1、你好,請問SEM的放大倍數和解析度是什麼關系?謝謝
SEM儀器能區分清2個點之間的最小距離就是這台儀器的最高解析度,解析度越高,從圖像上就可能可以看出更多細致的東西;
而放大倍數是指圖像長度與真實觀察長度的比值,片面的追求高放大倍數並沒有什麼實際的意義,因為它的最大放大倍數定義為:有效放大倍數=眼睛解析度/電鏡解析度。
圖像的清晰度是亮度對比度概念的綜合,清晰的圖像在肉眼可識別的微小尺度范圍內,亮暗反差鮮明。掃描電鏡加速電壓高可以獲得電子光學系統的高分辨能力,可高倍更清晰。
(1)sem不同倍率擴展資料:
所謂QVGA液晶技術,就是在液晶屏幕上輸出的解析度是240×320的液晶輸出方式。這個解析度其實和屏幕本身的大小並沒有關系。比如說,若2.1英寸液晶顯示屏幕可以顯示240×320解析度的圖像,就叫做「QVGA 2.1英寸液晶顯示屏」;
如果3.8英寸液晶顯示屏幕可以顯示240×320的圖像,就叫做「QVGA 3.8英寸液晶顯示屏」,以上兩種情況雖然具有相同的解析度,但是由於尺寸的不同實際的視覺效果也不同,一般來說屏幕小的一個畫面自然也會細膩一些。
2、哪位大神可以清楚的告訴我SEM,EDS,XRD的區別以及各自的應用
SEM,EDS,XRD的區別,SEM是掃描電鏡,EDS是掃描電鏡上配搭的一個用於微區分析成分的配件——能譜儀。能譜儀(EDS,Energy Dispersive Spectrometer)是用來對材料微區成分元素種類與含量分析,配合掃描電子顯微鏡與透射電子顯微鏡的使用。XRD是X射線衍射儀,是用於物相分析的檢測設備。
掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM,圖2-17、18、19)於20世紀60年 代問世,用來觀察標本的表面結構。其工作原理是用一束極細的電子束掃描樣品,在樣品表面激發出次級電子,次級電子的多少與電子束入射角有關,也就是說與樣 品的表面結構有關,次級電子由探測體收集,並在那裡被閃爍器轉變為光信號,再經光電倍增管和放大器轉變為電信號來控制熒光屏上電子束的強度,顯示出與電子 束同步的掃描圖像。圖像為立體形象,反映了標本的表面結構。為了使標本表面發射出次級電子,標本在固定、脫水後,要噴塗上一層重金屬微粒,重金屬在電子束 的轟擊下發出次級電子信號。 目前掃描電鏡的分辨力為6~10nm,人眼能夠區別熒光屏上兩個相距0.2mm的光點,則掃描電鏡的最大有效放大倍率為0.2mm/10nm=20000X。
EDS的原理是各種元素具有自己的X射線特徵波長,特徵波長的大小則取決於能級躍遷過程中釋放出的特徵能量△E,能譜儀就是利用不同元素X射線光子特徵能量不同這一特點來進行成分分析的。使用范圍:
1、高分子、陶瓷、混凝土、生物、礦物、纖維等無機或有機固體材料分析;
2、金屬材料的相分析、成分分析和夾雜物形態成分的鑒定;
3、可對固體材料的表面塗層、鍍層進行分析,如:金屬化膜表面鍍層的檢測;
4、金銀飾品、寶石首飾的鑒別,考古和文物鑒定,以及刑偵鑒定等領域;
5、進行材料表面微區成分的定性和定量分析,在材料表面做元素的面、線、點分布分析。
X射線衍射儀是利用衍射原理,精確測定物質的晶體結構,織構及應力,精確的進行物相分析,定性分析,定量分析。廣泛應用於冶金、石油、化工、科研、航空航天、教學、材料生產等領域。
3、sem分析中相同倍率下wd不同有對比意義嗎
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4、如何實現歐姆表的不同倍率
如何實現歐姆表的不同倍率
歐姆表的倍率變大(如 R X1到R X100),歐姆表的內阻是增大的,因為歐姆表的表頭一般都串聯一個分壓電阻,然後再並聯一個可調電阻,當改變可調電阻的阻值時,歐姆表的量程將會改變。測量時直流電源與被測電阻、可調電阻串聯構成迴路,表頭采樣可調電阻兩端電壓後指針會偏轉一個角度。當用小量程測量大電阻時,由分壓公式可知,采樣電阻上的電壓很低,所以表頭指針偏轉角度小,而將量程調大後,采樣電阻增大了,它的分壓電壓將會上升,所以表頭指針偏轉角度會增大。
以上分析說明「歐姆表的指針偏轉角偏小 說明電流小,電阻過大,這個電阻是指電路的總電阻,由於這被測電阻不能改,所以,應該減小表的內阻,即換用小量程. 」是錯誤的。
5、SEM 對於不同的樣品 如何選擇最優電壓電流?
具體選擇的電壓需要根據具體樣品來選擇的,一般來講金屬和半導體可能中壓10KV和5KV都可以,高分子最好選擇5KV的低壓,這樣可以得到更好的圖片效果。
以為高分子的導電性能很差,且容易被電壓擊穿,所以要選擇低電壓和快速照相模式的組合。
而金屬和半導體,導電性能都還好,可以根據調試的效果自行選擇電壓來操作。
並沒有硬性的規定金屬,半導體,高分子具體要多少電壓。這些都是需要根據具體的圖像質量來不斷調整的
6、SEM電鏡1600倍等於光學倍數多少?
倍數就是放大率,無論什麼顯微鏡,都是一樣的。
光學顯微鏡中常見的最大放大倍數為1000倍,因為衍射極限的存在,倍數太大並無意義,1600倍的倒是也有,一般可通過物鏡油浸法增大數值孔徑得到。
7、SEM與TEM的區別
SEM,全稱為掃描電子顯微鏡,又稱掃描電鏡,英文名Scanning Electronic Microscopy. TEM,全稱為透射電子顯微鏡,又稱透射電鏡,英文名Transmission Electron Microscope.
區別:
SEM的樣品中被激發出來的二次電子和背散射電子被收集而成像. TEM可以表徵樣品的質厚襯度,也可以表徵樣品的內部晶格結構。TEM的解析度比SEM要高一些。
SEM樣品要求不算嚴苛,而TEM樣品觀察的部分必須減薄到100nm厚度以下,一般做成直徑3mm的片,然後去做離子減薄,或雙噴(或者有厚度為20~40μm或者更少的薄區要求)。
TEM可以標定晶格常數,從而確定物相結構;SEM主要可以標定某一處的元素含量,但無法准確測定結構。