1、x射線熒光光譜法和sem-edx的區別是什麼
X
2、掃描電鏡SEM/EDX測試的井深是多少？
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應該是景深吧``
焦深計算公式
L= ±[(r/M)-d]/2α 其中：
L: 焦深
r: 顯像管最小分辨距離
M：放大倍數
d：入射電子束直徑
2α：物鏡孔徑角。
從上面的式子可以看出影響焦深的因素，其中隱含了工作距離w。物鏡孔徑角與工作距離和入射電子束直徑有關。由於r（顯像管的解析度）和2α都是未知數，實際上不能計算。焦深也只是個人的視覺感受，還是直觀的測量一下為好。
又查了資料``顯像管最小分辨距離為0.22mm-0.3mm, 孔徑角的典型數值為10-2—10-3rad.利用公式L= ±[(r/M)-d]/2α可以計算出在有效放大倍率下的焦深數據。設d=3納米，孔徑角2α=10-2 rad，r=0.3mm。計算焦深如下：
1000倍下為59.4微米。5000倍下為11.4微米。10000倍下為5.4微米。超過100000倍已經超過了有效放大倍率。不能計算。
3、sem/edx 分析是什麼意思
S
4、SEM的EDX中的Cl 的能量在多少電子伏特
烷基命名法就是系統命名法，有機化合物種類繁多，數目龐大，即使同一分子式，也有不同的同分異構體，若沒有一個完整的命名方法來區分各個化合物，在文獻中會造成極大的混亂，因此認真學習每一類化合物的命名是有機化學的一項重要內容。
直鏈烷烴（n-alkane）的名稱用「碳原子數+烷」來表示。當碳原子數為1～10時，依次用天干——甲、乙、丙、丁、戊、己、庚、辛、壬、癸——表示。碳原子數超過10時，用數字表示。例如，六個碳的直鏈烷烴稱為己烷。十四個碳的直鏈烷烴稱為十四烷。有分支的烷烴稱為支鏈烷烴。
5、跪求sem edx電子顯微鏡的價格，最好是日本HITACHI或者JEOL
edx 50000-60000usd
6、sem掃描電鏡能譜分析中是怎麼定為原子的
透射式電子顯微鏡常用於觀察那些用普通顯微鏡所不能分辨的細微物質結構；掃描式電子顯微鏡主要用於觀察固體表面的形貌，也能與X射線衍射儀或電子能譜儀相結合，構成電子微探針，用於物質成分分析；發射式電子顯微鏡用於自發射電子表面的研究。
7、XRD與EDS有什麼區別？求大神
SEM，EDS，XRD的區別，SEM是掃描電鏡，EDS是掃描電鏡上配搭的一個用於微區分析成分的配件——能譜儀，是用來對材料微區成分元素種類與含量分析，配合掃描電子顯微鏡與透射電子顯微鏡的使用。XRD是X射線衍射儀，是用於物相分析的檢測設備。
SEM用於觀察標本的表面結構，其工作原理是用一束極細的電子束掃描樣品，在樣品表面激發出次級電子，次級電子的多少與電子束入射角有關，也就是說與樣 品的表面結構有關，次級電子由探測體收集，並在那裡被閃爍器轉變為光信號，再經光電倍增管和放大器轉變為電信號來控制熒光屏上電子束的強度，顯示出與電子束同步的掃描圖像。圖像為立體形象，反映了標本的表面結構。
EDS的原理是各種元素具有自己的X射線特徵波長，特徵波長的大小則取決於能級躍遷過程中釋放出的特徵能量△E，能譜儀就是利用不同元素X射線光子特徵能量不同這一特點來進行成分分析的。
XRD是利用衍射原理，精確測定物質的晶體結構,織構及應力,精確的進行物相分析，定性分析，定量分析。
說簡單點，SEM是用來看微觀形貌的，觀察表面的形態、斷口、微裂紋等等；EDS則是檢測元素及其分布，但是H元素不能檢測；XRD觀察的是組織結構，可以測各個相的比例、晶體結構等。
8、EDX 點掃，面掃和mapping這三者之間有什麼差別
EDX 點掃,面掃和mapping這三者之間有什麼差別？
就定量來說，SEM點分析比線分析和面分析更准確，掃描的方式不同，線分析和面分析只能定性的分析觀察視場的元素分布情況（線分析是沿著某個界面的元素分布起伏，而面分析是看整個視場的元素分布情況），點分析可以基本定量分析元素。