掃描電子顯微鏡sem

1、掃描電鏡與透射電鏡的區別？

1、結構差異:

主要體現在樣品在電子束光路中的位置不同。透射電鏡的樣品在電子束中間，電子源在樣品上方發射電子，經過聚光鏡，然後穿透樣品後，有後續的電磁透鏡繼續放大電子光束，最後投影在熒光屏幕上;掃描電鏡的樣品在電子束末端，電子源在樣品上方發射的電子束，經過幾級電磁透鏡縮小，到達樣品。當然後續的信號探側處理系統的結構也會不同，但從基本物理原理上講沒什麼實質性差別。

2、基本工作原理:

透射電鏡：電子束在穿過樣品時，會和樣品中的原子發生散射，樣品上某一點同時穿過的電子方向是不同，這樣品上的這一點在物鏡1-2倍焦距之間，這些電子通過過物鏡放大後重新匯聚，形成該點一個放大的實像，這個和凸透鏡成像原理相同。這里邊有個反差形成機制理論比較深就不講，但可以這么想像，如果樣品內部是絕對均勻的物質，沒有晶界，沒有原子晶格結構，那麼放大的圖像也不會有任何反差，事實上這種物質不存在，所以才會有這種儀器存在的理由。

掃描電鏡：電子束到達樣品，激發樣品中的二次電子，二次電子被探測器接收，通過信號處理並調制顯示器上一個像素發光，由於電子束斑直徑是納米級別，而顯示器的像素是100微米以上，這個100微米以上像素所發出的光，就代表樣品上被電子束激發的區域所發出的光。實現樣品上這個物點的放大。如果讓電子束在樣品的一定區域做光柵掃描，並且從幾何排列上一一對應調制顯示器的像素的亮度，便實現這個樣品區域的放大成像。

3、對樣品要求

(1)掃描電鏡

SEM制樣對樣品的厚度沒有特殊要求，可以採用切、磨、拋光或解理等方法將特定剖面呈現出來，從而轉化為可以觀察的表面。這樣的表面如果直接觀察，看到的只有表面加工損傷，一般要利用不同的化學溶液進行擇優腐蝕，才能產生有利於觀察的襯度。不過腐蝕會使樣品失去原結構的部分真實情況，同時引入部分人為的干擾，對樣品中厚度極小的薄層來說，造成的誤差更大。

(2)透射電鏡

由於TEM得到的顯微圖像的質量強烈依賴於樣品的厚度，因此樣品觀測部位要非常的薄，例如存儲器器件的TEM樣品一般只能有10～100nm的厚度，這給TEM制樣帶來很大的難度。初學者在制樣過程中用手工或者機械控制磨製的成品率不高，一旦過度削磨則使該樣品報廢。TEM制樣的另一個問題是觀測點的定位，一般的制樣只能獲得10mm量級的薄的觀測范圍，這在需要精確定位分析的時候，目標往往落在觀測范圍之外。目前比較理想的解決方法是通過聚焦離子束刻蝕(FIB)來進行精細加工。

(1)掃描電子顯微鏡sem擴展資料：

透射電子顯微鏡的成像原理 可分為三種情況：

（1）吸收像：當電子射到質量、密度大的樣品時，主要的成相作用是散射作用。樣品上質量厚度大的地方對電子的散射角大，通過的電子較少，像的亮度較暗。早期的透射電子顯微鏡都是基於這種原理。

（2）衍射像：電子束被樣品衍射後，樣品不同位置的衍射波振幅分布對應於樣品中晶體各部分不同的衍射能力，當出現晶體缺陷時，缺陷部分的衍射能力與完整區域不同，從而使衍射波的振幅分布不均勻，反映出晶體缺陷的分布。

（3）相位像：當樣品薄至100Å以下時，電子可以穿過樣品，波的振幅變化可以忽略，成像來自於相位的變化。

2、掃描電子顯微鏡（SEM）的電磁輻射危害

這個嘛。相當於。電焊的危害。想這樣的話。做好防護措施。就可以了。主要的是。對眼睛有些傷害吧

3、掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝的格式是什麼

有TIF和JPG
TIF圖片通常2-3M大小，JPG格式通常幾百K，但是TIF帶有datebar，即放大倍數，掃描模式等信息，一般保存TIF格式

4、掃描電子顯微鏡的工作原理

掃描電子顯微鏡的工作原理：

掃描電子顯微鏡的製造依據是電子與物質的相互作用。

掃描電鏡從原理上講就是利用聚焦得非常細的高能電子束在試樣上掃描，激發出各種物理信息。通過對這些信息的接受、放大和顯示成像，獲得測試試樣表面形貌的觀察。

當一束極細的高能入射電子轟擊掃描樣品表面時，被激發的區域將產生二次電子、俄歇電子、特徵x射線和連續譜X射線、背散射電子、透射電子，以及在可見、紫外、紅外光區域產生的電磁輻射。同時可產生電子-空穴對、晶格振動（聲子)、電子振盪（等離子體）。

(4)掃描電子顯微鏡sem擴展資料：

研發歷程：

1873 Abbe 和Helmholfz 分別提出解像力與照射光的波長成反比。奠定了顯微鏡的理論基礎。

1931德國物理學家Knoll 及Ruska 首先發展出穿透式電子顯微鏡原型機。

1938 第一部掃描電子顯微鏡由Von Ardenne 發展成功。

1959年第一台100KV電子顯微鏡 1975年第一台掃描電子顯微鏡DX3 在中國科學院科學儀器廠（現北京中科科儀技術發展有限責任公司）研發成功。

5、掃描電子顯微鏡

掃描電子顯微鏡，簡稱掃描電鏡，英文名為Scanning Electron Microscope，縮寫為SEM，是利用高能量的電子束在固體樣品表面掃描，激發出二次電子、背散射電子、X射線等物理信號，從而獲得樣品表面圖像及測定元素成分的一種電子光學儀器。

掃描電鏡，按其功能劃分，由電子光學系統、信號檢測和放大系統、掃描系統、圖像顯示和記錄系統、真空系統以及電源系統等六個部分組成（圖5-1）。由電子槍發出，經電磁透鏡會聚的電子束，由掃描線圈控制在固體樣品表面作光柵式掃描，入射至樣品中數微米深的范圍內。這些高能電子與樣品中原子相互作用後，使樣品內產生二次電子、背散射電子、X射線等物理信號。

在入射電子的作用下從固體樣品中射出的，能量小於50e V的電子都稱為二次電子（Secondary Electron，常以縮寫SE表示）。大部分二次電子的能量在3～5e V之間。背散射電子（Backscattered Electron，常以縮寫BE表示）是被固體樣品原子反射回來的入射電子，所以有時又稱為反射電子（reflected electron，請勿稱作背反射電子），其能量與入射電子的能量相等或接近相等。

圖5-1 掃描電子顯微鏡的結構（未顯示電源系統）

掃描電鏡中的成像與閉路電視的成像相似。樣品中產生的二次電子、背散射電子等物理信號可分別由檢測器逐點逐行採集，並按順序和成比例地將物理信號進行處理後輸送到陰極射線管的柵極調制其亮度，顯示出樣品的圖像。掃描電鏡鏡筒中的電子束在樣品表面的掃描與陰極射線管中電子束在成像平面上的掃描是同步的。因此，陰極射線管上的圖像與樣品實物是逐點逐行一一對應的。由於樣品表面各部位的形貌、成分和結構等的差異，被激發的二次電子、背散射電子數量有所不同，從而在陰極射線管上形成反映樣品表面特徵的明暗不同的圖像。因此，掃描電鏡的圖像是一種襯度圖像，並不是彩色圖像。早期的掃描電鏡圖像是模擬圖像，由照相底片記錄。近年來圖像均已數字化，可由計算機儲存和顯示。

由於二次電子能量較低，在距離表面10nm以上的樣品內部產生的二次電子幾乎全被鄰近的原子吸收而無法逸出樣品被檢測器檢測到。因此，二次電子像所反映的信息完全是樣品表面的特徵，是掃描電鏡中使用最多的圖像（圖5-2）。

掃描電鏡圖像的特點是：① 放大倍數范圍大，其有效放大倍數可從數十倍至十萬倍，基本上概括了放大鏡、光學顯微鏡至透射電鏡的放大倍數范圍。②解析度高，景深大，立體感強。其二次電子圖像的解析度已達3nm，比光學顯微鏡約高5個數量級。在同一放大倍數下掃描電鏡圖像的景深比光學顯微鏡的景深大10～100倍。

圖5-2 草莓狀黃鐵礦的掃描電子圖像

掃描電鏡對樣品的基本要求是：①樣品必須是乾燥、清潔的固體，在高能電子束的轟擊下不變形，不變質，並能經受住真空的壓力。②樣品必須導電。不導電的樣品可在表面噴鍍一層導電膜。近幾年有些不導電的樣品在數百伏的低加速電壓下也能進行觀察。因此，光片、沒有蓋玻璃的薄片以及斷面等都能在掃描電鏡中進行觀察。對樣品的大小也沒有嚴格的要求，觀察面積約1cm2，樣品高度小於1cm較為適中。

近年來絕大多數掃描電鏡都配備X射線能譜儀，有時還可配備電子背散射衍射部件，在觀察圖像的同時還可在原地進行微區的成分和結構分析。詳情請見本章第三節和第四節的相關部分。

6、電子掃描顯微鏡（SEM）的工作原理？？？

掃描電鏡是用聚焦電子束在試樣表面逐點掃描成像。試樣為塊狀或粉末顆 粒，成像信號可以是二次電子、背散射電子或吸收電子。其中二次電子是最主要的成像信號。由電子槍發射的能量為 5 ～ 35keV 的電子，以其交 叉斑作為電子源，經二級聚光鏡及物鏡的縮小形成具有一定能量、一定束流強度和束斑直徑的微細電子束，在掃描線圈驅動下，於試樣表面按一定時間、空間順 序作柵網式掃描。聚焦電子束與試樣相互作用，產生二次電子發射（以及其它物理信號），二次電子發射量隨試樣表面形貌而變化。二次電子信號被探測器收集 轉換成電訊號，經視頻放大後輸入到顯像管柵極，調制與入射電子束同步掃描的顯像管亮度，得到反映試樣表面形貌的二次電子像。

示意圖：
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