sem的樣品

1、聚合物想測SEM，如何製作樣品？

既然是看膜，就需要樓主決定要看自然狀態下的膜，還是製品的膜形貌了，製品自然要按照工藝制膜。如果能夠拿到膜，可以直接用聚合物膜粘在我提到的導電膠帶上，處理方式和之前回答你的一樣，噴金、引導電膠。

2、SEM掃描電鏡圖怎麼看，圖上各參數都代表什麼意思

1、放大率：

與普通光學顯微鏡不同，在SEM中，是通過控制掃描區域的大小來控制放大率的。如果需要更高的放大率，只需要掃描更小的一塊面積就可以了。放大率由屏幕/照片面積除以掃描面積得到。

所以，SEM中，透鏡與放大率無關。

2、場深：

在SEM中，位於焦平面上下的一小層區域內的樣品點都可以得到良好的會焦而成象。這一小層的厚度稱為場深，通常為幾納米厚，所以，SEM可以用於納米級樣品的三維成像。

3、作用體積：

電子束不僅僅與樣品表層原子發生作用，它實際上與一定厚度范圍內的樣品原子發生作用，所以存在一個作用「體積」。

4、工作距離：

工作距離指從物鏡到樣品最高點的垂直距離。

如果增加工作距離，可以在其他條件不變的情況下獲得更大的場深。如果減少工作距離，則可以在其他條件不變的情況下獲得更高的解析度。通常使用的工作距離在5毫米到10毫米之間。

5、成象：

次級電子和背散射電子可以用於成象，但後者不如前者，所以通常使用次級電子。

6、表面分析：

歐革電子、特徵X射線、背散射電子的產生過程均與樣品原子性質有關，所以可以用於成分分析。但由於電子束只能穿透樣品表面很淺的一層（參見作用體積），所以只能用於表面分析。

表面分析以特徵X射線分析最常用，所用到的探測器有兩種：能譜分析儀與波譜分析儀。前者速度快但精度不高，後者非常精確，可以檢測到「痕跡元素」的存在但耗時太長。

觀察方法：

如果圖像是規則的（具螺旋對稱的活體高分子物質或結晶），則將電鏡像放在光衍射計上可容易地觀察圖像的平行周期性。

尤其用光過濾法，即只留衍射像上有周期性的衍射斑，將其他部分遮蔽使重新衍射，則會得到背景干擾少的鮮明圖像。

(2)sem的樣品擴展資料：

SEM掃描電鏡圖的分析方法：

從干擾嚴重的電鏡照片中找出真實圖像的方法。在電鏡照片中，有時因為背景干擾嚴重，只用肉眼觀察不能判斷出目的物的圖像。

圖像與其衍射像之間存在著數學的傅立葉變換關系，所以將電鏡像用光度計掃描，使各點的濃淡數值化，將之進行傅立葉變換，便可求出衍射像〔衍射斑的強度（振幅的2乘）和其相位〕。

將其相位與從電子衍射或X射線衍射強度所得的振幅組合起來進行傅立葉變換，則會得到更鮮明的圖像。此法對屬於活體膜之一的紫膜等一些由二維結晶所成的材料特別適用。

掃描電鏡從原理上講就是利用聚焦得非常細的高能電子束在試樣上掃描，激發出各種物理信息。通過對這些信息的接受、放大和顯示成像，獲得測試試樣表面形貌的觀察。

3、請問在SEM分析的樣品需要拋光得很光滑么？

SEM拋光我想應該是要清潔一下表面，避免表面含有一些臟東西之類的，如果是要看組織，不僅最後不是拋光，而且做SEM之前還需要腐蝕，SEM的二次電子成像原理就是要求表面凹凸不平，如果拋光了的話就沒辦法看二次電子像了，只能用背散射看了

4、請問大家，SEM樣品都是如何進行前處理的？

用乙醇分散一下，然後塗在導電膠上，最後用洗耳球吹一下，把多餘的吹掉

5、請問在SEM分析的樣品需要拋光得很光滑么? 請問做SEM之前,所需要處理的樣品需要很光滑嗎?

SEM拋光我想應該是要清潔一下表面,避免表面含有一些臟東西之類的,如果是內要看組織,不僅容最後不是拋光,而且做SEM之前還需要腐蝕,SEM的二次電子成像原理就是要求表面凹凸不平,如果拋光了的話就沒辦法看二次電子像了,只能用背散射看了

6、SEM 對於不同的樣品 如何選擇最優電壓電流？

具體選擇的電壓需要根據具體樣品來選擇的，一般來講金屬和半導體可能中壓10KV和5KV都可以，高分子最好選擇5KV的低壓，這樣可以得到更好的圖片效果。
以為高分子的導電性能很差，且容易被電壓擊穿，所以要選擇低電壓和快速照相模式的組合。
而金屬和半導體，導電性能都還好，可以根據調試的效果自行選擇電壓來操作。
並沒有硬性的規定金屬，半導體，高分子具體要多少電壓。這些都是需要根據具體的圖像質量來不斷調整的

7、掃描電鏡sem和透射電鏡tem對樣品有何要求

透射電鏡是用高能電子束（加速電壓一般在200KV以上）照射樣品，透過樣品的電子由於樣品厚度、元素、缺陷、晶體結構等的不同，會產生不同的花樣或圖像襯度，由此可以推測樣品的相關信息。由於電子束要能透過樣品，因此樣品厚度要求很薄，一般要小於100納米。如果要做高分辨，要求更薄。