1、TEM, EDS ,SEM,FE-SEM,STM,AFM,XRD,XPS,FT-IR,UV-VISQ全稱和中文名稱是什麼呀？幫幫忙啦。。。
TEM :Transmission Electron Microscopy 透射電鏡
EDS:能量彌散X射線譜（Energy-dispersive X-ray spectroscopy
SEM:scanning electron microscope掃描電子顯微鏡
FE-SEM: Field-Emission Scanning Electron Microscope場發射掃描電子顯微鏡
STM:scanning tunneling microscope掃描隧道顯微鏡
AFM：Atomic force microscopy原子力顯微鏡
XRD：X-ray diffractionX射線衍射
XPS：X-ray photoelectron spectroscopyX射線光電子能譜
FT-IR：Fourier transform infrared spectroscopy 傅立葉紅外光譜儀
UV-VISQ：Ultraviolet–visible spectroscopy 紫外可見吸收光譜
2、幫我翻譯一下這段文字.謝謝
This article (Li2CO3) and the manganese carbonate (MnCO3) the ball burns take the co-precipitation law synthesis micron level belt lithium carbonate as the forerunner through the high temperature prepares porous spherical spinel LiMn2O4 to take the lithium ion battery the positive electrode material, simultaneously through adds the surface active agent to the forerunner the modification, the disperser porous ball becomes a nanometer granule. Using XRD, TEM and the FESEM method carries on the attribute to the proct phase and the appearance, and the discussion forms this kind of phase and the appearance mechanism.
For 450 ℃, 550 ℃ and 650 ℃ temperatures under synthesizes LiMn2O4 the micron level porous ball and a nanometer granule separately carries on the electrochemistry performance test, the circulation volt-ampere and the alternating-current impedance experiment. The test result indicated that, the proct electrochemistry performance elevates along with the temperature improves. And in detail has discussed the material impedance if between the sufficient discharge capacity relations.
3、做Fe-Al-B的三元相圖在SEM電鏡下打不出B怎麼辦
B打不出來原因有以下幾點：
1、能譜峰顯示的一般是質量百分比，B的原子序數很靠前，與其他相同數量的元素相比，B的峰會小很多，能譜理論檢測限在0.1%wt，因此可能識別不到；
2、能譜檢測結果經常會有C峰出現，C峰和B峰很接近，可能把B峰掩蓋；
3、因此，B是否含有需要手動加入進行確認，這個需要慢慢摸索經驗。
4、FE的英文縮寫
英文縮寫
FE=Front-End 前端,Front-End Development 前端開發
FE=fast ethernet，快速乙太網，主流100M網路的稱呼，通常說的百兆網，由1995年3月IEEE宣布標准。
FE=Fuji & Echizen，不二越，由動漫網球王子（prince of tennis）衍生的耽美同人。不二放在越前面前表明了兩人的攻受關系，即不二攻越前受。
FE=favourite Ella
FE=financial engineering，金融工程
FE=field engineer, 油田服務公司中的場地工程師
FE=far east， 遠東地區
FE=Facility Engineer， 設備工程師
FE=Fire Escape， 安全出口，太平門
FE=FORM E. 中國-東盟自貿區優惠關稅原產地證
FE=formula electric（formula e） 電動方程式
其他縮寫
FE=Fudan Enzyme，復旦酶，由復旦（Fudan）和酶（Enzyme）英文單詞的第一個字母而命名，復旦大學生命科學學院研製成功的一種生物高科技物質，它能有效溶解革蘭氏陽性菌，而對其它細胞壁則沒有任何影響。
FE=finance and economy，財經
FE=finite element，有限元
FE=function evaluation，功能評估
FE=front end devement，前端開發
5、SEM中Ni和Al2O3區分？
10nm非常小了，一般情況下FE-SEM不會用來觀測10nm左右納米顆粒的微觀結構的~還有，SEM是二次電子成像，由於二次電子的產額隨原子數的變化不大，所以得到的SEM圖像中Contrast不怎麼明顯。所以我覺得你應該用TEM來表徵你做的這個樣品，在TEM圖像中，Ni的顏色比Al2O3的暗，如果條件允許的話，做HRTEM或者EDX就更能准備表徵你樣品中的黑色納米顆粒是Ni了~~~
6、那為高手幫我下，請問FESEM這個單詞是什麼意思
FESEM
abbr.
field emission scanning electron microscope 場致發射掃描電子顯微鏡;field emission scanning electron microscopy 場致發射掃描電子顯微分析法;Forcible Entry Safeguards Effectiveness Model 強制進入保障監督效用模型
7、矽片清洗技術手冊（材料科學和工藝技術）
太陽能矽片表面等離子體清洗工藝
矽片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗流程，然後進行該氣體等離子體啟輝。 去除矽片表面顆粒的等離子體清洗方法過程式控制制容易，清洗徹底，無反應物殘留，所霈工藝氣體無毒，成本低，勞動量小，工作效率高。
等離子矽片清洗條件參數：
1、矽片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗流程，然後進行該氣體等離子體啟輝；所用氣體選自02、Ar、N2中的任一種；氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力1040毫托，工藝氣體流量100-500sccm，上電極功率250-400W，時間1-10s。
2、如1所述的等離子體清洗方法，其特徵在於所用氣體為02。
3、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss。
4、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，上電極功率250-400W，時閭1-5s。
5、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss
說 明 書
等離子清洗涉及刻蝕工藝領域，並且完全滿足去除刻蝕工藝後矽片表面殘
留顆粒的清洗。
背景技術
在刻蝕過程中，顆粒的來源很多：刻蝕用氣體如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蝕性，刻蝕結束後會在矽片表面產生一定數量的顆粒；反應室的石英蓋也會在等離子體的轟擊作用下產生石英顆粒；反應室內的內襯( liner)也會在較長時間的刻蝕過程中產生金屬顆粒。刻蝕後矽片表面殘留的顆粒會阻礙導電連接，導致器件損壞。因此，在刻蝕工藝過程中對顆粒的控制很重要。
目前，常用的去除矽片表面顆粒的方法有兩種：一種是標准清洗( RCA)清洗技術，另一種是用矽片清洗機進行兆聲清洗。RCA清洗技術所用清洗裝置大多是多槽浸泡式清洗系統。其清洗工序為：一號液( SC-1)(NH40H+H202)—，稀釋的HF(DHF)(HF+H20)—，二號液( SC-2)(HCl+ H202)。其中，SC．1主要是去除顆粒沾污（粒子），也能去除部分金屬雜質。去除顆粒的原理為：矽片表面由於H202氧化作用生成氧化膜（約6nm，呈親水性），該氧化膜又被NH40H腐蝕，腐蝕後立即發生氧他，氧化和腐蝕反復進行，附著在矽片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內。自然氧化膜約0.6nm厚，與NH40H和H202的濃度及清洗液溫度無關。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液，它具有極強的氧化性和絡合性，能與未被氧化的金屬作用生成鹽，並隨去離子水沖洗而被去除，被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡合物亦隨去離子水沖洗而被去除。RCA清洗技術存在以下缺陷：需要人工操作，勞動量大，操作環境危險；工藝復雜，清洗時間長，生產效率低；清洗溶劑長期浸泡容易對矽片過腐蝕或留下水痕，影響器件性能；清洗劑和超凈水消耗量大，生產成本高；去除
粒子效果較好，但去除金屬雜質Al、Fe效果欠佳。
用矽片清洗機進行兆聲清洗是將矽片吸附在靜電卡盤( chuck)上，清洗過程中矽片不斷旋轉，清洗液噴淋在矽片表面。可以進行不同轉速和噴淋時間的設置，連續完成多步清洗步驟。典型工藝為：兆聲_氨水+雙氧水（可以進行加溫）_水洗_鹽酸+雙氧水-水洗_兆聲一甩干。
用矽片清洗機進行兆聲清洗的缺陷表現為：只能進行單片清洗，單片清洗時間長，導致生產效率較低；清洗劑和超凈水消耗量大，生產成本高。
等離子清洗矽片表面顆粒原理：
等離子體清洗方法的原理為：依靠處於「等離子態」的物質的「活化作用，，達到去除物體表面顆粒的目的。它通常包括以下過程：a．無機氣體被激發到等離子態；b．氣相物質被吸附在固體表面；c．被吸附基團與固體表面分子反應生成產物分子；d．產物分子解析形成氣相；e．反應殘余物脫離表面。
等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗（purge）流程，然後進行該氣體等離子體啟輝。
所用工藝氣體選自02、Ar、N2中的任一種。優選地，所用工藝氣體選
02。
以上所述的等離子體清洗方法，氕體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，時間1-5s；啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，上電極功率250-400W，時間1-10s。
優選地，氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，上電極功率250-400W，時間1.Ss。
更優選地，氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss。
等離子清洗矽片後效果：
本發明所述的去除矽片表面顆粒的等離子體清洗方法過程式控制制容易，清洗徹底，無反應物殘留，所需工藝氣體無毒，成本低，勞動量小，工作效率高。
附圖說明
圖1等離子體清洗前後的CD-SEM（關鍵尺寸量測儀器）圖片；
其中，CD: Criticaldimension關鍵尺寸。
圖2等離子體清洗前後的FE-SEM（場發射顯微鏡）圖片；
其中，FE: field emission場發射。
圖3等離子體清洗前後的particle（粒子）圖片。
在進行完BT（break through自然氧化層去除步驟）、ME（Main Etch主刻步驟）、OE（過刻步驟）的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行02的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為15毫托，02流量為300sccm，通氣時間為3s;然後，進行含有02的啟輝過程：腔室壓力設置為15毫托，02流量為300sccm，上RF的功率設置為300W．啟輝時間為Ss。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
在進行完BT、ME、OE的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行Ar的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為10毫托，Ar流量為100sccm，通氣時間為Ss;然後，進行含有Ar的啟輝過程：腔室壓力設置為10毫托，Ar流量為100sccm，上RF的功率設置為400W，啟輝時間為10s。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
在進行完BT、ME、OE的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行N2的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為40毫托，N2流量為500sccm，通氣時間為Ss;然後，進行含有N2的啟輝過程：腔室壓力設置為40毫托，N2流量為500sccm，上RF的功率設置為250W，啟輝時間為10s。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
南京世鋒科技等離子研究中心 QQ283加588加329
8、求助：冷場掃描電鏡和熱場掃描電鏡的區別
冷場：做完測試關燈絲，需要做Cleaning，燈絲束流亮度較低，成像質量較好，不適合做EDS。
熱場：燈絲常亮，不需要清潔維護，燈絲亮度高，成像效果較好（相同等級的熱場FESEM成像效果略遜色於冷場FESEM），EDS效果遠優於冷場。