1、EDS、EDX和EDXRF有什麼區別
區別如下:
1、EDX是熒光分析,EDS是能譜分析,EDXRF是能量色散型熒光X射線。
2、EDS能量色散溥儀,按能量展譜,主要器件為Li-Si半導體探測器.主要利用X光量子的能量不同來進行元素分析。
3、EDX是藉助於分析試樣發出的元素特徵X射線波長和強度實現的, 根據不同元素特徵X射線波長的不同來測定試樣所含的元素。通過對比不同元素譜線的強度可以測定試樣中元素的含量。通常EDX結合電子顯微鏡使用,可以對樣品進行微區成分分析。
EDS是多義詞,汽車製造領域是指( 電子差速鎖)英文全稱為ElectronicDifferentialSystem, 它是ABS的一種擴展功能,用於鑒別汽車的輪子是不是失去著地摩擦力,從而對汽車的打滑車輪進行控制。另有an HP company 是全球信息服務業領導者之一,以協助全球客戶提高企業的運營績效。另有EDS (能譜,Energy Dispersive Spectrometer),EDS電氣設計軟體包。另有CANopen協議描述專用電子數據表格。
EDS的工作原理比較容易理解。因為差速器允許傳動軸兩側的車輪以不同的轉速轉動,如果傳動軸某一側的車輪打滑或者懸空時,會造成另一側車輪完全沒了動力,當EDS電子差速鎖通過ABS系統的感測器,自動探測到由於車輪打滑或懸空而產生的兩側車輪轉速不同的現象時,就會通過ABS系統對打滑一側的車輪進行制動,從而使驅動力有效地作用到非打滑側的車輪,保證汽車平穩起步。當車輛的行駛狀況恢復正常後,電子差速鎖即停止作用。
當汽車驅動軸的兩個車輪分別在不同附著系數的路面起步時,例如一個驅動輪在乾燥的柏油路面上,另一個驅動輪在冰面上,EDS電子差速鎖則通過ABS系統的感測器會自動探測到左右車輪的轉動速度,當由於車輪打滑而產生兩側車輪的轉速不同時,EDS系統就會通過ABS系統對打滑一側的車輪進行制動,從而使驅動力有效地作用到非打滑側的車輪,保證汽車平穩起步。
常用的EDX探測器是硅滲鋰探測器。當特徵X射線光子進入硅滲鋰探測器後便將硅原子電離,產生若干電子-空穴對,其數量與光子的能量成正比。利用偏壓收集這些電子空穴對,經過一系列轉換器以後變成電壓脈沖供給多脈沖高度分析器,並計數能譜中每個能帶的脈沖數。
2、SEM/EDX在測表面元素的時候測得多深?拜託了各位 謝謝
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3、SEM掃描電鏡圖怎麼看,圖上各參數都代表什麼意思
1、放大率:
與普通光學顯微鏡不同,在SEM中,是通過控制掃描區域的大小來控制放大率的。如果需要更高的放大率,只需要掃描更小的一塊面積就可以了。放大率由屏幕/照片面積除以掃描面積得到。
所以,SEM中,透鏡與放大率無關。
2、場深:
在SEM中,位於焦平面上下的一小層區域內的樣品點都可以得到良好的會焦而成象。這一小層的厚度稱為場深,通常為幾納米厚,所以,SEM可以用於納米級樣品的三維成像。
3、作用體積:
電子束不僅僅與樣品表層原子發生作用,它實際上與一定厚度范圍內的樣品原子發生作用,所以存在一個作用「體積」。
4、工作距離:
工作距離指從物鏡到樣品最高點的垂直距離。
如果增加工作距離,可以在其他條件不變的情況下獲得更大的場深。如果減少工作距離,則可以在其他條件不變的情況下獲得更高的解析度。通常使用的工作距離在5毫米到10毫米之間。
5、成象:
次級電子和背散射電子可以用於成象,但後者不如前者,所以通常使用次級電子。
6、表面分析:
歐革電子、特徵X射線、背散射電子的產生過程均與樣品原子性質有關,所以可以用於成分分析。但由於電子束只能穿透樣品表面很淺的一層(參見作用體積),所以只能用於表面分析。
表面分析以特徵X射線分析最常用,所用到的探測器有兩種:能譜分析儀與波譜分析儀。前者速度快但精度不高,後者非常精確,可以檢測到「痕跡元素」的存在但耗時太長。
觀察方法:
如果圖像是規則的(具螺旋對稱的活體高分子物質或結晶),則將電鏡像放在光衍射計上可容易地觀察圖像的平行周期性。
尤其用光過濾法,即只留衍射像上有周期性的衍射斑,將其他部分遮蔽使重新衍射,則會得到背景干擾少的鮮明圖像。
(3)利用sem的edx成分分析准確度擴展資料:
SEM掃描電鏡圖的分析方法:
從干擾嚴重的電鏡照片中找出真實圖像的方法。在電鏡照片中,有時因為背景干擾嚴重,只用肉眼觀察不能判斷出目的物的圖像。
圖像與其衍射像之間存在著數學的傅立葉變換關系,所以將電鏡像用光度計掃描,使各點的濃淡數值化,將之進行傅立葉變換,便可求出衍射像〔衍射斑的強度(振幅的2乘)和其相位〕。
將其相位與從電子衍射或X射線衍射強度所得的振幅組合起來進行傅立葉變換,則會得到更鮮明的圖像。此法對屬於活體膜之一的紫膜等一些由二維結晶所成的材料特別適用。
掃描電鏡從原理上講就是利用聚焦得非常細的高能電子束在試樣上掃描,激發出各種物理信息。通過對這些信息的接受、放大和顯示成像,獲得測試試樣表面形貌的觀察。
4、關於顯微鏡的光學設計習題
一般來說,集成電路在研製、生產和使用過程中失效不可避免,隨著人們對產品質量和可靠性要求的不斷提高,失效分析工作也顯得越來越重要,通過晶元失效分析,可以幫助集成電路設計人員找到設計上的缺陷、工藝參數的不匹配或設計與操作中的不當等問題。失效分析的意義主要表現具體來說,失效分析的意義主要表現在以下幾個方面: 失效分析是確定晶元失效機理的必要手段。 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。 失效分析為設計工程師不斷改進或者修復晶元的設計,使之與設計規范更加吻合提供必要的反饋信息。 失效分析可以評估不同測試向量的有效性,為生產測試提供必要的補充,為驗證測試流程優化提供必要的信息基礎。失效分析主要步驟和內容晶元開封:去除IC封膠,同時保持晶元功能的完整無損,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受損傷,為下一步晶元失效分析實驗做准備。SEM 掃描電鏡/EDX成分分析:包括材料結構分析/缺陷觀察、元素組成常規微區分析、精確測量元器件尺寸等等。探針測試:以微探針快捷方便地獲取IC內部電信號。鐳射切割:以微激光束切斷線路或晶元上層特定區域。EMMI偵測:EMMI微光顯微鏡是一種效率極高的失效分錯析工具,提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式,可偵測和定位非常微弱的發光(可見光及近紅外光),由此捕捉各種元件缺陷或異常所產生的漏電流可見光。OBIRCH應用(鐳射光束誘發阻抗值變化測試):OBIRCH常用於晶元內部高阻抗及低阻抗分析,線路漏電路徑分析。利用OBIRCH方法,可以有效地對電路中缺陷定位,如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區等,也能有效的檢測短路或漏電,是發光顯微技術的有力補充。
LG液晶熱點偵測:利用液晶感測到IC漏電處分子排列重組,在顯微鏡下呈現出不同於其它區域的斑狀影像,找尋在實際分析中困擾設計人員的漏電區域(超過10mA之故障點)。
定點/非定點晶元研磨:移除植於液晶驅動晶元 Pad上的金凸塊, 保持Pad完好無損,以利後續分析或rebonding。
X-Ray 無損偵測:檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB製程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接,開路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。
5、哪位大神可以清楚的告訴我SEM,EDS,XRD的區別以及各自的應用
SEM,EDS,XRD的區別,SEM是掃描電鏡,EDS是掃描電鏡上配搭的一個用於微區分析成分的配件——能譜儀。能譜儀(EDS,Energy Dispersive Spectrometer)是用來對材料微區成分元素種類與含量分析,配合掃描電子顯微鏡與透射電子顯微鏡的使用。XRD是X射線衍射儀,是用於物相分析的檢測設備。
掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM,圖2-17、18、19)於20世紀60年 代問世,用來觀察標本的表面結構。其工作原理是用一束極細的電子束掃描樣品,在樣品表面激發出次級電子,次級電子的多少與電子束入射角有關,也就是說與樣 品的表面結構有關,次級電子由探測體收集,並在那裡被閃爍器轉變為光信號,再經光電倍增管和放大器轉變為電信號來控制熒光屏上電子束的強度,顯示出與電子 束同步的掃描圖像。圖像為立體形象,反映了標本的表面結構。為了使標本表面發射出次級電子,標本在固定、脫水後,要噴塗上一層重金屬微粒,重金屬在電子束 的轟擊下發出次級電子信號。 目前掃描電鏡的分辨力為6~10nm,人眼能夠區別熒光屏上兩個相距0.2mm的光點,則掃描電鏡的最大有效放大倍率為0.2mm/10nm=20000X。
EDS的原理是各種元素具有自己的X射線特徵波長,特徵波長的大小則取決於能級躍遷過程中釋放出的特徵能量△E,能譜儀就是利用不同元素X射線光子特徵能量不同這一特點來進行成分分析的。使用范圍:
1、高分子、陶瓷、混凝土、生物、礦物、纖維等無機或有機固體材料分析;
2、金屬材料的相分析、成分分析和夾雜物形態成分的鑒定;
3、可對固體材料的表面塗層、鍍層進行分析,如:金屬化膜表面鍍層的檢測;
4、金銀飾品、寶石首飾的鑒別,考古和文物鑒定,以及刑偵鑒定等領域;
5、進行材料表面微區成分的定性和定量分析,在材料表面做元素的面、線、點分布分析。
X射線衍射儀是利用衍射原理,精確測定物質的晶體結構,織構及應力,精確的進行物相分析,定性分析,定量分析。廣泛應用於冶金、石油、化工、科研、航空航天、教學、材料生產等領域。
6、如何才能試出金屬
1.顏色反應:不同金屬被火燒後顏色不一樣;
2.與化學試劑反應:不同金屬有不同化學性質,對比幾個金屬的化學性質之後就能知道是什麼金屬。
基本上這兩個比較常用,尤其是第二個。
7、掃描電鏡
掃描電子顯微鏡(SEM)是1965年以後才迅速發展起來的新型電子儀器。其主要特點可歸納為:①儀器解析度高;②儀器的放大倍數范圍大,一般可達15~180000倍,並在此范圍內連續可調;③圖像景深大,富有立體感;④樣品制備簡單,可不破壞樣品;⑤在SEM上裝上必要的專用附件——能譜儀(EDX),以實現一機多用,在觀察形貌像的同時,還可對樣品的微區進行成分分析。
一、掃描電子顯微鏡(SEM)的基本結構及原理
掃描電鏡基本上是由電子光學系統、信號接收處理顯示系統、供電系統、真空系統等四部分組成。圖13-2-1是它的前兩部分結構原理方框圖。電子光學部分只有起聚焦作用的匯聚透鏡,它們的作用是用信號收受處理顯示系統來完成的。
圖13-2-1 SEM的基本結構示意圖
在掃描電鏡中,電子槍發射出來的電子束,經3個電磁透鏡聚焦,成直徑為20 μm~25 Å的電子束。置於末級透鏡上部的掃描線圈能使電子束在試樣表面上做光柵狀掃描。試樣在電子束作用下,激發出各種信號,信號的強度取決於試樣表面的形貌、受激區域的成分和晶體取向。試樣附近的探測器把激發出的電子信號接受下來,經信號處理放大系統後,輸送到陰極射線管(顯像管)的柵極以調制顯像管的亮度。由於顯像管中的電子束和鏡筒中的電子束是同步掃描的,顯像管亮度是由試樣激發出的電子信號強度來調制的,由試樣表面任一點所收集來的信號強度與顯像管屏上相應點亮度一一對應,因此試樣狀態不同,相應的亮度也必然不同。由此,得到的像一定是試樣形貌的反映。若在試樣斜上方安置的波譜儀和能譜儀,收集特徵X射線的波長和能量,則可做成分分析。
值得注意的是,入射電子束在試樣表面上是逐點掃描的,像是逐點記錄的,因此試樣各點所激發出來的各種信號都可選錄出來,並可同時在相鄰的幾個顯像管上或X—Y記錄儀上顯示出來,這給試樣綜合分析帶來極大的方便。
二、高能電子束與樣品的相互作用
並從樣品中激發出各種信息。對於寶石工作者,最常用的是二次電子、背散射電子和特徵X射線。上述信息產生的機理各異,採用不同的檢測器,選擇性地接收某一信息就能對樣品進行成分分析(特徵X射線)或形貌觀察(二次電子和背散射電子)。這些信息主要有以下的特徵:
1.二次電子(SE)
從距樣品表面100 Å左右的深度范圍內激發的低能量電子(一般為0~50 eV左右)發生非彈性碰撞。二次電子像是SEM中應用最廣、解析度最高的一種圖像,成像原理亦有一定的代表性。高能入射電子束(一般為10~35 keV)由掃描線圈磁場的控制,在樣品表面上按一定的時間、空間順序作光柵式掃描,而從試樣中激發出二次電子。被激發出的二次電子經二次電子收集極、閃爍體、光導管、光電倍增管以及視頻放大器,放大成足夠強的電信號,用以調制顯像管的亮度。由於入射電子束在樣品上的掃描和顯像管的電子束在熒光屏上的掃描用同一個掃描發生器調制,這就保證了樣品上任一物點與熒光屏上任一「像點」在時間與空間上一一對應;同時,二次電子激發量隨試樣表面凹凸程度的變化而變化,所以,顯像管熒光屏上顯現的是一幅明暗程度不同的反映樣品表面形貌的二次電子像。由於二次電子具有低的能量,為了收集到足夠強的信息,二次電子檢測器的收集必須處於正電位(一般為+250 V ),在這個正電位的作用下,試樣表面向各個方向發射的二次電子都被拉向收集極(圖13-2-2a),這就使二次電子像成為無影像,觀察起來更真實、更直觀、更有立體感。
2.背散射電子(BE)
從距樣品表面0.1~1 μm的深度范圍內散射回來的入射電子,其能量近似等於原入射電子的能量發生彈性碰撞。背散射電子像的成像過程幾乎與二次電子像相同,只不過是採用不同的探測器接收不同的信息而已,如圖13-2-2所示。
圖13-2-2 二次電子圖像和背散射電子圖像的照明效果
(據S.Kimoto,1972)
a:二次電子檢測方法;a′:二次電子圖像的照明效果;b:背散射電子檢測方法;b′:背散射電子圖像的照明效果
3.特徵X射線
樣品中被激發了的元素特徵X射線釋放出來(發射深度在0.5~5μm范圍內)。而要對樣品進行微區的元素的成分分析,則需藉助於被激發的特徵X射線。這就是通常所謂的「電子探針分析」,又通常把測定特徵X射線波長的方法叫波長色散法(WDS);測定特徵X射線能量的方法叫能量色散法(EDS)。掃描電子顯微鏡除了可運用於寶玉石的表面形貌外,它經常帶能譜(EDS)做成分分析。EDS主要是由高效率的鋰漂移硅半導體探測器、放大器、多道脈沖高度分析器和記錄系統組成。樣品被激發的特徵X射線,入射至鋰漂移硅半導體探測器中,使之產生電子—空穴對,然後轉換成電流脈沖,放大,經多道脈沖高度分析器按能量高低將這些脈沖分離,由這些脈沖所處的能量位置,可知試樣所含的元素的種類,由具有相應能量的脈沖數量可知該元素的相對含量。利用此方法很容易確定寶石礦物的成分。
掃描電鏡若帶有能譜(EDS)則不但可以不破壞樣品可運用於做寶玉石形貌像,而且還能快速做成分分析(如圖13-2-3,廖尚儀,2001)。因此它是鑒定和區別相似寶玉石礦物的好方法,如紅色的鎂鋁榴石,紅寶石、紅尖晶石、紅碧璽等,因為它們的成分不同,其能譜(EDS)圖也就有較大的區別。波譜(WDS)定量分析比能譜(EDS)定量分析精確,但EDS分析速度快。
圖13-2-3 藍色鉀-鈉閃石的能譜圖
三、SEM的微形貌觀察
1.樣品制備
如果選用粉狀樣,需要事先選擇好試樣台。如果是塊狀樣,最大直徑一般不超過15mm。如果單為觀察形貌像,直徑稍大一些(39mm)仍可以使用,但試樣必須導電。如果是非導電體試樣,必須在試樣表面覆蓋一層約200 Å厚度的碳或150 Å的金。
2.SEM形貌像的獲得
圖13-2-4 掃描電子顯微鏡下石英(a)和藍色閃石玉(b)的二次電子像
觀察試樣的形貌,常用二次電子像或背散射電子像。圖13-2-4是石英(a)和藍色閃石玉(鉀-鈉閃石b)的二次電子像。同時由於二次電子像具有較高的解析度和較高的放大倍數,因此,比背散射電子像更為常用。而成分分析則常採用背散射電子像。