SEM和EBSD區別

1、什麼是EBSD技術？

EBSD是一種「結晶學」分析系統。
1996年美國TSL(TexSemLaboratories,Inc.)公司推出了TSLOIM系統，空間分辨本領已優於0.2μm，比原理相似的電子通道圖樣(ECP)提高了一個量級，在0.4秒鍾內即能完成一張衍射圖樣的自動定標工作。英國牛津集團顯微分析儀器Link-OPAL公司的EBSD結晶學分析系統，目前已用於Si片上Al連線的取向分析，以判斷其質量的優劣及可行性。
以背散射電子衍射圖樣(EBSP)為基礎的晶體學取向成像電子顯微術(OIM)。在SEM上增加一個可將試樣傾動約70度的裝置，CCD探測器和數據處理計算機系統，掃描並接收記錄塊狀試樣表面的背散射電子衍射花樣(背散射菊池花樣)，按試樣各部分不同的晶體取向分類成像來獲得有關晶體結構的信息，可顯示晶粒組織、晶界和裂紋等，也可用於測定織構和晶體取向。可望發展成SEM的一個標准附件。

2、掃描電鏡（SEM）能測出晶型嗎

理論上單純用SEM不能測出晶型，測晶型一般用XRD等儀器。掃描電鏡只能觀察形貌，解析度可達亞微米級別。
不過對於特定的樣品，如果具有明確的晶型，藉助SEM形貌有可能分析出晶型（比如一種物質只有區別明顯的兩種晶型，藉助確定的形貌可以推斷是那種晶型）。另外，SEM通過加裝EBSD附件，通過觀察也有可能觀察晶型

3、EBSD快速掃描的尺寸范圍

樣品台移動EBSD掃描模式可以做大范圍織構檢測，具體尺寸受電鏡樣品台本身可移動的范圍。雖然EBSD可以通過樣品台移動掃描模式或者電子束掃描模式多圖掃描後拼圖來低倍檢測較大范圍的織構，但自己嘗試過多次，效果不是很好。EBSD優點是做微區的晶體織構分析，宏觀織構測定優選XRD（比EBSD准確，制樣簡單，費用低）。
總體來說由於做EBSD樣品需要傾斜70°，樣品過大過重，高倍長時間掃描時容易發生飄逸，所以EBSD樣品小點好。
上述為個人觀點，希望對你有幫助。

4、SEM-EBSP和SEM-ECC是什麼技術？

SEM 掃描電子顯微鏡
EBSD 電子背散射衍射
EBSP 電子背散射衍射花樣
ECC 電子通道襯度

5、掃描電鏡和ebsd的區別

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6、EBSD分析（electron backscatter diffraction）是指？

EBSD即電子背散射衍射。EBSD的原理始於20世紀50年代，技術問世於80年代。EBSD是掃描電子顯微鏡（SEM）的一個標准分析附件，但大大拓寬了掃描電子顯微鏡進行微觀分析的功能。它可以與SEM的其他功能（包括EDS等配件）結合起來，原位成像、成分分析、大樣品分析、粗糙表面成像等，克服了傳統分析方法中的一些缺陷。

EBSD系統主要由背散射探測器、高靈敏度CCD數字照相機、圖像採集卡、計算機分析軟體及資料庫等組成（圖7-2）。探測器用於獲取樣品中激發出的背散射電子信號；高靈敏度CCD數字照相機獲得electron backscat-ter pattern圖像後，經過圖像採集卡輸送到計算機系統。計算機自動對於採集的圖像進行識別和標定，同時與標准資料庫進行比對，進而獲得晶體顆粒的結晶學信息。

EBSD系統把顯微構造與晶格結構（或結晶學）直接聯系起來；測定優勢定向顆粒群中單個晶體顆粒的定向；標定晶體顆粒的基本幾何屬性參數；獲取超微尺度上晶體界面屬性在內的晶體空間要素的大量信息等。目前EBSD已經成為一種非常成熟的技術，並在材料科學、地質學、冶金學、考古學等領域得到了廣泛的應用。尤其是在材料科學中，已經成為物質材料顯微組構、構造標定和研究的一種常規手段。

EBSD技術的發展和應用，也為岩石超微構造分析與研究拓展了新的空間。自90年代中期EBSD技術引入變形岩石顯微構造與結構分析研究中以來，不少學者對於具有特殊性（即非導電性和晶體結構非對稱性）的岩石樣品開展了初步研究工作。在岩石顯微構造研究中，通過EBSD可以快速獲取海量數據，使得研究極細粒物質（微米-納米級）的定向組構成為可能，確定二軸晶礦物的結晶學組構（如角閃石）更簡便；也為獲得快速准確地確定金屬礦物和不透明礦物及等軸晶系均質體礦物（如石榴子石）的結晶學組構提供了技術支撐；更可以開展岩石顯微構造、礦物塑性變形機制；礦物相鑒定、礦物相變、晶粒尺寸測量、超微域內的應變估算、礦物晶格優選方位（LPO）與地震波各向異性的關系研究等；並通過岩石微觀和超微觀構造，反演和示蹤地球動力學過程的信息等等。

總之，EBSD技術的廣泛應用，必將帶來岩石顯微構造分析與研究的新突破，也將成為未來一個時期岩石變形機制與岩石圈流變學研究取得飛速發展的催化劑。

EBSD制樣：EBSD分析對於樣品表面的拋光度要求較高，有不同的製作方法，包括機械拋光、電解拋光、離子束拋光和聚焦離子束（FIB，focused ion beam）切割。下面簡單介紹最常使用的機械拋光方法。

機械拋光過程的主要目的，在於將樣品制備初期階段磨製過程中在樣品表面形成的幾個納米厚的變形層去除，以使得背散射電子信號有效地反映晶體內部結構特徵。樣品制備包括兩個階段，即磨製階段和拋光階段：

（1）磨片：將擬觀察分析的樣品製作成普通光片或光薄片，最好用較細的金剛砂磨製薄片；（2）拋光：依次使用9μm、6μm、3μm金剛石溶液、1μm alpha氧化鋁或0.3μmalpha氧化鋁和0.05μm或0.02μm硅膠/氧化鋁拋光液或拋光膏進行拋光。

對於不導電的非金屬樣品，還需要在樣品表面噴碳或鍍金，以便於觀察和獲取更好的信號。值得注意的是，由於背散射電子獲取的信號是樣品表面10nm以內的晶體結構信息，樣品噴鍍的厚度需要嚴格掌握。