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1、磁體可否做掃描電鏡？

會有影響，最好退磁後觀察。如果不退磁，需要測量磁體磁通量減小到接近零的距離，以這個距離來確定SEM WD, 當然WD越大解析度越低，不過一般看個幾千倍還是沒問題的。如果是冷場發射掃描電鏡，一般使用的是半內物鏡，即物鏡磁場在樣品室內部，這就需要更加註意，即使退磁的樣品也要保持在磁場之外，使用較大的WD,不退磁的樣品工作距離要求更大。
如果未退磁，注意磁體不要吸附在物鏡表面，或者極靴孔內，尤其粉末材料，也許都是微米級別的粉末，會造成固定象散，大幅度降低電鏡解析度，用戶根本不知所措，需要非常專業人員拆卸物鏡來特殊處理。如果被污染的電鏡是進口的，請准備10萬元人民幣，他們大多在國內的維修工程師根本不靈，需要洋人親自出馬，所以有不幸掃描電鏡被污染的客戶，尤其是大學實驗室，得了恐懼症，見到磁性樣品就害怕，一刀切都不給做。COXEM Beijing Office的中國工程師有這個技術，收費也不低哦。

2、SEM掃描電鏡圖怎麼看，圖上各參數都代表什麼意思

1、放大率：

與普通光學顯微鏡不同，在SEM中，是通過控制掃描區域的大小來控制放大率的。如果需要更高的放大率，只需要掃描更小的一塊面積就可以了。放大率由屏幕/照片面積除以掃描面積得到。

所以，SEM中，透鏡與放大率無關。

2、場深：

在SEM中，位於焦平面上下的一小層區域內的樣品點都可以得到良好的會焦而成象。這一小層的厚度稱為場深，通常為幾納米厚，所以，SEM可以用於納米級樣品的三維成像。

3、作用體積：

電子束不僅僅與樣品表層原子發生作用，它實際上與一定厚度范圍內的樣品原子發生作用，所以存在一個作用「體積」。

4、工作距離：

工作距離指從物鏡到樣品最高點的垂直距離。

如果增加工作距離，可以在其他條件不變的情況下獲得更大的場深。如果減少工作距離，則可以在其他條件不變的情況下獲得更高的解析度。通常使用的工作距離在5毫米到10毫米之間。

5、成象：

次級電子和背散射電子可以用於成象，但後者不如前者，所以通常使用次級電子。

6、表面分析：

歐革電子、特徵X射線、背散射電子的產生過程均與樣品原子性質有關，所以可以用於成分分析。但由於電子束只能穿透樣品表面很淺的一層（參見作用體積），所以只能用於表面分析。

表面分析以特徵X射線分析最常用，所用到的探測器有兩種：能譜分析儀與波譜分析儀。前者速度快但精度不高，後者非常精確，可以檢測到「痕跡元素」的存在但耗時太長。

觀察方法：

如果圖像是規則的（具螺旋對稱的活體高分子物質或結晶），則將電鏡像放在光衍射計上可容易地觀察圖像的平行周期性。

尤其用光過濾法，即只留衍射像上有周期性的衍射斑，將其他部分遮蔽使重新衍射，則會得到背景干擾少的鮮明圖像。

(2)semwd擴展資料：

SEM掃描電鏡圖的分析方法：

從干擾嚴重的電鏡照片中找出真實圖像的方法。在電鏡照片中，有時因為背景干擾嚴重，只用肉眼觀察不能判斷出目的物的圖像。

圖像與其衍射像之間存在著數學的傅立葉變換關系，所以將電鏡像用光度計掃描，使各點的濃淡數值化，將之進行傅立葉變換，便可求出衍射像〔衍射斑的強度（振幅的2乘）和其相位〕。

將其相位與從電子衍射或X射線衍射強度所得的振幅組合起來進行傅立葉變換，則會得到更鮮明的圖像。此法對屬於活體膜之一的紫膜等一些由二維結晶所成的材料特別適用。

掃描電鏡從原理上講就是利用聚焦得非常細的高能電子束在試樣上掃描，激發出各種物理信息。通過對這些信息的接受、放大和顯示成像，獲得測試試樣表面形貌的觀察。

3、掃描電鏡中的WD參數是什麼意思

掃描電鏡中的WD參數是工作距離，樣品成像表面到物鏡的距離。

介於透射電鏡和光學顯微鏡之間的一種微觀形貌觀察手段，可直接利用樣品表面材料的物質性能進行微觀成像。

掃描電鏡的優點是：

①有較高的放大倍數，2-20萬倍之間連續可調；

②有很大的景深，視野大，成像富有立體感，可直接觀察各種試樣凹凸不平表面的細微結構；

③試樣制備簡單。 目前的掃描電鏡都配有X射線能譜儀裝置，這樣可以同時進行顯微組織形貌的觀察和微區成分分析，因此它是當今十分有用的科學研究儀器。

(3)semwd擴展資料

掃描電子顯微鏡的製造依據是電子與物質的相互作用。

掃描電鏡從原理上講就是利用聚焦得非常細的高能電子束在試樣上掃描，激發出各種物理信息。通過對這些信息的接受、放大和顯示成像，獲得測試試樣表面形貌的觀察。

當一束極細的高能入射電子轟擊掃描樣品表面時，被激發的區域將產生二次電子、俄歇電子、特徵x射線和連續譜X射線、背散射電子、透射電子，以及在可見、紫外、紅外光區域產生的電磁輻射。同時可產生電子-空穴對、晶格振動（聲子)、電子振盪（等離子體）。

從數量上看，彈性背反射電子遠比非彈性背反射電子所佔的份額多。 背反射電子的產生范圍在100nm-1mm深度。

背反射電子產額和二次電子產額與原子序數的關系背反射電子束成像解析度一般為50-200nm（與電子束斑直徑相當）。背反射電子的產額隨原子序數的增加而增加，所以，利用背反射電子作為成像信號不僅能分析形貌特徵，也可以用來顯示原子序數襯度，定性進行成分分析。

4、wd10g220e23數據參數?

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5、sem分析中相同倍率下wd不同有對比意義嗎

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