sem二次電子成像

1、求助鎂合金的SEM二次電子和背散射電子像

背散射電子是發射電子被樣品彈性碰撞彈回來的，所以原子序數大的原子越大，彈性碰撞的概率越大，所以原子序數大的背散射電子強度的大；二次電子是從樣品表面發射的電子，跟原子序數沒關系，跟樣品的表面形態有關，因為撞擊角度90度是二次電子基

2、SEM如何利用二次電子成像

從書上查了一些內容，書的年代比較久遠，可能買不到...有興趣的話，嘗試著去圖書館借一下吧。
SEM工作時，電子槍發射的入射電子束打在試樣表面上，向內部穿透一定的深度，由於彈性和非彈性散射形成一個呈梨狀的電子作用體積。電子與試樣作用產生的物理信息，均由體積內產生。
二次電子是入射電子在試樣內部穿透和散射過程中，將原子的電子轟擊出原子系統而射出試樣表面的電子，其中大部分屬於價子激發，所以能量很小，一般小於50eV。因此二次電子探測體積較小。二次電子發射區的直徑僅比束斑直徑稍大一些，因而可獲得較高的解析度。
二次電子像的襯度取決於試樣上某一點發射出來的二次電子數量。電子發射區越接近表面，發射出的二次電子就越多，這與入射電子束與試樣表面法線的夾角有關。試樣的棱邊、尖峰等處產生的二次電子較多，相應的二次電子像較亮；而平台、凹坑處射出的二次電子較少，相應的二次電子像較暗。根據二次電子像的明暗襯度，即可知道試樣表面凹凸不平的狀況，二次電子像是試樣表面的形貌放大像。
SEM內在試樣的斜上方放置有探測器來接受這些電子。接受二次電子的裝置簡稱為檢測器，它是由聚焦極、加速極、閃爍體、光導管和光電倍增管組成。在閃爍體前面裝一筒裝電極，稱為聚焦極，又稱收集極。在其前端加一柵網，在聚焦極上加250-300V的正電壓。二次電子被此電壓吸引，然後又被帶有10kV正電壓的加速極加速，穿過網眼打在加速極的閃爍體上，產生光信號，經光導管輸送到光電倍增管，光信號轉變為電子信號。最後輸送到顯示系統，顯示出二次電子像。

3、利用掃描電鏡分析時二次電子與被散射的區別。

1、解析度不同

二次電子的解析度高，因而可以得到層次清晰，細節清楚的圖像，被散射電子是在一個較大的作用體積內被入射電子激發出來的，成像單元較大，因而解析度較二次電子像低。

2、運動軌跡不同

（1）被散射電子以直線逸出，因而樣品背部的電子無法被檢測到，成一片陰影，襯度較大，無法分析細節，但可以用來顯示原子序數襯度，進行定性成分分析 。二次電子對試樣表面狀態非常敏感，能有效地顯示試樣表面的微觀形貌。

（2）利用二次電子作形貌分析時，可以利用在檢測器收集光柵上加上正電壓來吸收較低能量的二次電子，使樣品背部及凹坑等處逸出的電子以弧線狀運動軌跡被吸收，因而使圖像層次增加，細節清晰。

3、能量不同

（1）二次電子是指當入射電子和樣品中原子的價電子發生非彈性散射作用時會損失其部分能量(約 30～50 電子伏特)，這部分能量激發核外電子脫離原子，能量大於材料逸出功的價電子可從樣品表面逸出，變成真空中的自由電子。

（2）被散射電子是指被固體樣品原子反射回來的一部分入射電子。既包括與樣品中原子核作用而形成的彈性背散射電子，又包括與樣品中核外電子作用而形成的非彈性散射電子，所以被散射電子能量較高。

(3)sem二次電子成像擴展資料：

應用范圍

⑴生物：種子、花粉、細菌等

⑵醫學：血球、病毒等

⑶動物：大腸、絨毛、細胞、纖維等

⑷材料：陶瓷、高分子、粉末、金屬、金屬夾雜物、環氧樹脂等

⑸化學、物理、地質、冶金、礦物、污泥（桿菌） 、機械、電機及導電性樣品，如半導體(IC、線寬量測、斷面、結構觀察……）電子材料等。

4、SEM背散射電子下，原子系數越大是越亮還是越暗，二次電子下是不是相反的。

背散射電子是發射電子被樣品彈性碰撞彈回來的，所以原子序數大的原子越大，彈性碰撞的概率越大，所以原子序數大的背散射電子強度的大；二次電子是從樣品表面發射的電子，跟原子序數沒關系，跟樣品的表面形態有關，因為撞擊角度90度是二次電子基本么有，傾斜裝機的二次電子產率就很高了，所以二次電子像是跟樣品觀察角度有關的。