背電子散射sem腐蝕

1、SEM背散射電子下，原子系數越大是越亮還是越暗，二次電子下是不是相反的。

背散射電子是發射電子被樣品彈性碰撞彈回來的，所以原子序數大的原子越大，彈性碰撞的概率越大，所以原子序數大的背散射電子強度的大；二次電子是從樣品表面發射的電子，跟原子序數沒關系，跟樣品的表面形態有關，因為撞擊角度90度是二次電子基本么有，傾斜裝機的二次電子產率就很高了，所以二次電子像是跟樣品觀察角度有關的。

2、利用掃描電鏡分析時二次電子與被散射的區別。

1、解析度不同

二次電子的解析度高，因而可以得到層次清晰，細節清楚的圖像，被散射電子是在一個較大的作用體積內被入射電子激發出來的，成像單元較大，因而解析度較二次電子像低。

2、運動軌跡不同

（1）被散射電子以直線逸出，因而樣品背部的電子無法被檢測到，成一片陰影，襯度較大，無法分析細節，但可以用來顯示原子序數襯度，進行定性成分分析 。二次電子對試樣表面狀態非常敏感，能有效地顯示試樣表面的微觀形貌。

（2）利用二次電子作形貌分析時，可以利用在檢測器收集光柵上加上正電壓來吸收較低能量的二次電子，使樣品背部及凹坑等處逸出的電子以弧線狀運動軌跡被吸收，因而使圖像層次增加，細節清晰。

3、能量不同

（1）二次電子是指當入射電子和樣品中原子的價電子發生非彈性散射作用時會損失其部分能量(約 30～50 電子伏特)，這部分能量激發核外電子脫離原子，能量大於材料逸出功的價電子可從樣品表面逸出，變成真空中的自由電子。

（2）被散射電子是指被固體樣品原子反射回來的一部分入射電子。既包括與樣品中原子核作用而形成的彈性背散射電子，又包括與樣品中核外電子作用而形成的非彈性散射電子，所以被散射電子能量較高。

(2)背電子散射sem腐蝕擴展資料：

應用范圍

⑴生物：種子、花粉、細菌等

⑵醫學：血球、病毒等

⑶動物：大腸、絨毛、細胞、纖維等

⑷材料：陶瓷、高分子、粉末、金屬、金屬夾雜物、環氧樹脂等

⑸化學、物理、地質、冶金、礦物、污泥（桿菌） 、機械、電機及導電性樣品，如半導體(IC、線寬量測、斷面、結構觀察……）電子材料等。

3、求助鎂合金的SEM二次電子和背散射電子像

背散射電子是發射電子被樣品彈性碰撞彈回來的，所以原子序數大的原子越大，彈性碰撞的概率越大，所以原子序數大的背散射電子強度的大；二次電子是從樣品表面發射的電子，跟原子序數沒關系，跟樣品的表面形態有關，因為撞擊角度90度是二次電子基