sem掃描電鏡5千伏放大倍數

1、SEM掃描電鏡圖怎麼看，圖上各參數都代表什麼意思

1、放大率：

與普通光學顯微鏡不同，在SEM中，是通過控制掃描區域的大小來控制放大率的。如果需要更高的放大率，只需要掃描更小的一塊面積就可以了。放大率由屏幕/照片面積除以掃描面積得到。

所以，SEM中，透鏡與放大率無關。

2、場深：

在SEM中，位於焦平面上下的一小層區域內的樣品點都可以得到良好的會焦而成象。這一小層的厚度稱為場深，通常為幾納米厚，所以，SEM可以用於納米級樣品的三維成像。

3、作用體積：

電子束不僅僅與樣品表層原子發生作用，它實際上與一定厚度范圍內的樣品原子發生作用，所以存在一個作用「體積」。

4、工作距離：

工作距離指從物鏡到樣品最高點的垂直距離。

如果增加工作距離，可以在其他條件不變的情況下獲得更大的場深。如果減少工作距離，則可以在其他條件不變的情況下獲得更高的解析度。通常使用的工作距離在5毫米到10毫米之間。

5、成象：

次級電子和背散射電子可以用於成象，但後者不如前者，所以通常使用次級電子。

6、表面分析：

歐革電子、特徵X射線、背散射電子的產生過程均與樣品原子性質有關，所以可以用於成分分析。但由於電子束只能穿透樣品表面很淺的一層（參見作用體積），所以只能用於表面分析。

表面分析以特徵X射線分析最常用，所用到的探測器有兩種：能譜分析儀與波譜分析儀。前者速度快但精度不高，後者非常精確，可以檢測到「痕跡元素」的存在但耗時太長。

觀察方法：

如果圖像是規則的（具螺旋對稱的活體高分子物質或結晶），則將電鏡像放在光衍射計上可容易地觀察圖像的平行周期性。

尤其用光過濾法，即只留衍射像上有周期性的衍射斑，將其他部分遮蔽使重新衍射，則會得到背景干擾少的鮮明圖像。

(1)sem掃描電鏡5千伏放大倍數擴展資料：

SEM掃描電鏡圖的分析方法：

從干擾嚴重的電鏡照片中找出真實圖像的方法。在電鏡照片中，有時因為背景干擾嚴重，只用肉眼觀察不能判斷出目的物的圖像。

圖像與其衍射像之間存在著數學的傅立葉變換關系，所以將電鏡像用光度計掃描，使各點的濃淡數值化，將之進行傅立葉變換，便可求出衍射像〔衍射斑的強度（振幅的2乘）和其相位〕。

將其相位與從電子衍射或X射線衍射強度所得的振幅組合起來進行傅立葉變換，則會得到更鮮明的圖像。此法對屬於活體膜之一的紫膜等一些由二維結晶所成的材料特別適用。

掃描電鏡從原理上講就是利用聚焦得非常細的高能電子束在試樣上掃描，激發出各種物理信息。通過對這些信息的接受、放大和顯示成像，獲得測試試樣表面形貌的觀察。

2、掃描電鏡sem和透射電鏡tem對樣品有何要求

透射電鏡是用高能電子束（加速電壓一般在200KV以上）照射樣品，透過樣品的電子由於樣品厚度、元素、缺陷、晶體結構等的不同，會產生不同的花樣或圖像襯度，由此可以推測樣品的相關信息。由於電子束要能透過樣品，因此樣品厚度要求很薄，一般要小於100納米。如果要做高分辨，要求更薄。

3、掃描電鏡SEM/EDX測試的井深是多少？

````
應該是景深吧``

焦深計算公式
L= ±[(r/M)-d]/2α 其中：
L: 焦深
r: 顯像管最小分辨距離
M：放大倍數
d：入射電子束直徑
2α：物鏡孔徑角。
從上面的式子可以看出影響焦深的因素，其中隱含了工作距離w。物鏡孔徑角與工作距離和入射電子束直徑有關。由於r（顯像管的解析度）和2α都是未知數，實際上不能計算。焦深也只是個人的視覺感受，還是直觀的測量一下為好。

又查了資料``顯像管最小分辨距離為0.22mm-0.3mm, 孔徑角的典型數值為10-2—10-3rad.利用公式L= ±[(r/M)-d]/2α可以計算出在有效放大倍率下的焦深數據。設d=3納米，孔徑角2α=10-2 rad，r=0.3mm。計算焦深如下：
1000倍下為59.4微米。5000倍下為11.4微米。10000倍下為5.4微米。超過100000倍已經超過了有效放大倍率。不能計算。

4、請問SEM掃描電鏡中鎢燈絲與場發射的同與異，及各自的優點和缺點。謝謝，在線等。。。

相同：都是電子槍即發射電子的裝置，都有陰極和陽極, 陰極都是點源發射，陰極和陽極之間有直流高壓電場存在，高壓一般可調，用於控制電子的發射速度（能量），電子槍發射的電流強度很小，微安級別和納安級別，為防止氣體電離造成的大電流擊穿高壓電源，都需要高真空環境。電子槍陰極都屬於耗材系列。
差異和優劣:
1、點源直徑不同及優劣：
鎢燈絲電子槍陰極使用0.1mm直徑的鎢絲製成V形（發叉式鎢絲陰極），使用V形的尖端作為點發射源，曲率半徑大約為0.1mm；場發射電子槍陰極使用0.1mm直徑的鎢絲，經過腐蝕製成針狀的尖陰極，一般曲率半徑在100nm~1μm之間。由於製作工藝上的差異，造價不同，發叉式鎢絲陰極便宜，場發射陰極很貴。
2、發射機制不同和優劣
鎢燈絲屬於熱發射，在燈絲電極加直流電壓，鎢絲發熱，使用溫度一般在2600K~2800K之間，鎢絲有很高的電子發射效率，溫度越高電流密度越大，理想情況下的的電子槍亮度越高。由於材料的蒸發速度隨溫度升高而急劇上升，因此鎢燈絲的壽命比較短，一般在50~200小時之間，這個和設定的燈絲溫度有關。由於電子發射溫度高，發射的電子能量分散度大，一般2ev， 電子槍引起的色差會比較大。
場發射電子槍主要的發射機制不是靠加熱陰極，而是在尖陰極表面增加強電場，從而降低陰極材料的表面勢壘，並且可以使得表面勢壘寬度變窄到納米尺度，從而出現量子隧道效應，在常溫甚至在低溫下，大量低能電子通過隧道發射到真空中，由於陰極材料溫度低，一般材料不會損失，因此壽命很長，可使用上萬小時。
3、電子槍控制方式和電子源直徑不同和優劣性。
鎢燈絲是三極自給偏壓控制，具有偏壓負反饋電路，因此發射電流穩定度高；由於陰極發射點源面積大，因此電子源尺寸也比較大，50~100μm，發射可達幾十~150μA，但電子槍的亮度低，因此當電子束斑聚焦到幾個納米的時候，總的探針電流很小, 信噪比太低是限制圖像解析度的根本因素，當前最佳鎢燈絲掃描電鏡最佳解析度3.0nm.
場發射電子槍沒有偏壓負反饋電路，外界電源的穩定度是決定因素，發射電流穩定度相比要低一些；由於尖陰極發射電源面積很小100nm左右，沒有明顯的電子源，因此使用虛電子源作為電子光學系統設計的初始物而存在，電子虛源直徑一般在2~20nm，電子槍亮度相比鎢燈絲提高上千倍。當束斑尺寸縮小到1nm以下時依然具有足夠強的探針電流來獲得足夠的成像信號，因此解析度高，當前最佳的場發射掃描電鏡解析度實現了亞納米級別。
4、系統真空度不同及優劣
鎢燈絲掃描電鏡使用一般的高真空，兩級真空泵系統獲得0.001pa的真空度即可滿足，因此造價低。
場發射掃描電鏡使用超高真空，需要三級真空泵必須獲得0.0000001Pa以上的真空度才可以穩定工作。原因在於電子槍尖陰極不耐較低的真空中被電離的離子轟擊，否則槍尖很容易被掃平而失效，這時候的性能還不如鎢燈絲，其次電子槍陰極尖端在較低的真空下，吸附的氣體分子會急劇加大陰極材料的表面勢壘，造成電子槍發射不穩，亮度降低，所以必須使用超高真空一般是10的-8次方。 超高真空系統的造價明顯比鎢燈絲高很多。超高真空的潔凈度要好於鎢燈絲的一般高真空，因此很長時間，也就是在燈絲壽命內，系統可以免清洗和維護。鎢燈絲掃描電鏡相對維護周期要短一些。

5、鎢燈絲和場發射是具有明顯檔次差異的，這也從價格上明確反映。鎢燈絲掃描電鏡十幾萬，場發射幾十萬，都是美元。國內目前只能製造最低檔次的鎢燈絲掃描電鏡。

以上定性表達，具體數據還望查閱有關資料

5、你好，請問SEM的放大倍數和解析度是什麼關系？謝謝

SEM儀器能區分清2個點之間的最小距離就是這台儀器的最高解析度，解析度越高，從圖像上就可能可以看出更多細致的東西；

而放大倍數是指圖像長度與真實觀察長度的比值，片面的追求高放大倍數並沒有什麼實際的意義，因為它的最大放大倍數定義為：有效放大倍數=眼睛解析度/電鏡解析度。

圖像的清晰度是亮度對比度概念的綜合，清晰的圖像在肉眼可識別的微小尺度范圍內，亮暗反差鮮明。掃描電鏡加速電壓高可以獲得電子光學系統的高分辨能力，可高倍更清晰。

(5)sem掃描電鏡5千伏放大倍數擴展資料：

所謂QVGA液晶技術，就是在液晶屏幕上輸出的解析度是240×320的液晶輸出方式。這個解析度其實和屏幕本身的大小並沒有關系。比如說，若2.1英寸液晶顯示屏幕可以顯示240×320解析度的圖像，就叫做「QVGA 2.1英寸液晶顯示屏」；

如果3.8英寸液晶顯示屏幕可以顯示240×320的圖像，就叫做「QVGA 3.8英寸液晶顯示屏」，以上兩種情況雖然具有相同的解析度，但是由於尺寸的不同實際的視覺效果也不同，一般來說屏幕小的一個畫面自然也會細膩一些。

6、掃描電鏡sem原子相對含量At%計算

1、全部都是用各元素的K層電子（即1s）的X-射線熒光強度作為計算依據；
2、有兩種計算方案：質量百分含量和原子數百分含量（判斷化學式組成時很有用）。