sem矽片如何洗

1、請問 矽片清洗後 有點子 但是洗不下去 擦拭後 裡面的那個點能下去 但是留下印記 請問這個怎麼啊？

超級自動乳化劑

要點提示：

******乳化劑實現被動乳化升級到自動乳化領域，成功完成革命性突破，全球領先。

******11種全球領先的特別自動乳化功能，讓他無所不能。超越所有乳化劑。

******自動乳化+自動溶解+自動滲透+自動分散+自動除油+自動破膠+自動脫脂+自動溶垢+自動清洗+自動除臘+自動去污，完美的全能多面性，功效強大到超出你想像。

******替代現有的乳化清洗劑讓你成本下降30--70%，效果大幅提高。

******一種原料能生產三十種產品，天下無雙。

******工業液體油污即乳即溶，速度快得你驚奇不已。

超級自動乳化劑，是成都恆豐宏業洗滌劑廠最新研發的超越現有乳化劑並領先國際的超級自動乳化劑，其超級自動乳化功能是普通乳化劑無法比擬的，具有下列特點：

一、特別的功能作用

1、超級自動乳化功能，自動能將兩種或多種互不相溶的物質乳化成為均勻分散體系的具有表面活性的單一或復合性化學物質。不需要反應釜、乳化機和其他加溫加熱設備，這種自動乳化功能是目前國際上沒有一種乳化劑能完成的，具有國際領先水平。

2、超級自動溶解功能，能自動溶解石油、石油附產品、潤滑油、機械油、礦物油、離合油、齒輪油、剎車油、機油、油墨、脫模油、壓縮機油，冷凍機油，真空泵油、內燃機油、柴油機油、汽油機油、船舶用油、軸承油、導軌油、液壓油、液力傳動油、金屬加工油、電器絕緣油、電動工具油、熱傳導油、防銹油、汽輪機油、精油、淬火油、拉伸油、燃料油、其他場合用油等無機油類。整個溶解過程是自動完成，不需要大型設備。這種自動溶解功能是目前國際上沒有一種溶劑能完成的，具有國際領先水平。

3、超級自動滲透功能，自動穿透物質堅韌外層，直接滲透到核心。這種自動滲透功能是目前國際上沒有一種滲透劑能完成的，具有國際領先水平。

4、超級自動分散功能，自動對難於溶解於液體的無機和有機的固體顆粒進行分散，同時又能防止固體顆粒的沉降和凝聚，達到懸浮液所需的目的。

5、超級自動除垢功能，自動對污垢、泥垢、油垢、茶垢、酸雨垢、汗垢等垢體進行瓦解、溶垢、剝離，快速清除垢體，這種自動除垢功能是目前國際上沒有一種除垢劑能完成的，具有國際領先水平。

6、超級自動破膠功能，自動對膠粘劑進行粘性結構破壞，達到膠粘性失效，完成粘性物體清除。這種自動破膠功能是目前國際上沒有一種脫膠劑能完成的，具有國際領先水平。

7、超級自動除臘功能，自動對各種臘質進行分子結構分解，達到臘質失效，完成除臘。這種自動除臘功能是目前國際上沒有一種除臘劑能完成的，具有國際領先水平。

8、超級自動脫脂功能，自動對各種脂肪、油脂的脂粒結構進行皂化、分解，達到脂粒脫脂。這種自動脫脂功能是目前國際上沒有一種脫脂劑能完成的，具有國際領先水平。

9、超級自動除油功能，自動對各種食用油、植物油、礦物油、精油、機械油、石油、無機油和有機油類，進行分解、溶解、皂化、脫離，達到快速除油目的。這種自動除油功能是目前國際上沒有一種除油劑能完成的，具有國際領先水平。

10、超級自動清洗功能，自動對各種工業污漬、民用污漬、生活污漬、重油污漬、環境污漬進行瓦解、分化、脫離、溶解、抗污垢再沉澱，達到快速去污的目的。這種自動清洗功能是目前國際上沒有一種清洗劑能完成的，具有國際領先水平。

11、超級自動去污功能，自動對各種汗漬、重油污、生活污漬進行瓦解、分化、脫離、抗污垢再沉澱，達到快速去污的目的。這種自動去污功能是目前國際上沒有一種清洗劑能完成的，具有國際領先水平。

2、矽片的絨面具體要用什麼鹼液清洗 具體步驟是什麼樣子？要明細一點的

LED（Light Emitting Diode），發光二極體，簡稱LED,，是一種能夠將電能轉化為可見光的固態的半導體器件，它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接電源的正極使整個晶片被環氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它裡面空穴佔主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個「P-N結」。當電流通過導線作用於這個晶片的時候，電子就會被推向P區，在P區里電子跟空穴復合，然後就會以光子的形式發出能量，這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。 它是一種通過控制半導體發光二極體的顯示方式，用來顯示文字、圖形、圖像、動畫、行情、視頻、錄像信號等各種信息的顯示屏幕。由於具有容易控制、低壓直流驅動、組合後色彩表現豐富、使用壽命長等優點，廣泛應用於城市各工程中、大屏幕顯示系統。LED可以作為顯示屏，在計算機控制下，顯示色彩變化萬千的視頻和圖片。 LED是一種能夠將電能轉化為可見光的半導體。
LED外延片工藝流程：
近十幾年來，為了開發藍色高亮度發光二極體，世界各地相關研究的人員無不全力投入。而商業化的產品如藍光及綠光發光二級管LED及激光二級管LD的應用無不說明了III－V族元素所蘊藏的潛能。在目前商品化LED之材料及其外延技術中，紅色及綠色發光二極體之外延技術大多為液相外延成長法為主，而黃色、橙色發光二極體目前仍以氣相外延成長法成長磷砷化鎵GaAsP材料為主。
一般來說，GaN的成長須要很高的溫度來打斷NH3之N-H的鍵解，另外一方面由動力學模擬也得知NH3和MO Gas會進行反應產生沒有揮發性的副產物。
LED外延片工藝流程如下：
襯底 - 結構設計 - 緩沖層生長 - N型GaN層生長 - 多量子阱發光層生 - P型GaN層生長 - 退火 - 檢測（光熒光、X射線） - 外延片
外延片- 設計、加工掩模版 - 光刻 - 離子刻蝕 - N型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - P型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - 劃片 - 晶元分檢、分級
具體介紹如下：
固定：將單晶硅棒固定在加工台上。
切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄矽片。此過程中產生的硅粉採用水淋，產生廢水和硅渣。
退火：雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃後，用紅外加熱至300~500℃，矽片表面和氧氣發生反應，使矽片表面形成二氧化硅保護層。
倒角：將退火的矽片進行修整成圓弧形，防止矽片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅粉採用水淋，產生廢水和硅渣。
分檔檢測：為保證矽片的規格和質量，對其進行檢測。此處會產生廢品。
研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶矽片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。此過程產生廢磨片劑。
清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術去除矽片表面的有機雜質。此工序產生有機廢氣和廢有機溶劑。
RCA清洗：通過多道清洗去除矽片表面的顆粒物質和金屬離子。
具體工藝流程如下：
SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化後溶於清洗液，並將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗矽片可去除矽片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產生硫酸霧和廢硫酸。
DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除矽片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產生氟化氫和廢氫氟酸。
APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成，矽片表面由於H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕後立即又發生氧化，氧化和腐蝕反復進行，因此附著在矽片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內。此處產生氨氣和廢氨水。 HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM，用於去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產生氯化氫和廢鹽酸。
DHF清洗：去除上一道工序在硅表面產生的氧化膜。 磨片檢測：檢測經過研磨、RCA清洗後的矽片的質量，不符合要求

3、清洗矽片的順序

物理清洗 　物理清洗有三種方法。①刷洗或擦洗:可除去顆粒污染和大多數粘在片子上的薄膜。②高壓清洗：是用液體噴射片子表面，噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，片子不易產生劃痕和損傷。但高壓噴射會產生靜電作用，靠調節噴嘴到片子的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。③超聲波清洗：超聲波聲能傳入溶液,靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是,從有圖形的片子上除去小於 1微米顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好。 化學清洗 　化學清洗是為了除去原子、離子不可見的污染,方法較多,有溶劑萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等）和等離子體法等。其中雙氧水體系清洗方法效果好，環境污染小。一般方法是將矽片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強氧化性,將有機物分解而除去；用超純水沖洗後,再用成分比為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的鹼性清洗液清洗,由於H2O2的氧化作用和NH4OH的絡合作用，許多金屬離子形成穩定的可溶性絡合物而溶於水；然後使用成分比為H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液，由於H2O2的氧化作用和鹽酸的溶解，以及氯離子的絡合性，許多金屬生成溶於水的絡離子，從而達到清洗的目的。 放射示蹤原子分析和質譜分析表明，採用雙氧水體系清洗矽片效果最好，同時所用的全部化學試劑 H2O2、NH4OH、HCl能夠完全揮發掉。用H2SO4和H2O2清洗矽片時，在矽片表面會留下約2×1010原子每平方厘米的硫原子，用後一種酸性清洗液時可以完全被清除。用H2O2體系清洗矽片無殘留物，有害性小，也有利於工人健康和環境保護。矽片清洗中用各步清洗液處理後，都要用超純水徹底沖洗。

4、矽片的表面處理是怎麼做的？

切好的矽片表面臟且不平，因此在製造電池錢前你要先進行矽片的表面准備，包括矽片的化學清洗和矽片的表面服飾。化學清洗是為了去除玷污在矽片上的各種雜質，表面服飾的目的是除去矽片表面的切割損傷。獲得是何志傑要求硅規表面。

5、掃描電鏡用的矽片大家是怎麼清洗的

用酒精棉擦拭後，洗耳球吹乾即可。
嚴謹一些的話可以置於酒精溶液中超聲清洗，效果差不多。
矽片制備掃描電鏡樣品大多都是納米顆粒溶液分散後滴到矽片表面，烘乾。這類樣品的測試效果與矽片的前處理關系不大，主要和樣品的分散和樣品的烘乾有關，多數納米顆粒尺寸小，易團聚，取溶液時可以取中層或者上層的清液。滴到矽片上後，有條件的可以用紅外燈烘烤，或者50℃左右的烘箱乾燥，以減少樣品表面有機膜對成像帶來的困難。

6、單晶臟矽片清洗方法

從多晶硅到單晶硅棒再到切(硅)片這一段是用不到金剛石砂輪的!我們公司就是從事光伏產品的製造! 從多晶硅-單晶硅-切片都做的! 目前超過98％的電子元件材料全部使用單晶硅。其中用CZ法佔了約85％，其他部份則是由浮融法FZ生長法。CZ法生長出的單晶硅，用在生產低功率的集成電路元件。而FZ法生長出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半導體工業採用，主要在於它的高氧含量提供了晶片強化的優點。另外一個原因是CZ法比FZ法更容易生產出大尺寸的單晶硅棒。 目前國內主要採用CZ法 CZ法主要設備：CZ生長爐 CZ法生長爐的組成元件可分成四部分 （1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁 （2）晶棒及坩堝拉升旋轉機構：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉元件 （3）氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統及壓力控制閥 （4）控制系統：包括偵測感應器及電腦控制系統 加工工藝： 加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長 （1）加料：將多晶硅原料及雜質放入石英坩堝內，雜質的種類依電阻的N或P型而定。雜質種類有硼，磷，銻，砷。 （2）熔化：加完多晶硅原料於石英堝內後，長晶爐必須關閉並抽成真空後充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內，然後打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。 （3）縮頸生長：當硅熔體的溫度穩定之後，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由於籽晶與硅熔體場接觸時的熱應力，會使籽晶產生位錯，這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉。縮頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4-6mm）由於位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產生零位錯的晶體。 （4）放肩生長：長完細頸之後，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。 （5）等徑生長：長完細頸和肩部之後，借著拉速與溫度的不斷調整，可使晶棒直徑維持在正負2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶矽片取自於等徑部分。 （6）尾部生長：在長完等徑部分之後，如果立刻將晶棒與液面分開，那麼效應力將使得晶棒出現位錯與滑移線。於是為了避免此問題的發生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間後取出，即完成一次生長周期。 單晶硅棒加工成單晶硅拋光矽片 加工流程： 單晶生長→切斷→外徑滾磨→平邊或V型槽處理→切片 倒角→研磨 腐蝕--拋光→清洗→包裝 切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規格的部分，將單晶硅棒分段成切片設備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量。 切斷的設備：內園切割機或外園切割機 切斷用主要進口材料：刀片 外徑磨削：由於單晶硅棒的外徑表面並不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。 外徑滾磨的設備：磨床 平邊或V型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結晶方向平邊或V型。 處理的設備：磨床及X－RAY繞射儀。 切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。 切片的設備：內園切割機或線切割機 倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。 倒角的主要設備：倒角機 研磨：指通過研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶矽片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。 研磨的設備：研磨機（雙面研磨） 主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，鉻砂，水），滑浮液。 腐蝕：指經切片及研磨等機械加工後，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常採用化學腐蝕去除。 腐蝕的方式：（A）酸性腐蝕，是最普遍被採用的。酸性腐蝕液由硝酸（HNO3），氫氟酸（HF），及一些緩沖酸（CH3COCH，H3PO4）組成。 （B）鹼性腐蝕，鹼性腐蝕液由KOH或NaOH加純水組成。 拋光：指單晶矽片表面需要改善微缺陷，從而獲得高平坦度晶片的拋光。 拋光的設備：多片式拋光機，單片式拋光機。 拋光的方式：粗拋：主要作用去除損傷層，一般去除量約在10－20um； 精拋：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下 主要原料：拋光液由具有SiO2的微細懸硅酸膠及NaOH（或KOH或NH4OH）組成，分為粗拋漿和精拋漿。 清洗：在單晶矽片加工過程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光後的最終清洗。清洗的目的在於清除晶片表面所有的污染源。 清洗的方式：主要是傳統的RCA濕式化學洗凈技術。 主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL （3）損耗產生的原因 A.多晶硅--單晶硅棒 多晶硅加工成單晶硅棒過程中：如產生損耗是重摻堝底料、頭尾料則無法再利用，只能當成冶金行業如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產生損耗是非重摻堝底料、頭尾料可利用製成低檔次的硅產品，此部分應按邊角料征稅。 重摻料是指將多晶硅原料及接近飽和量的雜質（種類有硼，磷，銻，砷。雜質的種類依電阻的N或P型）放入石英坩堝內溶化而成的料。 重摻料主要用於生產低電阻率（電阻率＜0.011歐姆／厘米）的矽片。 損耗：單晶拉制完畢後的堝底料約15％。 單晶硅棒整形過程中的頭尾料約20％。 單晶整形過程中（外徑磨削工序）由於單晶硅棒的外徑表面並不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。損耗約10％-13％。 希望能對你有幫助!

7、矽片清洗水印是怎麼來的？請行家指點下！謝謝！

有幾種可能：（1）沖洗不幹凈，可以拿一些干凈的矽片再重新清洗一次，不要過清洗劑槽，看是否有水印出現；（2）烘乾不夠，將矽片在進入烘乾通道前取出甩干或吹乾，看是否有水印；（3）水中雜質含量過高，造成不易清洗。希望對你有幫助！

8、矽片如何能清洗干凈請行家指點一下謝謝

先用四氯化碳和丙酮體積比1:1超聲清洗兩次，再用去離子水沖洗，再用無水乙醇清洗保存。

9、矽片的清潔

物理清洗
物理清洗有三種方法。①刷洗或擦洗:可除去顆粒污染和大多數粘在片子上的薄膜。②高壓清洗：是用液體噴射片子表面，噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，片子不易產生劃痕和損傷。但高壓噴射會產生靜電作用，靠調節噴嘴到片子的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。③超聲波清洗：超聲波聲能傳入溶液,靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是,從有圖形的片子上除去小於 1微米顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好。
化學清洗
化學清洗是為了除去原子、離子不可見的污染,方法較多,有溶劑萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等）和等離子體法等。其中雙氧水體系清洗方法效果好，環境污染小。一般方法是將矽片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強氧化性,將有機物分解而除去；用超純水沖洗後,再用成分比為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的鹼性清洗液清洗,由於H2O2的氧化作用和NH4OH的絡合作用，許多金屬離子形成穩定的可溶性絡合物而溶於水；然後使用成分比為H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液，由於H2O2的氧化作用和鹽酸的溶解，以及氯離子的絡合性，許多金屬生成溶於水的絡離子，從而達到清洗的目的。
放射示蹤原子分析和質譜分析表明，採用雙氧水體系清洗矽片效果最好，同時所用的全部化學試劑 H2O2、NH4OH、HCl能夠完全揮發掉。用H2SO4和H2O2清洗矽片時，在矽片表面會留下約2×1010原子每平方厘米的硫原子，用後一種酸性清洗液時可以完全被清除。用H2O2體系清洗矽片無殘留物，有害性小，也有利於工人健康和環境保護。矽片清洗中用各步清洗液處理後，都要用超純水徹底沖洗。

10、矽片如何用超聲波清洗設備進行清洗？

CPU就主要是應用矽片，所以說矽片屬於重要的電子材料和設備。容易積累灰塵污垢。而灰塵和靜電都是導致矽片損壞甚至是短路報廢的重要誘因。所以進行高精度的徹底清洗就尤為重要。
而超聲波獨具的空化清洗模式完全滿足矽片的高精度清洗要求，且清洗時間短，機械式操作簡單，可以進行大批量清洗。是矽片清洗的不二選擇。
操作要點是在清洗內槽倒入足夠的清洗液，沒過矽片但不要溢出內槽。然後開機清洗即可。