1、sem掃描電鏡,怎樣分析材料結構
可以從掃描電鏡圖中看到納米管的結構,我之前做二氧化鈦納米管,用掃描電鏡可以直接看到
。
掃描電鏡中的的參數,分別有:放大倍數,長度標尺,工作電壓和工作距離。
2、關於SEM掃描電鏡的幾個問題,求大神出現...
如果是即將開始學習儀器操作的管理人員,建議先系統學習理論知識,再找專業的儀器工程師培訓。如果是學生,要使用電鏡,從安全形度考慮,1、2、3幾項通常是值機人員完成的。我可以簡單的向你介紹一下:1、主要是電源,只要能正常開機,一般無問題;2、加高壓前一般要達到額定真空,否則氣體電離度大、損傷電子槍,但是電鏡軟體一般都已經設置好,不到工作真空,根本加不上去高壓,所以只要能夠加高壓,也無其他特別的問題;做完電鏡關閉高壓,等30秒以上,待燈絲冷卻後再放氣為宜,主要也是為了保護電子槍;3、樣品台有它的額定移動距離,包括平面方向和上下方向,平面方向移動到極限時會有報警提示,看到提示往回移動即可。高度方向也如此,但是要注意向上移動時,要緩慢,要防止堅硬的試樣撞擊上方的探測器和極靴,損壞設備;4,電子束與試樣作用,可激發出多種信號,如二次電子信號(用於形貌觀察),背散射電子信號(用於區分微區成分)、俄歇電子信號(用於表面元素分析)、特徵X射線(用於內部元素分析)、陰極熒光(用於發光材料研究),這些信號已經被有效的加以利用,這是一門獨立的學科,若需要詳細了解,你需要系統地學習一下。
3、tem和sem的異同比較分析以及 環境掃描電鏡,場發射電鏡與傳統電鏡
TEM和SEM的異同比較分析以及環境掃描電鏡,場發射電鏡與傳統電鏡相比較的技術特點和應用
xrd是x射線衍射,可以分析物相,SEM是掃描電鏡,主要是觀察顯微組織,TEM是透射電鏡,主要觀察超限微結構。AES是指能譜,主要分析濃度分布。STM掃描隧道顯微鏡,也是觀察超微結構的。AFM是原子力顯微鏡,主要是觀察表面形貌用的。
TEM:
透射電子顯微鏡(英語:Transmission electron microscope,縮寫TEM),簡稱透射電鏡,是把經加速和聚集的電子束投射到非常薄的樣品上,電子與樣品中的原子碰撞而改變方向,從而產生立體角散射。散射角的大小與樣品的密度、厚度相關,因此可以形成明暗不同的影像。通常,透射電子顯微鏡的解析度為0.1~0.2nm,放大倍數為幾萬~百萬倍,用於觀察超微結構,即小於0.2μm、光學顯微鏡下無法看清的結構,又稱「亞顯微結構」。 TEM是德國科學家Ruskahe和Knoll在前人Garbor和Busch的基礎上於1932年發明的。
其他的建議樓主查看文獻啊,文獻上講解都是比較詳細的,百度知道字數有限,只能給你粘貼這么多了
4、掃描電鏡和透射電鏡的EDS對分析樣品的成分有什麼不同?
SEM TEM 都是主要用來分析形貌。他兩相比較TEM的解析度要高於SEM。TEM給出的是一個平面圖,可以告訴你樣品的形貌特這,尤其是孔材料用TEM分析最好。SEM是分析表面形貌結構的,給出的是立體圖,對觀察棒狀,球狀,等等材料材料有很好的視覺效果。EDS是分析成分的,一般是配套於TEM儀器上。它分析的是樣品表面面某個小的部分的元素組成,不能代表樣品整體組成。
5、SEM分析法是什麼
6、掃描電鏡的工作原理是什麼
掃描電鏡從原理上講就是利用聚焦得非常細的高能電子束在試樣上掃描,激發出各種物理信息。通過對這些信息的接受、放大和顯示成像,獲得測試試樣表面形貌的觀察。
當一束極細的高能入射電子轟擊掃描樣品表面時,被激發的區域將產生二次電子、俄歇電子、特徵x射線和連續譜X射線、背散射電子、透射電子,以及在可見、紫外、紅外光區域產生的電磁輻射。同時可產生電子-空穴對、晶格振動(聲子)、電子振盪(等離子體)。
(6)sem掃描電鏡分析擴展資料:
研發歷程:
1873 Abbe 和Helmholfz 分別提出解像力與照射光的波長成反比。奠定了顯微鏡的理論基礎。
1931德國物理學家Knoll 及Ruska 首先發展出穿透式電子顯微鏡原型機。
1938 第一部掃描電子顯微鏡由Von Ardenne 發展成功。
1959年第一台100KV電子顯微鏡 1975年第一台掃描電子顯微鏡DX3 在中國科學院科學儀器廠(現北京中科科儀技術發展有限責任公司)研發成功。
7、掃描電鏡圖片如何分析
第一、掃描電鏡照片是灰度圖像,分為二次電子像和背散射電子像,主要用於表面微觀形貌觀察或者表面元素分布觀察。
一般二次電子像主要反映樣品表面微觀形貌,基本和自然光反映的形貌一致,特殊情況需要對比分析。
背散射電子像主要反映樣品表面元素分布情況,越亮的區域,原子序數越高。
第二、看錶面形貌,電子成像,亮的區域高,暗的區域低。非常薄的薄膜,背散射電子會造成假像。導電性差時,電子積聚也會造成假像。
8、掃描電鏡與透射電鏡的區別?
1、結構差異:
主要體現在樣品在電子束光路中的位置不同。透射電鏡的樣品在電子束中間,電子源在樣品上方發射電子,經過聚光鏡,然後穿透樣品後,有後續的電磁透鏡繼續放大電子光束,最後投影在熒光屏幕上;掃描電鏡的樣品在電子束末端,電子源在樣品上方發射的電子束,經過幾級電磁透鏡縮小,到達樣品。當然後續的信號探側處理系統的結構也會不同,但從基本物理原理上講沒什麼實質性差別。
2、基本工作原理:
透射電鏡:電子束在穿過樣品時,會和樣品中的原子發生散射,樣品上某一點同時穿過的電子方向是不同,這樣品上的這一點在物鏡1-2倍焦距之間,這些電子通過過物鏡放大後重新匯聚,形成該點一個放大的實像,這個和凸透鏡成像原理相同。這里邊有個反差形成機制理論比較深就不講,但可以這么想像,如果樣品內部是絕對均勻的物質,沒有晶界,沒有原子晶格結構,那麼放大的圖像也不會有任何反差,事實上這種物質不存在,所以才會有這種儀器存在的理由。
掃描電鏡:電子束到達樣品,激發樣品中的二次電子,二次電子被探測器接收,通過信號處理並調制顯示器上一個像素發光,由於電子束斑直徑是納米級別,而顯示器的像素是100微米以上,這個100微米以上像素所發出的光,就代表樣品上被電子束激發的區域所發出的光。實現樣品上這個物點的放大。如果讓電子束在樣品的一定區域做光柵掃描,並且從幾何排列上一一對應調制顯示器的像素的亮度,便實現這個樣品區域的放大成像。
3、對樣品要求
(1)掃描電鏡
SEM制樣對樣品的厚度沒有特殊要求,可以採用切、磨、拋光或解理等方法將特定剖面呈現出來,從而轉化為可以觀察的表面。這樣的表面如果直接觀察,看到的只有表面加工損傷,一般要利用不同的化學溶液進行擇優腐蝕,才能產生有利於觀察的襯度。不過腐蝕會使樣品失去原結構的部分真實情況,同時引入部分人為的干擾,對樣品中厚度極小的薄層來說,造成的誤差更大。
(2)透射電鏡
由於TEM得到的顯微圖像的質量強烈依賴於樣品的厚度,因此樣品觀測部位要非常的薄,例如存儲器器件的TEM樣品一般只能有10~100nm的厚度,這給TEM制樣帶來很大的難度。初學者在制樣過程中用手工或者機械控制磨製的成品率不高,一旦過度削磨則使該樣品報廢。TEM制樣的另一個問題是觀測點的定位,一般的制樣只能獲得10mm量級的薄的觀測范圍,這在需要精確定位分析的時候,目標往往落在觀測范圍之外。目前比較理想的解決方法是通過聚焦離子束刻蝕(FIB)來進行精細加工。
透射電子顯微鏡的成像原理 可分為三種情況:
(1)吸收像:當電子射到質量、密度大的樣品時,主要的成相作用是散射作用。樣品上質量厚度大的地方對電子的散射角大,通過的電子較少,像的亮度較暗。早期的透射電子顯微鏡都是基於這種原理。
(2)衍射像:電子束被樣品衍射後,樣品不同位置的衍射波振幅分布對應於樣品中晶體各部分不同的衍射能力,當出現晶體缺陷時,缺陷部分的衍射能力與完整區域不同,從而使衍射波的振幅分布不均勻,反映出晶體缺陷的分布。
(3)相位像:當樣品薄至100Å以下時,電子可以穿過樣品,波的振幅變化可以忽略,成像來自於相位的變化。