xrd和sem的區別

1、XRD 和SEM的結果問什麼不一致

XRD一般用來鑒定物相，對於一些常見的復合礦物或者黏土礦物可以做一些定量分析。而SEM只是看錶面形貌，這二者沒什麼關聯的，有需要的話可以私信我，具體再看。

2、SEM和TEM區別

SEM，全稱為掃描電子顯微鏡，又稱掃描電鏡，英文名Scanning
Electronic
Microscopy.
TEM，全稱為透射電子顯微鏡，又稱透射電鏡，英文名Transmission
Electron
Microscope.
區別：
1.
SEM的樣品中被激發出來的二次電子和背散射電子被收集而成像.
TEM可以表徵樣品的質厚襯度，也可以表徵樣品的內部晶格結構。TEM的解析度比SEM要高一些。
2.
SEM樣品要求不算嚴苛，而TEM樣品觀察的部分必須減薄到100nm厚度以下，一般做成直徑3mm的片，然後去做離子減薄，或雙噴（或者有厚度為20~40μm或者更少的薄區要求）。
3.
TEM可以標定晶格常數，從而確定物相結構；SEM主要可以標定某一處的元素含量，但無法准確測定結構。

3、xrd sem表徵差異

簡單的講，SEM是用來觀察材料表面形貌的，XRD是用來檢測材料晶體結構的，使用完全不同的儀器。具體說明如下：

SEM

是scanning electron microscope的縮寫，指掃描電子顯微鏡是一種常用的材料分析手段。
掃描電子顯微鏡於20世紀60年代問世，用來觀察標本的表面結構。其工作原理是用一束極細的電子束掃描樣品，在樣品表面激發出次級電子，次級電子的多少與電子束入射角有關，也就是說與樣品的表面結構有關，次級電子由探測體收集，並在那裡被閃爍器轉變為光信號，再經光電倍增管和放大器轉變為電信號來控制熒光屏上電子束的強度，顯示出與電子束同步的掃描圖像。圖像為立體形象，反映了標本的表面結構。為了使標本表面發射出次級電子，標本在固定、脫水後，要噴塗上一層重金屬微粒，重金屬在電子束的轟擊下發出次級電子信號。
目前掃描電鏡的分辨力為6~10nm，人眼能夠區別熒光屏上兩個相距0.2mm的光點，則掃描電鏡的最大有效放大倍率為0.2mm/10nm=20000X。
它是依據電子與物質的相互作用。當一束高能的人射電子轟擊物質表面時，被激發的區域將產生二次電子、俄歇電子、特徵x射線和連續譜X射線、背散射電子、透射電子，以及在可見、紫外、紅外光區域產生的電磁輻射。同時，也可產生電子-空穴對、晶格振動（聲子）、電子振盪（等離子體）。原則上講，利用電子和物質的相互作用，可以獲取被測樣品本身的各種物理、化學性質的信息，如形貌、組成、晶體結構、電子結構和內部電場或磁場等等。掃描電子顯微鏡正是根據上述不同信息產生的機理，採用不同的信息檢測器，使選擇檢測得以實現。如對二次電子、背散射電子的採集，可得到有關物質微觀形貌的信息；對x射線的採集，可得到物質化學成分的信息。正因如此，根據不同需求，可製造出功能配置不同的掃描電子顯微鏡。

XRD
即X-ray diffraction ，X射線衍射，通關對材料進行X射線衍射，分析其衍射圖譜，獲得材料的成分、材料內部原子或分子的結構或形態等信息的研究手段。
X射線是一種波長很短(約為20～0.06┱)的電磁波，能穿透一定厚度的物質，並能使熒光物質發光、照相乳膠感光、氣體電離。在用電子束轟擊金屬「靶」產生的X射線中,包含與靶中各種元素對應的具有特定波長的X射線，稱為特徵（或標識）X射線。考慮到X射線的波長和晶體內部原子間的距離(10-8nm)相近，1912年德國物理學家勞厄(M.von Laue)提出一個重要的科學預見：晶體可以作為X射線的空間衍射光柵,即當一束 X射線通過晶體時將發生衍射，衍射波疊加的結果使射線的強度在某些方向上加強，在其他方向上減弱。分析在照相底片上得到的衍射花樣，便可確定晶體結構。這一預見隨即為實驗所驗證。1913年英國物理學家布喇格父子(W.H.Bragg,W.L.Bragg)在勞厄發現的基礎上,不僅成功地測定了NaCl、KCl等的晶體結構,並提出了作為晶體衍射基礎的著名公式——布喇格定律：
2d sinθ=nλ
式中λ為X射線的波長，n為任何正整數，又稱衍射級數。其上限為以下條件來表示：
nmax=2dh0k0l0/λ，
dh0k0l0<λ/2
只有那些間距大於波長一半的面族才可能給出衍射，以此求納米粒子的形貌。
當X射線以掠角θ(入射角的餘角)入射到某一點陣平面間距為d的原子面上時,在符合上式的條件下，將在反射方向上得到因疊加而加強的衍射線。布喇格定律簡潔直觀地表達了衍射所必須滿足的條件。當 X射線波長λ已知時(選用固定波長的特徵X射線)，採用細粉末或細粒多晶體的線狀樣品,可從一堆任意取向的晶體中，從每一θ角符合布喇格條件的反射面得到反射,測出θ後，利用布喇格公式即可確定點陣平面間距、晶胞大小和類型;根據衍射線的強度,還可進一步確定晶胞內原子的排布。這便是X射線結構分析中的粉末法或德拜-謝樂(Debye—Scherrer)法的理論基礎。而在測定單晶取向的勞厄法中，所用單晶樣品保持固定不變動（即θ不變）,以輻射束的波長作為變數來保證晶體中一切晶面都滿足布喇格條件,故選用連續X射線束。如果利用結構已知的晶體，則在測定出衍射線的方向θ後,便可計算X射線的波長，從而判定產生特徵X射線的元素。這便是X射線譜術,可用於分析金屬和合金的成分。
X射線衍射現象發現後，很快被用於研究金屬和合金的晶體結構，出現了許多具有重大意義的結果。如韋斯特格倫（A.Westgren）(1922年)證明α、β和δ鐵都是體心立方結構，β-Fe並不是一種新相;而鐵中的α—→γ轉變實質上是由體心立方晶體轉變為面心立方晶體，從而最終否定了β-Fe硬化理論。隨後,在用X射線測定眾多金屬和合金的晶體結構的同時，在相圖測定以及在固態相變和范性形變研究等領域中均取得了豐碩的成果。如對超點陣結構的發現，推動了對合金中有序無序轉變的研究，對馬氏體相變晶體學的測定，確定了馬氏體和奧氏體的取向關系；對鋁銅合金脫溶的研究等等。目前 X射線衍射(包括散射)已經成為研究晶體物質和某些非晶態物質微觀結構的有效方法。在金屬中的主要應用有以下方面：
物相分析 是 X射線衍射在金屬中用得最多的方面，分定性分析和定量分析。前者把對材料測得的點陣平面間距及衍射強度與標准物相的衍射數據相比較，確定材料中存在的物相；後者則根據衍射花樣的強度，確定材料中各相的含量。在研究性能和各相含量的關系和檢查材料的成分配比及隨後的處理規程是否合理等方面都得到廣泛應用。
精密測定點陣參數 常用於相圖的固態溶解度曲線的測定。溶解度的變化往往引起點陣常數的變化；當達到溶解限後，溶質的繼續增加引起新相的析出，不再引起點陣常數的變化。這個轉折點即為溶解限。另外點陣常數的精密測定可得到單位晶胞原子數，從而確定固溶體類型；還可以計算出密度、膨脹系數等有用的物理常數。
取向分析 包括測定單晶取向和多晶的結構（見擇優取向）。測定硅鋼片的取向就是一例。另外，為研究金屬的范性形變過程，如孿生、滑移、滑移面的轉動等，也與取向的測定有關。
晶粒（嵌鑲塊）大小和微觀應力的測定 由衍射花樣的形狀和強度可計算晶粒和微應力的大小。在形變和熱處理過程中這兩者有明顯變化，它直接影響材料的性能。
宏觀應力的測定 宏觀殘留應力的方向和大小，直接影響機器零件的使用壽命。利用測量點陣平面在不同方向上的間距的變化，可計算出殘留應力的大小和方向。
對晶體結構不完整性的研究 包括對層錯、位錯、原子靜態或動態地偏離平衡位置，短程有序，原子偏聚等方面的研究（見晶體缺陷）。
合金相變 包括脫溶、有序無序轉變、母相新相的晶體學關系，等等。
結構分析 對新發現的合金相進行測定，確定點陣類型、點陣參數、對稱性、原子位置等晶體學數據。
液態金屬和非晶態金屬 研究非晶態金屬和液態金屬結構，如測定近程序參量、配位數等。
特殊狀態下的分析 在高溫、低溫和瞬時的動態分析。
此外，小角度散射用於研究電子濃度不均勻區的形狀和大小,X射線形貌術用於研究近完整晶體中的缺陷如位錯線等，也得到了重視。
X射線分析的新發展：金屬X射線分析由於設備和技術的普及已逐步變成金屬研究和材料測試的常規方法。早期多用照相法，這種方法費時較長，強度測量的精確度低。50年代初問世的計數器衍射儀法具有快速、強度測量准確，並可配備計算機控制等優點，已經得到廣泛的應用。但使用單色器的照相法在微量樣品和探索未知新相的分析中仍有自己的特色。從70年代以來，隨著高強度X射線源（包括超高強度的旋轉陽極X射線發生器、電子同步加速輻射,高壓脈沖X射線源）和高靈敏度探測器的出現以及電子計算機分析的應用，使金屬 X射線學獲得新的推動力。這些新技術的結合，不僅大大加快分析速度，提高精度，而且可以進行瞬時的動態觀察以及對更為微弱或精細效應的研究。
X射線衍射儀是利用衍射原理,精確測定物質的晶體結構,織構及應力,精確的進行物相分析,定性分析,定量分析.廣泛應用於冶金,石油,化工,科研,航空航天,教學,材料生產等領域.
X射線是波長介於紫外線和γ射線間的電磁輻射。X射線管是具有陰極和陽極的真空管，陰極用鎢絲製成，通電後可發射熱電子，陽極（就稱靶極）用高熔點金屬製成（一般用鎢，用於晶體結構分析的X射線管還可用鐵、銅、鎳等材料）。用幾萬伏至幾十萬伏的高壓加速電子，電子束轟擊靶極，X射線從靶極發出。電子轟擊靶極時會產生高溫，故靶極必須用水冷卻。
XRDX-射線衍射（Wide Angle X-ray Diffraction）主要是對照標准譜圖分析納米粒子的組成，分析粒徑，結晶度等。
應用時應先對所制樣品的成分進行確認。在確定後，查閱相關手冊標准圖譜，以確定所制樣品是否為所得。

4、SD與SEM有區別嗎

SD：標准差（Standard Deviation） ，中文環境中又常稱均方差，但不同於均方誤差（mean squared error，均方誤差是各數據偏離真實值的距離平方的平均數，也即誤差平方和的平均數，計算公式形式上接近方差，它的開方叫均方根誤差，均方根誤差才和標准差形式上接近），標准差是離均差平方和平均後的方根，用σ表示。標准差是方差的算術平方根。標准差能反映一個數據集的離散程度。平均數相同的，標准差未必相同。

標准差（Standard Deviation），在概率統計中最常使用作為統計分布程度（statistical dispersion）上的測量。標准差定義是總體各單位標准值與其平均數離差平方的算術平均數的平方根。它反映組內個體間的離散程度。

假設有一組數值X1,X2,X3,......XN（皆為實數），其平均值（算術平均值）為μ，

標准差也被稱為標准偏差，或者實驗標准差，公式為

sem（標准誤）

英文：Standard Error of Mean

標准誤，即樣本均數的標准差，是描述均數抽樣分布的離散程度及衡量均數抽樣誤差大小的尺度，反映的是樣本均數之間的變異。標准誤不是標准差，是多個樣本平均數的標准差。

標准誤用來衡量抽樣誤差。標准誤越小，表明樣本統計量與總體參數的值越接近，樣本對總體越有代表性，用樣本統計量推斷總體參數的可靠度越大。因此，標准誤是統計推斷可靠性的指標。

標准差與標准誤都是數理統計學的內容，兩者不但在字面上比較相近，而且兩者都是表示距離某一個標准值或中間值的離散程度，即都表示變異程度，但是兩者是有著較大的區別的。

首先要從統計抽樣的方面說起。現實生活或者調查研究中，我們常常無法對某類欲進行調查的目標群體的所有成員都加以施測，而只能夠在所有成員（即樣本）中抽取一些成員出來進行調查，然後利用統計原理和方法對所得數據進行分析，分析出來的數據結果就是樣本的結果，然後用樣本結果推斷總體的情況。一個總體可以抽取出多個樣本，所抽取的樣本越多，其樣本均值就越接近總體數據的平均值。

標准差：表示的就是樣本數據的離散程度。標准差就是樣本平均數方差的開平方，標准差通常是相對於樣本數據的平均值而定的，通常用M±SD來表示，表示樣本某個數據觀察值相距平均值有多遠。從這里可以看到，標准差受到極值的影響。標准差越小，表明數據越聚集；標准差越大，表明數據越離散。標准差的大小因測驗而定，如果一個測驗是學術測驗，標准差大，表示學生分數的離散程度大，更能夠測量出學生的學業水平；如果一個測驗測量的是某種心理品質，標准差小，表明所編寫的題目是同質的，這時候的標准差小的更好。標准差與正態分布有密切聯系：在正態分布中，1個標准差等於正態分布下曲線的68.26%的面積，1.96個標准差等於95%的面積。這在測驗分數等值上有重要作用。

標准誤：表示的是抽樣的誤差。因為從一個總體中可以抽取出無數多種樣本，每一個樣本的數據都是對總體的數據的估計。標准誤代表的就是當前的樣本對總體數據的估計，標准誤代表的就是樣本均數與總體均數的相對誤差。標准誤是由樣本的標准差除以樣本容量的開平方來計算的。從這里可以看到，標准誤更大的是受到樣本容量的影響。樣本容量越大，標准誤越小，那麼抽樣誤差就越小，就表明所抽取的樣本能夠較好地代表總體。

5、XRD和SEM聯合分析作用是什麼？

如果聯行分析他們不起作用的話，可以把聯合放血拆解成分析的一些階段。

6、哪位大神可以清楚的告訴我SEM，EDS，XRD的區別以及各自的應用

SEM，EDS，XRD的區別，SEM是掃描電鏡，EDS是掃描電鏡上配搭的一個用於微區分析成分的配件——能譜儀。能譜儀(EDS,Energy Dispersive Spectrometer)是用來對材料微區成分元素種類與含量分析，配合掃描電子顯微鏡與透射電子顯微鏡的使用。XRD是X射線衍射儀，是用於物相分析的檢測設備。
掃描電子顯微鏡（scanning electron microscope，SEM，圖2-17、18、19）於20世紀60年 代問世，用來觀察標本的表面結構。其工作原理是用一束極細的電子束掃描樣品，在樣品表面激發出次級電子，次級電子的多少與電子束入射角有關，也就是說與樣 品的表面結構有關，次級電子由探測體收集，並在那裡被閃爍器轉變為光信號，再經光電倍增管和放大器轉變為電信號來控制熒光屏上電子束的強度，顯示出與電子 束同步的掃描圖像。圖像為立體形象，反映了標本的表面結構。為了使標本表面發射出次級電子，標本在固定、脫水後，要噴塗上一層重金屬微粒，重金屬在電子束 的轟擊下發出次級電子信號。 目前掃描電鏡的分辨力為6~10nm，人眼能夠區別熒光屏上兩個相距0.2mm的光點，則掃描電鏡的最大有效放大倍率為0.2mm/10nm=20000X。
EDS的原理是各種元素具有自己的X射線特徵波長，特徵波長的大小則取決於能級躍遷過程中釋放出的特徵能量△E，能譜儀就是利用不同元素X射線光子特徵能量不同這一特點來進行成分分析的。使用范圍：
1、高分子、陶瓷、混凝土、生物、礦物、纖維等無機或有機固體材料分析；
2、金屬材料的相分析、成分分析和夾雜物形態成分的鑒定；
3、可對固體材料的表面塗層、鍍層進行分析，如：金屬化膜表面鍍層的檢測；
4、金銀飾品、寶石首飾的鑒別，考古和文物鑒定，以及刑偵鑒定等領域；
5、進行材料表面微區成分的定性和定量分析，在材料表面做元素的面、線、點分布分析。
X射線衍射儀是利用衍射原理，精確測定物質的晶體結構,織構及應力,精確的進行物相分析，定性分析，定量分析。廣泛應用於冶金、石油、化工、科研、航空航天、教學、材料生產等領域。

7、SEM、TEM、XRD原理及區別

x

8、XRD與EDS有什麼區別？求大神

SEM，EDS，XRD的區別，SEM是掃描電鏡，EDS是掃描電鏡上配搭的一個用於微區分析成分的配件——能譜儀，是用來對材料微區成分元素種類與含量分析，配合掃描電子顯微鏡與透射電子顯微鏡的使用。XRD是X射線衍射儀，是用於物相分析的檢測設備。
SEM用於觀察標本的表面結構，其工作原理是用一束極細的電子束掃描樣品，在樣品表面激發出次級電子，次級電子的多少與電子束入射角有關，也就是說與樣 品的表面結構有關，次級電子由探測體收集，並在那裡被閃爍器轉變為光信號，再經光電倍增管和放大器轉變為電信號來控制熒光屏上電子束的強度，顯示出與電子束同步的掃描圖像。圖像為立體形象，反映了標本的表面結構。
EDS的原理是各種元素具有自己的X射線特徵波長，特徵波長的大小則取決於能級躍遷過程中釋放出的特徵能量△E，能譜儀就是利用不同元素X射線光子特徵能量不同這一特點來進行成分分析的。
XRD是利用衍射原理，精確測定物質的晶體結構,織構及應力,精確的進行物相分析，定性分析，定量分析。
說簡單點，SEM是用來看微觀形貌的，觀察表面的形態、斷口、微裂紋等等；EDS則是檢測元素及其分布，但是H元素不能檢測；XRD觀察的是組織結構，可以測各個相的比例、晶體結構等。

9、SEM、TEM、TG、XRD、AFM、紅外光譜，這幾個分別是測什麼的？

測什麼百度一下吧，應該都有詳細的測試原理及項目。

區別應該是 SEM和TEM和AFM，越來越高級，放大倍數越來越高。XRD和紅外光譜這兩個是沒什麼關系的，xrd是測試晶體結構的，可以測試晶體結構的，對於可以看出你的材料是什麼。紅外是靠紅外吸收峰的位置與強度反映了分子結構上的特點，可以用來鑒別未知液態水的紅外光譜物的結構組成或確定其化學基團；而吸收譜帶的吸收強度與化學基團的含量有關，可用於進行定量分析和純度鑒定。l紅外主要用於有機化合物的結構鑒定在有機化學、生物化學、葯物學、環境科學等許多領域。

10、SEM和XRD的聯合分析作用是什麼?

這個SEM和xrd，他們的聯系和分析也是沒什麼大作用的