1、掃描電鏡SEM和透射電鏡TEM的區別
掃描電鏡，是觀察樣品表面的結構特徵；
透射電鏡，是觀察樣品的內部精細結構。
2、掃描電鏡與電子探針的區別
掃描電復鏡和電子探針的根制本區別在於電子束流:電子探針的束流(指打在樣品表面的電流)要比掃描電鏡大幾個數量級.
由此造成:電子探針的空間解析度差,二次電子和背散射電子解析度差.
如果要求不高, 電子探針可以當作掃描來用.
個人建議不要用來發好文章啊!其圖像質量會造成較大麻煩.
3、電子探針儀與掃描電鏡有何異同
二者最主要的不同是其工作原理不同。
電子探針儀，學名應該是掃描隧道顯微鏡（scanning tunnel microscopy，STM）,它的工作原理是用一個針尖在離樣品表面極近的位置慢慢劃過，樣品和針尖上加有恆定電壓，隨著針尖和樣品起伏不平的表面原子距離的改變，二者間的電流會有變化，記錄這個電流的變化進行處理後，可以得到表面的形貌像，這是其中的一個工作方式，還有針尖位置不變，電壓變化的工作方式等。另外STM發展的非常蓬勃，衍生出很多其他類似的分支電鏡，如AFM等。
掃描電子顯微鏡（scanning electron microscopy,SEM),是通過電子束對樣品表面進行反復的掃射，通過探頭收集反射回來的二次電子和背散射電子來進行成像。
二者相同的地方則是主要用作測樣品表面形貌的儀器
4、TEM和SEM有什麼區別？
透射電鏡（TEM）的放大倍數要比掃描電鏡（SEM）的高,當然兩則的成像原理也是不同的，如果需要觀察納米顆粒在聚合物中的分散情況，你就必須要用TEM來觀察了，SEM通常看材料的缺口斷面，當然還有許多其他應用。SEM是電子束激發出表面次級電子,而TEM是穿透試樣,而電子束穿透能力很弱,所以TEM樣品要求很薄,只有幾十nm, TEM一般放大能達幾百w倍,而SEM只有幾萬倍.掃描電鏡通常用在一些斷口觀察分析,外加一個能譜儀,可以進行能譜掃描.其放大倍數相對較低,操作方便,樣品製作簡單,對於高聚物,須進行噴金處理 TEM則可以觀看樣品的內部結構,粒子的分散等.其放大倍數高於SEM,但也不是絕對,現在有些掃描電鏡的放大倍數也可以很高.其操作較復雜,樣品製作也較為煩瑣
5、sem和tem中的電子探針的分析精度相同嗎？如果不同，請說出為什麼
SEM說俗了 就是用高速的電子打擊標本 捕獲打回來的電子 然後電腦分析 得到的圖象就是物體表面的照片 和普通黑白照片沒區別 只不過是很小很小的物體 在納米級別上的迷你照片~ 電子探針就不一樣了 全名為電子探針X射線顯微分析儀
6、SEM和TEM區別
SEM，全稱為掃描電子顯微鏡，又稱掃描電鏡，英文名Scanning
Electronic
Microscopy.
TEM，全稱為透射電子顯微鏡，又稱透射電鏡，英文名Transmission
Electron
Microscope.
區別：
1.
SEM的樣品中被激發出來的二次電子和背散射電子被收集而成像.
TEM可以表徵樣品的質厚襯度，也可以表徵樣品的內部晶格結構。TEM的解析度比SEM要高一些。
2.
SEM樣品要求不算嚴苛，而TEM樣品觀察的部分必須減薄到100nm厚度以下，一般做成直徑3mm的片，然後去做離子減薄，或雙噴（或者有厚度為20~40μm或者更少的薄區要求）。
3.
TEM可以標定晶格常數，從而確定物相結構；SEM主要可以標定某一處的元素含量，但無法准確測定結構。
7、TEM和SEM的工作原理差別?
1、掃描電子顯微鏡 SEM(scanning electron microscope)
（1）、掃描電子顯微鏡工作原理：
是1965年發明的較現代的細胞生物學研究工具，主要是利用二次電子信號成像來觀察樣品的表面形態，即用極狹窄的電子束去掃描樣品，通過電子束與樣品的相互作用產生各種效應，其中主要是樣品的二次電子發射。二次電子能夠產生樣品表面放大的形貌像，這個像是在樣品被掃描時按時序建立起來的，即使用逐點成像的方法獲得放大像。
（2）掃描電子顯微鏡的製造是依據電子與物質的相互作用。當一束高能的人射電子轟擊物質表面時，被激發的區域將產生二次電子、俄歇電子、特徵x射線和連續譜X射線、背散射電子、透射電子，以及在可見、紫外、紅外光區域產生的電磁輻射。同時，也可產生電子-空穴對、晶格振動 (聲子)、電子振盪 (等離子體)。原則上講，利用電子和物質的相互作用，可以獲取被測樣品本身的各種物理、化學性質的信息，如形貌、組成、晶體結構、電子結構和內部電場或磁場等等。掃描電子顯微鏡正是根據上述不同信息產生的機理，採用不同的信息檢測器，使選擇檢測得以實現。如對二次電子、背散射電子的採集，可得到有關物質微觀形貌的信息;對x射線的採集，可得到物質化學成分的信息。正因如此，根據不同需求，可製造出功能配置不同的掃描電子顯微鏡。
2、透射電鏡TEM (transmission electron microscope)
（1）透射電鏡工作原理：
是以電子束透過樣品經過聚焦與放大後所產生的物像， 投射到熒光屏上或照相底片上進行觀察。
（2）透射電鏡的解析度為0.1～0.2nm，放大倍數為幾萬～幾十萬倍。由於電子易散射或被物體吸收，故穿透力低，必須制備更薄的超薄切片（通常為50～100nm）。其制備過程與石蠟切片相似，但要求極嚴格。要在機體死亡後的數分鍾釣取材，組織塊要小(1立方毫米以內），常用戊二醛和餓酸進行雙重固定樹脂包埋,用特製的超薄切片機（ultramicrotome）切成超薄切片，再經醋酸鈾和檸檬酸鉛等進行電子染色。電子束投射到樣品時，可隨組織構成成分的密度不同而發生相應的電子發射，如電子束投射到質量大的結構時，電子被散射的多，因此投射到熒光屏上的電子少而呈暗像，電子照片上則呈黑色。稱電子密度高（electron dense）。反之，則稱為電子密度低（electron lucent）。
8、就採用能譜檢測結果而言，請問掃描電鏡和電子探針有什麼差別？電子探針元素麵掃是能譜還是波譜分析的？
掃描電鏡束流小，電子探針能譜分析結果比掃描電鏡能譜精確一個數量級，電子探針元素麵掃描可以用能譜，也可以用波譜，一般對輕元素（C以下），波譜較准確，相對來說波譜掃描時間較長，一般定性及半定量基本用能譜。