构可能会被损坏,导致出现破音,所以播放DVD或VCD时一定要检查音箱!

5:用拨号上网的方法试试"猫"(这个最好在商家那里做).如果有条件的话可以试试网卡.其实这个部分出硬件问题的机率不会很大,不过试试总不是坏事.如果要试网卡,需要自带直连线,用商家那里的其他机器联机实验.另外给大家IBM的查询保修截止日期的网站http://www-3.ibm.com/pc/support/site.wss/warranty/warranty.vm

这个是HP机器的查询网站http://www3.compaq.com/support/parts/

6:有兴趣+有条件的话可以当场试试机器上的各种接口和端口.比如usb,1394,红外端口以及pc卡插槽.这些东西不是说要你自己带去,最好是商家那里有.如果没有的话回家以后再试也无妨.

7:重新启动几次,看看机器是否能正常的热启动.最好接上USB鼠标试试.笔者使用的IBMR40E22C笔记本接上USB鼠标以后就不能正常的热启动了.我哭.

8:可以运行系统里的一些大的程序来粗略的测试稳定性,扫描一下硬盘看看会不会有坏道什么的,当然没有必要做的太多.

9:如果有条件的话,可以自带一些小的工具软件来测试一下机器的具体配置和各项有兴趣的指标,也可以在系统信息里查看.推荐 sisoft sandra2003 pro,它能非常全面的测试出机器的各种配置信息.当然在你没交钱之前很少有商家愿意你在里面装一大堆东西,所以

这些东西完全可以等把机器买回家以后再安装测试.

10:问问js有没有其他的赠送软件和配件.可以在此之前先自行上网查询厂家是否搞什么活动也可以询问买过此机型的网友.尤其是买水货机器的朋友,一定要向js索要中文系统的恢复盘,有条件的话,可以要几种不同系统的,比如win2000和winxp,反正不要白不要,为日后的系统升级早做打算吗!

11:剩来的就是商量尽可能多的优惠,比如叫他在赠品之外送你个鼠标或者送个U盘什么的.这些事情都得要在交钱之前做完,交了钱你就甭想了.

12:在确认这台机器让你满意之后可以打电话给此厂家的热线查询此机器是否为行货.各个大厂家的热线电话在网上,报纸上到处都是,小弟就不一一累述了.

13:在确认机器一切正常并且自己对商家的价格,优惠,赠品等等满意以后就可以交款了.还有购买行货的朋友我建议一定要开发票.即使比你知道的最低价贵两三百元也无所谓,以后要有保障点嘛.

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